ECS晶振,石英晶振,UM-1晶振,UM-5晶振,UM-4晶振
頻率:10M~90MHZ
尺寸:7.8x3.1mm
ECS Inc.晶振集團成為市場領導者提供創新、先進的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體頻率控制組件解決方案到電信、工業、公用事業、導航、汽車、電子、航空航天和醫療與一流的制造行業的基于石英晶體/過濾器,時鐘振蕩器、陶瓷諧振器/過濾器和其他基于壓電的產品.ECS inc .以迅速擴大的市場部門的多元化產品基礎,熱情關注客戶和市場趨勢,調動企業的力量,為世界各地的客戶提供一貫的卓越服務.
•工業應用例如監控、過程控制、RFID、庫存跟蹤、自動售貨監控、數據鏈接、條形碼閱讀設備
•商業應用程序,如門播音員、照明和水控制、安全與訪問系統、門控、遠程激活、記分牌、訂購和尋呼系統
•汽車應用例如遠程無鑰匙入口和輪胎壓力監測
•消費者產品,如電子玩具、家庭安全、門和車庫門、intercoms、氣象站和灌溉控制器
•醫療產品,如病人呼叫和監控系統、殘疾人輔助設備、遠程病人數據記錄和實時無線監控設備.
•網絡、存儲、4G BTS、女性細胞、視頻、Sonet / SDH、服務器、電信和工業監控系統、
ECS Inc集團擁有頂尖人才和技術,以及創新的產品開發理念,使其能夠解決復雜的客戶問題.石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓電水晶的批量生產在日本、中國、臺灣和韓國的世界級認證的制造設施.內部檢測和測試確保所有產品達到或超過ECS公司的質量保證標準.這些制造地點擁有最嚴格的質量管理認證,開始于ISO 9001 / 2008、同位素的ISO14001和AECQ產品的國際組織.
ECS Inc晶振有大約100家聯合銷售辦事處和遍布全球15個國家的合作伙伴.我們有世界級的市場營銷、銷售、分銷、工程和客戶服務團隊,他們每天都參與一個全球性的技術網絡,他們的焦點僅僅是為客戶提供最好的解決方案.
ECS Inc.晶振集團與世界各地的組織合作,幾乎每一個行業,以及每一個規模,從初創企業到全球財富500強組織.所使用到的晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器,有源晶振壓控晶振等元件遍布各行各業.
ECS晶振,石英晶振,UM-1晶振,UM-5晶振,UM-4晶振,插件晶體具有一致性良好,頻率穩定度高,耐抗震強,每批次出廠均采用24小時老化測試,產品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差,產品使用溫度高溫可達到+85°低溫可達到-40℃,產品被廣泛應用于比較高端的汽車電子產品,民用產品有家用電器,智能筆記本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等產品.
石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態.
ECSInc晶振規格 |
單位 |
UM-1晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
10MHZ~90MHZ |
標準頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
|
負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
|
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year
Max. |
+25°C,第一年 |
ECSInc晶振規格 |
單位 |
UM-4晶振,UM-5晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
30MHZ~90MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |

在使用ECS晶振時應注意以下事項:
以下是石英晶振電路設計匹配問題:
一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. (請參閱芯片組的規格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.
一個穩定的石英晶振振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯
(2)從起點到振蕩的停止點調整R的值.
(3)振蕩期間測量R的值.
(4)你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.
如果ECS晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:
降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL).
采用具有較低電阻(RR)的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.
當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.ECS晶振,石英晶振,UM-1晶振,UM-5晶振,UM-4晶振
但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.
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