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熱門關鍵詞 : SMD晶振溫補晶振KDS晶振霧化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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大真空晶振,TCXO晶振,DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振

頻率:9.6M~52MHZ

尺寸:3.2x2.5mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
訂購熱線:0755-27876565
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KDS-2

日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環境友好.

日本株式會社大真空KDS晶振集團設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創業時間為1959113,正式注冊成立是在196358,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設備生產銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應用產品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.

日本株式會社大真空KDS晶振發展史:

1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.

1963公司變更為合股公司組織.

1965開始大規模生產石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.

1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業.

1973年開設kurodasho廠(現在的西脅工廠)生產晶體管.

1974年開設川廠(現在的涼廠)是目前人造石英晶體,SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產規模最大的.

1976年開設宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產,在加古川市完成新總部.

1977年成立和諧電子公司建立大真空(美國)有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.

1980年開設鳥取工廠(目前鳥取生產部)對石英晶體諧振器生產增加.同年開始生產石英晶體濾波器和晶振時鐘.

1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.

1983年大阪證券交易所二期上市.

1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠(目前德島生產部)作為人造石英晶體的穩定的生產基地,部分設備和石英諧振器,開始大規模生產光學低通濾波器.

1985年打開德島第二廠開始生產陶瓷產品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.

1987名古屋辦事處開業.開始的溫度補償晶體振蕩器(TCXO)生產和電壓控制晶體振蕩器(VCXO.

1988建立大真空(新加坡)有限公司加強在東盟地區銷售.

1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產晶體諧振器.

1990-1991大阪證券交易所第一節上市.建立大真空(德國)公司加強在歐洲的銷售.

1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產.

1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001(國際標準化組織質量管理標準).

1998(獲得QS9000質量標準/汽車質量保證管理體系.

2000獲得ISO14001(環境管理體系由國際標準化組織),獲得ISO / TS 16949(技術規范由國際標準化組織).

2003擴大生產規模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿易有限公司加強在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等器件業務.

2010日本株式會社大真空KDS晶振建立大真空(泰國)有限公司.

2012日本株式會社大真空KDS晶振擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.

2013東京證券交易所第一節上市.

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大真空晶振,TCXO晶振,DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振,溫補晶振(TCXO)產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.

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KDS晶振型號

DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振

輸出頻率范圍

9.6~52MHz

標準頻率

16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz

電源電壓范圍

+1.7~+3.5V

電源電壓(Vcc

+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V

消耗電流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz

待機時電流

-更多晶振參數信息請聯系我們http://www.bzmfr.cn

輸出電壓

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

輸出負載

10kΩ//10pF

頻率穩定度

常溫偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

溫度特性

±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-40
~+85Option

電源電壓特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

負載變化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

長期變化

±1.0×10-6 max./year

頻率控制

控制靈敏度

-

頻率控制極性

-

啟動時間

2.0ms max.

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DSA DSB 211 221 SCM SCB

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在使用大真空晶振時應注意以下事項

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論哪款溫補晶振,石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.

3:化學制劑 / pH值環境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解超小體積TCXO晶振,石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.

4:粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬”,從而破壞密封質量,降低性能.

5:鹵化合物

請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.大真空晶振,TCXO晶振,DSB321SCM晶振,DSB321SCB晶振

6:靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

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YJ-6

深圳市億金電子有限公司    SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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QQ工作QQ:857950243

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home地址:廣東省深圳市寶安區107國道旁甲岸路

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貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
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溫補晶振(TCXO)產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.
日本KDS晶振,溫補晶振,DSB321SDA晶振,DSB321SDB晶振
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