日本電波工業株式NDK晶振會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業生產廠家,以“通過對客戶的服務,為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創業理念為基礎于1948年成立.現在我們作為提供電子業必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產品以及應用水晶技術的傳感器等新的高附加價值產品的頻率綜合生產廠家,正以企業的繼續成長為目標而努力.
日本電波工業株式NDK晶振經營范圍:晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關產品的制造與銷售.
NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.
NDK晶振規格 |
單位 |
NX1210AB晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
26MHZ~52MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標準說明,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用NDK晶振時應注意以下事項:
產品設計人員在設計振蕩回路的注意事項
1. 驅動能力
驅動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經過晶體單元的電流,
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發生振蕩.為避免該情況發生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻.NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振
3. 負載電容
如果振蕩電路中晶振的負載電容不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.