GXO-U108L/AI-33.333MHz,CMOS有源晶振,Golledge貼片晶振,GXO-U108L石英晶振
頻率:33.333MHz
尺寸:7.5 x 5.0 x 1.4mm
GXO-U108L/AI-33.333MHz,CMOS有源晶振,Golledge貼片晶振,GXO-U108L石英晶振
Golledge 在晶振制造領域擁有豐富的經驗和卓越的技術實力,以高品質和創新精神著稱。GXO - U108L 有源晶振經過了嚴格的質量檢測和性能驗證,從原材料的選擇到生產工藝的把控,每一個環節都遵循著嚴格的標準。其可靠的品質和出色的性能,贏得了眾多客戶的信賴,廣泛應用于通信、計算機、工業控制、汽車電子等多個領域。無論是在高溫、低溫、潮濕等惡劣環境下,還是面對復雜的電磁干擾,該石英晶體振蕩器都能保持穩定的性能,為電子設備的長期可靠運行提供堅實保障。
Golledge晶振的 GXO - U108L/AI - 33.333MHz 石英晶振,憑借精準的頻率輸出、CMOS 有源設計的優勢、適應現代生產的貼片封裝形式以及可靠的品牌品質,成為了電子設備中不可或缺的關鍵元件,為推動電子技術的發展和應用發揮著重要作用。
作為7050貼片晶振,GXO - U108L 采用了適合表面貼裝技術(SMT)的封裝形式。這種封裝形式具有尺寸小、重量輕的優點,能夠有效節省電路板的空間,滿足現代電子設備小型化、集成化的發展趨勢。同時,貼片封裝便于實現自動化生產,提高了生產效率,降低了生產成本。在大規模生產過程中,能夠快速、準確地將晶振安裝到電路板上,保證產品的一致性和可靠性。
GXO-U108L/AI-33.333MHz,CMOS有源晶振,Golledge貼片晶振,GXO-U108L石英晶振
Frequency range | 12.0kHz ~ 170MHz |
Dimensions | 7.5 x 5.0 x 1.4mm |
Storage temperature range | -55 to +125°C |
Supply voltage (VDD) | +3.3V (±0.3V) |
Supply current | 12mA max (≤32.0MHz) |
17mA max (>32.0 ~ 50.0MHz) | |
18mA max (>50.0 ~ 67.0MHz) | |
40mA max (>67.0 ~ 125MHz) | |
50mA max (>125 ~ 170MHz) | |
Logic levels | ‘0’ level = 10%VDD max |
‘1’ level = 90%VDD min | |
Start up time | 5ms max (≤32MHz) |
10ms max (>32MHz) | |
Waveform symmetry | 45:55 max (≤50.0MHz) |
40:60 max (>50.0MHz) | |
Driving ability | 10 LSTTL |
15pF CMOS輸出晶振 | |
Rise / fall time | 7ns max (<80.0MHz) |
4ns max (80.0 ~ 125MHz) | |
3ns max (125 ~ 170MHz) | |
Enable / disable function | Tristate (control via pad 1) |
10ms / 100ns | |
Stand-by current | 10µA |
Net mass | 135mg |

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GXO-U108L/AI-33.333MHz,CMOS有源晶振,Golledge貼片晶振,GXO-U108L石英晶振
所有石英晶振產品的共同點
1、抗沖擊
晶體產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免照射。
3、化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產品或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4、粘合劑
請勿使用可能導致產品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用產品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
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