大真空晶振,TCXO晶振,DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振
頻率:9.6M~52MHZ
尺寸:3.2x2.5mm
日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環境友好.
日本株式會社大真空KDS晶振集團設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創業時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設備生產銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應用產品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.
日本株式會社大真空KDS晶振發展史:
1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.
1963公司變更為合股公司組織.
1965開始大規模生產石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.
1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業.
1973年開設kurodasho廠(現在的西脅工廠)生產晶體管.
1974年開設川廠(現在的涼廠)是目前人造石英晶體,(SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產規模最大的.
1976年開設宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產,在加古川市完成新總部.
1977年成立和諧電子公司建立大真空(美國)有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.
1980年開設鳥取工廠(目前鳥取生產部)對石英晶體諧振器生產增加.同年開始生產石英晶體濾波器和晶振時鐘.
1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.
1983年大阪證券交易所二期上市.
1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠(目前德島生產部)作為人造石英晶體的穩定的生產基地,部分設備和石英諧振器,開始大規模生產光學低通濾波器.
1985年打開德島第二廠開始生產陶瓷產品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.
1987名古屋辦事處開業.開始的溫度補償晶體振蕩器(TCXO)生產和電壓控制晶體振蕩器(VCXO).
1988建立大真空(新加坡)有限公司加強在東盟地區銷售.
1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產晶體諧振器.
1990-1991大阪證券交易所第一節上市.建立大真空(德國)公司加強在歐洲的銷售.
1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產.
1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001(國際標準化組織質量管理標準).
1998(獲得QS9000質量標準/汽車質量保證管理體系.)
2000獲得ISO14001(環境管理體系由國際標準化組織),獲得ISO / TS 16949(技術規范由國際標準化組織).
2003擴大生產規模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿易有限公司加強在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等器件業務.
2010日本株式會社大真空KDS晶振建立大真空(泰國)有限公司.
2012日本株式會社大真空KDS晶振擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.
2013東京證券交易所第一節上市.
大真空晶振,TCXO晶振,DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振,溫補晶振(TCXO)產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.
KDS晶振型號 |
DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振 |
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輸出頻率范圍 |
9.6~52MHz |
|
標準頻率 |
16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
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電源電壓范圍 |
+1.7~+3.5V |
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電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz) |
|
待機時電流 |
-更多晶振參數信息請聯系我們http://www.bzmfr.cn |
|
輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負載 |
10kΩ//10pF |
|
頻率穩定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
- |
頻率控制極性 |
- |
|
啟動時間 |
2.0ms max. |
在使用大真空晶振時應注意以下事項
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論哪款溫補晶振,石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解超小體積TCXO晶振,石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.大真空晶振,TCXO晶振,DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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