ECS晶振,32.768K晶振,ECX-12晶振,ECX-12L晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:2.0x1.2mm
ECS Inc.晶振集團(tuán)是一家私人控股的全球領(lǐng)先企業(yè),在維護(hù)全球日益增長(zhǎng)的高可靠性創(chuàng)新頻率控制設(shè)備需求方面處于領(lǐng)先地位.一流的研究公司和電子設(shè)備設(shè)計(jì)者,是全球領(lǐng)先的15家開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)創(chuàng)新頻率控制解決方案的石英晶體,貼片晶振,石英晶體振蕩器制造商,超過(guò)600家.ECS Inc晶振支持勞動(dòng)力在香港、韓國(guó)、韓國(guó)、煙臺(tái)、中國(guó)和美國(guó)的生產(chǎn)設(shè)施和物流中心超過(guò)225家.
ECS Inc晶振有大約100家聯(lián)合銷(xiāo)售辦事處和遍布全球15個(gè)國(guó)家的合作伙伴.我們有世界級(jí)的市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)、銷(xiāo)售、分銷(xiāo)、工程和客戶(hù)服務(wù)團(tuán)隊(duì),他們每天都參與一個(gè)全球性的技術(shù)網(wǎng)絡(luò),他們的焦點(diǎn)僅僅是為客戶(hù)提供最好的解決方案.
ECS晶振,32.768K晶振,ECX-12晶振,ECX-12L晶振,隨著科技日益高速的發(fā)展,電子元器件體積也越來(lái)越小,智能手機(jī),平板電腦等無(wú)線通訊器材,也隨著小型化,就在蘋(píng)果2016年推出智能手環(huán)以來(lái),各項(xiàng)智能手環(huán)通訊產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)陸陸續(xù)續(xù)的推出,因智能手環(huán)本身重量輕,體積小等原因,所以?xún)?nèi)部所使用的電子零件均是目前最新最小的產(chǎn)品.那么晶振又有那幾款會(huì)使用到智能手環(huán)里面呢?32.768K晶振目前SMD品種有幾款產(chǎn)品在智能手環(huán)中發(fā)揮最大的作用呢?以下幾款對(duì)比產(chǎn)品:愛(ài)普生晶振品牌FC-12M,精工晶體的品牌SC-20S精工晶振,西鐵城晶振的CM-212H,日本大真空晶體品牌DST210A等以上幾款32.768K均是目前市場(chǎng)上最為常用的小尺寸貼片晶振,外觀尺寸2.0*1.2*0.5mm體積還不足一粒米大小.
石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
ECS晶振規(guī)格 |
單位 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
ECS晶振規(guī)格 |
單位 |
ECX-12L晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
ECX-12晶振尺寸圖
ECX-12L晶振尺寸圖
在使用ECS晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):
產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1. 驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明石英晶體振蕩器所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,ECS晶振,32.768K晶振,ECX-12晶振,ECX-12L晶振
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2.
2. 振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻.
3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中晶振的負(fù)載電容不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.
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晶振系列
日本進(jìn)口晶振
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霧化片
貼片晶振
32.768K
- 32.768K有源晶振
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- 5.0x1.8晶振
- 4.1x1.5晶振
- 3.2x1.5晶振
- 2.0x1.2晶振
- 1.6x1.0晶振
- 1.2x1.0晶振
- 圓柱晶振
聲表面濾波器
石英晶振
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愛(ài)普生晶振
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- EPSON壓控溫補(bǔ)晶振
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溫補(bǔ)晶振
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