名稱

CX1008

用途

智能手機、穿戴式終端

外形尺寸

1.0X0.8㎜

產品高度

0.30mm

頻率容許誤差

±10ppm

頻率溫度特性

±10ppm（-30℃～+85℃）

CI值（串聯電阻）

60ΩMAX（37.4MHz）

生產基地

京瓷晶體元件株式會社滋賀八日市事業所

額定頻率范圍(MHz)

32to80

尺寸大小(L×W×H:mm)

1.0×0.8×0.30

泛波次數

Fundamental

頻率偏差(25±3℃)

±10×10^-6

頻率溫度特性(以25℃為基準)

±10×10^-6(32to60MHz)
±15×10^-6(60to80MHz)

工作溫度范圍(*1)(℃)

-30to+85

儲存溫度范圍(℃)

-40to+85

等效串聯阻抗(額定頻率：以上～未滿)

Max.150Ω(32to37.4MHz)
Max.80Ω(37.4to48MHz)
Max.60Ω(48to80MHz)

驅動功率

10µW

負載電容

8pF

規格料號

STD-CIY-1

晶振規格

單位

8A晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

37.4MHZ~60MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-30°C～+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C～+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μWMax.

推薦:1μW～100μW

頻率公差

f_—l

±50×10^-6(標準),
(±15×10^-6～±50×10^-6可用)

+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.bzmfr.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30×10^-6/-20°C～+70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF,10PF

超出標準說明,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R₁

如下表所示

-40°C—+85°C,DL=100μW

頻率老化

f_age

±5×10^-6/yearMax.

+25°C,第一年

型號名稱

DX1008JS晶振

頻率范圍

48MHz

52MHz

80MHz

96MHz

120MHz

泛音順序

根本

負載能力

8pF,10pF,12pF

激勵程度

10μW（最大100μW）

頻率容差偏差

±20×10^-6（25°C時）

±100×10^-6（25°C時）

串聯電阻

最大100Ω

最大60Ω

最大40Ω

頻率溫度特性

±30×10^-6/-30至+85°C（參考溫度至25°C）

儲存溫度范圍

-40至+85°C

包裝單位（1）

3000個/卷（φ180）

DS1008JS晶振

一個符號

標準值

條件

分鐘.

（典型值）.

最大.

單位

輸出頻率范圍

FO

1

-

100

兆赫

電源電壓

V_CC

+1.6

-

+3.6

V

頻率允許偏差
（包括室溫偏差）

f_tol

-100

-

+100

×10^-6

-40至+125°C

-20至+70°C
（標準工作溫度范圍）

-50

-

+50

-30

-

+30

-30至+85°C

-20

-

+20

-20

-

+20

-20至+70°C

當前消費

我_CC

-

-

1.8

毫安

fo=24MHz,V_CC=+1.8V,無負載

待機電流（＃1引腳“L”）

I_STD

-

-

0.01

毫安

輸出負載

L__CMOS

-

-

15

pF的

波形對稱

SYM

45

50

55

％

在50％V_CC下,fo<60MHz

上升時間,下降時間

tr,tf

-

-

五

NS

10至90％V_CC電平

輸出啟用時間

tPZL

-

-

2

MS

輸出禁用時間

tPLZ

-

-

200

NS

OE引腳1電平輸入電壓

V_IH

V_CC×0.8

-

-

V

OE引腳0電平輸入電壓

V_IL

-

-

V_CC×0.2

V

包裝單位（1）

3000pcs./reel(φ180）