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CTS晶振,石英晶體振蕩器,636晶振,636L3C012M00000晶振

頻率：1M~160MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,該產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站

訂購熱線：0755-27876565

CTS晶振公司自1896年以來,CTS晶振一直是未來的一部分.隨著技術的不斷進步,我們也一直在與之一起,為滿足人們不斷變化的需求而設計智能的方法.我們的產品在許多行業都得到了認可,所生產石英晶振,高精度貼片晶振,晶體振蕩器的性能、可靠性和工程技術都很出色.我們的客戶以我們卓越的、一貫的服務水平和我們與他們合作的能力來評價我們.我們的全球足跡使我們能夠為全球市場和大公司服務,并與本地市場中的中小企業合作,從而實現一個智能和無縫的世界.

想象你和我們一起工作.CTS晶振公司,我們理解的好處讓人們投資于公司的長期成功,我們致力于創造一個環境,每個人都有機會成功通過他們的貢獻.我們的人民相互支持,以提高我們的集體能力,并在我們所做的一切中取得卓越.

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CTS晶振,石英晶體振蕩器,636晶振,636L3C012M00000晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.

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項目	符號	規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1M~160MHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.8 V to 5.0 V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://www.bzmfr.cn
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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636 5032 OSC

CTS有源晶振5032封裝尺寸編碼列表

原廠編碼	品牌	代理商	型號	頻率	精度	封裝尺寸
636L3I025M00000	CTS西迪斯	億金電子	636晶振	25MHz	±50ppm	(5.00mm x 3.20mm)
636L3C018M43200	CTS西迪斯	億金電子	637晶振	18.432MHz	±50ppm	(5.00mm x 3.20mm)
636L3C020M00000	CTS西迪斯	億金電子	638晶振	20MHz	±50ppm	(5.00mm x 3.20mm)
636L3C024M00000	CTS西迪斯	億金電子	639晶振	24MHz	±50ppm	(5.00mm x 3.20mm)
636L3C048M00000	CTS西迪斯	億金電子	640晶振	48MHz	±50ppm	(5.00mm x 3.20mm)
636L3I003M68640	CTS西迪斯	億金電子	641晶振	3.6864MHz	±50ppm	(5.00mm x 3.20mm)
636L3C024M57600	CTS西迪斯	億金電子	642晶振	24.576MHz	±50ppm	(5.00mm x 3.20mm)
636L3I050M00000	CTS西迪斯	億金電子	643晶振	50MHz	±50ppm	(5.00mm x 3.20mm)
636L3C050M00000	CTS西迪斯	億金電子	644晶振	50MHz	±50ppm	(5.00mm x 3.20mm)
636L3C027M00000	CTS西迪斯	億金電子	645晶振	27MHz	±50ppm	(5.00mm x 3.20mm)

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使用CTS晶振時應注意以下事項

晶體振蕩器的處理與其略有不同其他電子元件.請閱讀以下注意事項小心地正確使用晶體振蕩器確保設備的最佳性能.

1.電源旁路電容

使用CTS晶振產品時,請放置一個約0.01的旁路電容μF,介于電源和GND之間（盡可能靠近產品終端盡可能）.

2.安裝表面貼裝晶體時鐘振蕩器

（1）安裝電路板后溫度快速變化

當安裝板的材料為表面安裝時陶瓷有晶體時鐘振蕩器封裝膨脹系數不同于陶瓷的膨脹系數材料,焊接的圓角部分可能會破裂,如果受到影響長時間反復發生極端溫度變化.你在這樣的條件下,建議情況是這樣的事先檢查過.

（2）通過自動安裝進行沖擊

當晶體時鐘振蕩器被吸附或吸入時自動安裝或超過的沖擊過程安裝振蕩器時會發生指定值板,振蕩器的特性會改變或惡化.

（3）板彎曲應力

將晶體時鐘振蕩器焊接到印刷后板,彎曲板可能會導致焊接部分剝落關閉或振蕩器封裝由于機械應力而破裂.

3.抗跌落沖擊力

本目錄中的產品設計得非常高抗自由落體沖擊（最多三次）.但是,如果錯誤地將產品從桌子等處丟棄,為確保最佳性能,建議您使用再次測量產品的性能或您要求我們再次測量它.

4.靜電

本目錄中的產品使用CMOS IC作為其有源產品元素.因此,在一個環境中處理產品對抗靜電的措施拍攝.

5.耐高溫

關于耐高溫性,使用精密儀器有源晶振時在溫度為+ 125°C的極端環境中超過24小時,產品的所有特點無法保證.要特別注意存放產品在正確的溫度范圍內.CTS晶振,石英晶體振蕩器,636晶振,636L3C012M00000晶振

6. EMI

當您考慮EMI時,低電源電壓建議使用（例如2.5V,1.8V,1.5V或0.9V）.此外,請事先咨詢我們有關的組合針對上述EMI的兩種對策.

7.超聲波清洗

當進行本目錄中產品的超聲波清潔時根據其安裝狀態和清潔條件等,該產品的晶體振蕩器可能會發生共振斷裂.在超聲波清潔之前,請務必檢查條件.

8.請將水晶時鐘振蕩器用于特殊用途時歡迎與我們聯系.

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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工作QQ:857950243

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636晶振 636L3C012M00000晶振 5032四腳有源晶體振蕩器

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