日本大真空晶體不愧為日本晶振行業的領頭羊,擁有先進的生產技術,完善的服務體系,創造了大量優異的晶振產品.2017年就有發布信息稱會在2018年推出幾款超小體積的貼片晶振,這不到了2018年所推出的的除了DX1008JS晶振,還有1008mm超小體積的溫補晶振和SPXO石英晶體振蕩器.下面億金電子要給大家介紹的就是此款DS1008JS晶振全球最小石英晶體振蕩器.
DX1008JS晶振 DS1008JS晶振
如果采用傳統結構,產品越小,在將石英晶體元件安裝在封裝中時,越難以確保諸如涂層精度和導電粘合劑的安裝位置之類的余量.而KDS晶振的DS1008JS晶振全球最小石英晶體振蕩器采用精細密封技術是鍵合技術,KDS晶振集團獨特的生產技術,由晶體和WLP（晶圓級封裝）的三個層的鍵合晶片,常規的結構等效的氣密性它被實現了.
DS1008JS石英晶體振蕩器由保持單元,而無需使用導電性粘接劑的結構允許所述振動部的整體結構,解決了由于體積改小導致的精度不穩定,以及導電粘合劑的安裝空間問題,實現了在耐沖擊性的改善.另一方面,DS1008JS晶振采用WLP使生產過程中的處理變得更加容易.此外,通過從清洗晶圓清洗到真空環境中的粘接,大大降低了質量風險.由于AT切割晶體器件的石英晶體器件變得頻率高,厚度薄,因此存在關于工藝質量和生產率的問題.
一個符號
標準值
條件
分鐘。
（典型值）。
最大。
單位
輸出頻率范圍
FO
1
-
100
兆赫
電源電壓
VCC
+1.6
-
+3.6
V
頻率允許偏差
f_tol
-100
-
+100
×10-6
-40至+125°C
-20至+70°C
-50
-
+50
-30
-
+30
-30至+85°C
-20
-
+20
-20
-
+20
-20至+70°C
當前消費
我CC
-
-
1.8
毫安
fo=24MHz，VCC=+1.8V，無負載
待機電流（＃1引腳“L”）
I_STD
-
-
0.01
毫安
輸出負載
L_CMOS
-
-
15
pF的
波形對稱
SYM
45
50
55
％
在50％VCC下，fo<60MHz
上升時間，下降時間
tr，tf
-
-
五
NS
10至90％VCC電平
輸出啟用時間
tPZL
-
-
2
MS
輸出禁用時間
tPLZ
-
-
200
NS
OE引腳1電平輸入電壓
VIH
VCC×0.8
-
-
V
OE引腳0電平輸入電壓
VIL
-
-
VCC×0.2
V
包裝單位（1）
3000pcs./reel(φ180）
項目DS1008JS石英晶體振蕩器
（包括室溫偏差）
（標準工作溫度范圍）
DS1008JS石英晶體振蕩尺寸僅有1.0x0.8x0.24mm,超級薄的厚度,壓倒性的薄型為世界上最小的有源晶振,并非采用傳統結構.可提供電源電壓+1.8V~3.3V,具有高頻率1M~100MHZ范圍,工作溫度-30℃~+85℃,具有三態功能,由于基波AT截止諧振器的非乘法輸出,高達100MHz的低抖動.1008貼片晶振可廣泛用于信息網絡相關產品,如高速和大容量高頻率所需的WiFi市場,有望擴展的數據中心,移動通信設備,近場無線模塊,可穿戴設備,汽車多媒體設備等.
此外,KDS晶振集團提供一個新的石英晶體器件安裝場景,如SiP模塊,可以通過實現壓倒性的薄形狀進一步擴展,并內置到IC封裝中提供價值.另外,因為它可以靈活地對應于封裝的端子設計,所以它是能夠形成包括與引線接合相對應的形狀的各種外部端子的產品.
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