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大真空晶振,石英晶振,DSX221SH晶振,DSX221S晶振

頻率：12M~54MHZ

尺寸：2.5x2.0mm

小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優勢,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具備優良的耐環境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27876565

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日本株式會社大真空KDS晶振集團設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創業時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設備生產銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應用產品,石英晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.

日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發石英晶振, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環境友好.

日本大真空株式會社,KDS晶振品牌實力見證未來,KDS集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有壓控振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補晶振的生產工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶體生產最大量的工廠,自從1993年在天津投產以來,技術更新從未間斷.

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大真空晶振,石英晶振,DSX221SH晶振,DSX221S晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內. yijin-2

KDS晶振規格	單位	民用級DSX221SH晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	12MHZ~54MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.bzmfr.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

KDS晶振規格	單位	工業級/汽車級DSX221SH晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	12MHZ~54MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +105°C工業級, -40°C ～ +150°C汽車級	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +105°C工業級, -40°C ～ +105°C汽車級	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.bzmfr.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

KDS晶振規格	單位	DSX221S晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	12MHZ~60MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規格說明,請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.bzmfr.cn
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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在使用KDS晶振時應注意以下事項:

晶體產品線路焊接安裝時注意事項

耐焊性：

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.大真空晶振,石英晶振,DSX221SH晶振,DSX221S晶振

（1）柱面式產品和DIP產品

晶振產品類型	晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶振引腳插件	手工焊接+300°C或低于3秒鐘請勿加熱封裝材料超過+150°C
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230°	+260°C或低于@最大值 10 s 請勿加熱封裝材料超過+150°C

(2)SMD產品回流焊接條件圖

用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷.請聯系我們以便獲取相關信息.

盡可能使溫度變化曲線保持平滑：

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

mphone 聯系人黃娜：18924600166

工作QQ:857950243

myt 貿易通：yijindz2014

tel 座機：0755-27876565

email 郵箱:yijindz@163.com

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mwx 微信：yijindz，公眾號：NDKcrystal

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DSX221SH晶振大真空晶振 2520無源石英晶體 DSX221S晶振

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