鴻星晶振有限公司于1979年成立,產(chǎn)品由專業(yè)石英晶振,貼片晶振,電阻器、電容器制造廠,公元1991年于臺(tái)灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開(kāi)始于中國(guó)大陸拓展生產(chǎn)基地,至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營(yíng)銷及FAE據(jù)點(diǎn)及十個(gè)營(yíng)銷代表處.

鴻星致力于提供客戶最優(yōu)異的質(zhì)量、服務(wù)及價(jià)值,專注于專業(yè)創(chuàng)新并鼓勵(lì)員工以團(tuán)隊(duì)合作及積極成長(zhǎng)的態(tài)度與時(shí)俱進(jìn).

鴻星晶振已經(jīng)成為全球從事石英頻率控制組件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)與表面黏著式(SMD)石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器系列產(chǎn)品之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與營(yíng)銷.

生產(chǎn)理念：

鴻星晶振的產(chǎn)品作為一個(gè)健康的心為客戶工作,因此我們投資建立一個(gè)有能力的團(tuán)隊(duì)和基礎(chǔ)設(shè)施,為我們所做的每一個(gè)產(chǎn)品.公司建立平臺(tái)有機(jī)的學(xué)習(xí)鼓勵(lì)跨職能團(tuán)隊(duì)的工作保持更好的環(huán)境和溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器技術(shù)改進(jìn).

環(huán)保理念：

鴻星晶振科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書(shū)面、辦法書(shū)之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述.本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù).

鴻星晶振科技堅(jiān)持在發(fā)展中保護(hù)、在保護(hù)中發(fā)展,積極探索環(huán)境保護(hù)新道路,切實(shí)解決影響科學(xué)發(fā)展和損害群眾健康的突出環(huán)境問(wèn)題,全面開(kāi)創(chuàng)環(huán)境保護(hù)工作新局面.

鴻星晶振提供從材料的選定到廢棄過(guò)程中考慮環(huán)境質(zhì)量的產(chǎn)品.加強(qiáng)制度建設(shè),深化環(huán)境監(jiān)管,向環(huán)境污染宣戰(zhàn),促進(jìn)經(jīng)濟(jì)與環(huán)境協(xié)調(diào)發(fā)展.

鴻星晶振,32.768K貼片晶振,ETST晶振,32.768KHz系列晶振產(chǎn)品多元化,外觀尺寸有多項(xiàng)選擇,并且支持無(wú)源以及有源晶振應(yīng)用,有一個(gè)很棒的是幾個(gè)知名晶振品牌之間產(chǎn)品可以交替替換,比如愛(ài)普生的FC-135,西鐵城的CM315D,精工的SC320S,KDS的DST310S這四款的32.768K外觀尺寸3.2*1.5*0.75mm均是一致,產(chǎn)品頻率,精度,負(fù)載都可以達(dá)到相同,所以消費(fèi)者在使用方面得到很到的保障,這幾款產(chǎn)品本身使用無(wú)鉛化,卷帶SMD包裝,產(chǎn)品一般應(yīng)用在智能手機(jī),控制模組,GPS導(dǎo)航模塊,小型藍(lán)牙對(duì)接產(chǎn)品等設(shè)備.

晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一

在使用鴻星晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問(wèn)題：

一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組. （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.鴻星晶振,32.768K貼片晶振,ETST晶振

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω.負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量

線路連接的電阻（R）與石英晶體串聯(lián)
（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值.
（3）振蕩期間測(cè)量R的值.
（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值.

如果晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過(guò)低驅(qū)動(dòng)電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來(lái)改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.

當(dāng)有信號(hào)輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅(qū)動(dòng)后端電路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請(qǐng)聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進(jìn)一步的幫助,如果你的問(wèn)題不能得到解決.系統(tǒng)無(wú)法運(yùn)行,因?yàn)榫w沒(méi)有足夠的輸出波形振幅.