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KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振

頻率：3.579M~28MHZ

尺寸：3.0x8.0mm

圓柱音叉型石英晶體諧振器產品具有以下幾種規格,∅3*8,∅2*6,圓柱晶振具有一致性良好,頻率穩定度高,耐抗震強,每批次出廠均采用24小時老化測試,產品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差,產品使用溫度高溫可達到+80℃低溫可達到-30℃，產品被廣泛應用到比較高端的汽車電子產品,民用產品有家用電器,智能筆記本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等產品.

訂購熱線：0755-27876565

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1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.

1963公司變更為合股公司組織.

1965開始大規模生產石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.

1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業.

1973年開設kurodasho廠（現在的西脅工廠）生產晶體管.

1974年開設川廠（現在的涼廠）是目前人造石英晶體,（SPXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產規模最大的.

1976年開設宮崎廠（目前九州大真空公司）為音叉型石英晶體諧振器生產,在加古川市完成新總部.

1977年成立和諧電子公司建立大真空（美國）有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.

1980年開設鳥取工廠（目前鳥取生產部）對晶體諧振器生產增加.同年開始生產石英晶體濾波器和晶振時鐘.

1981年建立大真空（香港）公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.

1983年大阪證券交易所二期上市.

1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠（目前德島生產部）作為人造石英晶體的穩定的生產基地,部分設備和石英諧振器,開始大規模生產光學低通濾波器.

1985年打開德島第二廠開始生產陶瓷產品,有源晶振,壓控振蕩器,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.

1987名古屋辦事處開業.開始的溫度補償晶體振蕩器（TCXO）生產和電壓控制晶體振蕩器（VCXO）.

1988建立大真空（新加坡）有限公司加強在東盟地區銷售.

1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產晶體諧振器.

1990-1991大阪證券交易所第一節上市.建立大真空（德國）公司加強在歐洲的銷售.

1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產.

1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001（國際標準化組織質量管理標準）.

1998（獲得QS9000質量標準/汽車質量保證管理體系.）

2000獲得ISO14001（環境管理體系由國際標準化組織）,獲得ISO / TS 16949（技術規范由國際標準化組織）.

2003擴大生產規模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿易有限公司加強在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強石英晶振,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等器件業務.

2010日本株式會社大真空KDS晶振建立大真空（泰國）有限公司.

2012日本株式會社大真空KDS晶振擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.

2013東京證券交易所第一節上市.

日本株式會社大真空KDS晶振所有的經營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規.為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰略聯系.

消除事故和環境方面的偶發事件,減少廢物的產生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應.

對我們的產品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環境.

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KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振,日本進口貼片晶振品牌【EPSON】日本愛普生【SEIKO】日本精工【KDS】日本大真空【CITIZEN】日本西鐵城【RIVER】日本大河【kyocera】日本京瓷32.768KHZ系列,在當今全球晶振市場說的上是質優價廉,產品本身外觀是多種化,體積有大有小,有二個腳SMD焊接模式,也有三個腳SMD焊接模式,一樣有四個腳焊接模式,還有時鐘模塊焊接模式,產品具有無源32.768KHZ,也有帶電壓模式的32.768KHZ晶體系列,產品應用范圍非常廣闊,比如多種電子消費類,手機應用,藍牙多功能播放器,無線通訊產品,平板電腦等多個領域,因32.768KHZ晶體本身外觀款式多元化,所以適合多個產品應用.并且滿足歐盟ROHS環保要求,晶體本身有重量輕,體積小,超薄型等多種優勢,得到市場認可.

石英晶振的切割設計：用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等.超小型石英貼片晶振晶片的設計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內,由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強,從而造成如若石英晶振晶片的長度或寬度尺寸設計不正確、使得振動強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導致產品在客戶端不能正常使用,晶振的研發及生產超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題,公司在此方面通過理論與實踐相結合,模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果.

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KDS晶振規格	單位	AT-38晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	3.579M~28MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +80°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.bzmfr.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF,10pF,12pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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AT-38 49 yijin-4 在使用KDS晶振時應注意以下事項:

插件型晶振安裝注意事項：

安裝時的注意事項導腳型晶振• 構造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).

• 修改插件晶振彎曲導腳的方法(1) 要修改彎曲的導腳時,以及要取出晶振等情況下不能強制拔出導腳,如果強制地拔出導腳,會引起玻璃的破裂,而導致殼內真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導腳時,要壓住外殼基側的導腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進行修改(參閱圖 4).

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彎曲導腳的方法(1) 將導腳彎曲之后并進行焊接時,導腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導腳的直線部位而將導腳彎曲,有可能導致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導腳焊接完畢之后再將導腳彎曲時,務必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分 (參閱圖7).

如果直接在外殼部位焊接,會導致殼內真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應注意將晶振平放時,不要使之與導腳相碰撞,請放長從外殼部位到線路板為止的導腳長度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長度(D).KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振

焊接方法焊接部位僅局限于導腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請不要對外殼進行焊接.另外,如果利用高溫或長時間對導腳部位進行加熱,會導致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請注意對導腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時間要控制在5秒以內 (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).

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AT-38晶振 3x8石英晶體 MHZ插件晶振 KDS晶振

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FMXW26T晶振,FMI石英晶體,圓柱晶振,美國進口晶振,32.768K晶振,時鐘晶振

FMI石英晶體中的FMXW26T晶振的頻率是32.768K，所以該晶振也叫32.768K晶振，其標準頻率容差為20PPM，是美國進口晶振。該晶振的標準工作溫度范圍是-10~60度，負載電容為7.5pF或者12.5pF，尺寸為2.0 x 6.0 mm，是圓柱晶振，時鐘晶振。2*6mm 尺寸的圓柱晶振是市場上需求量非常大的兩種插件晶振,大部分的進口的晶振廠家都是依靠這些圓柱插件形的音叉晶體發家致富,并成為聞名全世界的品牌, 2.0x6.0 晶振的用途廣泛,體積小,起振快,成本低,因為這些優勢很快便占據市場的大半份額,每年用掉的數量達 10 億顆以上。

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