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EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振.VG5032VFN晶振

頻率：100M~250MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

5032壓控晶振（VCXO）壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60MHz到200MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛.小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能.

訂購熱線：0755-27876565

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日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責任公司(外商合資).

愛普生株式會社EPSON晶振愛普生拓優(yōu)科夢,(EPSON — YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO晶振）.1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數(shù)就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強企業(yè).

愛普生株式會社EPSON晶振通過追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來推動具有領(lǐng)先性的環(huán)保活動,把降低環(huán)境負荷作為一種顧客價值提供給顧客.

創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品；并且構(gòu)筑和革新既可以降低環(huán)境負荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動.

愛普生株式會社EPSON石英晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據(jù)需要自主性的制定基準,通過持續(xù)性的展開環(huán)保活動來預(yù)防污染.

在設(shè)定環(huán)保目的與目標展開活動的同時,定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動的水平.

愛普生株式會社通過與地區(qū)的交流及社會貢獻活動,為地區(qū)的環(huán)保做貢獻.

將環(huán)保活動的信息向公司內(nèi)外公開,積極努力的與地區(qū)社會及相關(guān)人員建立信賴關(guān)系,為社會的發(fā)展做出貢獻.

通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達的同時, 也向公司外部公開.

愛普生晶振集團將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質(zhì)量.

愛普生晶振集團公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標準.

精工愛普生晶振集團將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.

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EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振.VG5032VFN晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

相位噪聲和抖動是對同一種現(xiàn)象的兩種不同的定量方式,是對短期穩(wěn)定度的真實度量.石英晶體振蕩器以及其它利用基波或諧波方式的晶體振蕩器具有最好的相位噪聲性能.采用鎖相環(huán)合成器產(chǎn)生輸出頻率的石英晶體振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術(shù)的振蕩器一般呈現(xiàn)較差的相位噪聲性能.但相對的,擁有好的相位噪聲和抖動的同時振蕩器的設(shè)計復(fù)雜,體積大,頻率低,造價高.實際上相位噪聲和抖動是短期頻率穩(wěn)定度的度量,所以一般越高端的晶振,即頻穩(wěn)越好的晶振,這些指標也相應(yīng)越好.

1.、牽引范圍（VCXO）：是針對VCXO壓控晶振的參數(shù).

帶有壓控功能的晶振為（VCXO）,即通過調(diào)節(jié)控制電壓改變輸出頻率.牽引范圍為變化頻率(增大或減少)與中心頻率的比值.此值一般用ppm表示.通常牽引范圍大約為100 - 200ppm,取決于VCXO壓控晶振的結(jié)構(gòu)和所選擇的晶體.

2.、封裝：

與其它電子元件相似,石英晶體振蕩器亦采用愈來愈小型的封裝.通常,較小型的器件比較大型的表面貼裝或穿孔封裝器件更昂貴.所以,小型封裝的石英晶振往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間作出折衷.我們的石英晶體振蕩器有插件晶振(DIP)、貼片晶振(SMD)封裝,插件晶振如長方形的DIP14封裝,正方形的DIP8插件晶振封裝等,貼片晶振有7.0*5.0mm貼片晶振、6.0*3.5mm貼片晶振,5.0*3.2mm貼片晶振,3.2*2.5mm貼片晶振,2.5*2.0mm貼片晶振等封裝.

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愛普生晶振型號		VG5032VFN晶振
輸出頻率范圍		100M~250MHz
標準頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+0.165~+3.3V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機時電流		-更多晶振參數(shù)信息請聯(lián)系我們http://www.bzmfr.cn/
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30~+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40~+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

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VG3225VFN_3225 yijin-4 在使用EPSON晶振時應(yīng)注意以下事項

如何正確的使用有源晶振

電處理：

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振,或者起不到最佳精度.EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振.VG5032VFN晶振

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個規(guī)定的負載阻抗值.當一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗愛普生石英晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

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VG5032VFN晶振愛普生LVDS輸出有源晶振 5032壓控晶體振蕩器

跟此產(chǎn)品相關(guān)的產(chǎn)品 / Related Products

: TXC晶振,壓控晶振,DR晶振,高頻電壓控制晶振; 壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛.SMD壓控振蕩器應(yīng)用：調(diào)制解調(diào)器,ADSL網(wǎng)絡(luò)控制器,無線基站,程控交換設(shè)備智能手機,筆記本晶振等

: TXC晶振,壓控晶體振蕩器,7H晶振,6腳VCXO晶體振蕩器; 壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無鉛.VCXO,壓控晶體應(yīng)用：調(diào)制解調(diào)器,ADSL網(wǎng)絡(luò)控制器,無線基站,程控交換設(shè)備智能手機,筆記本晶振等.

: CTS晶振,壓控晶體振蕩器,317晶振,317LB3I1000T晶振; 小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.