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NDK晶振,溫補晶振,NT2016SE晶振

頻率:10M~52MHZ

尺寸:2.0x1.6mm

溫補晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,溫補晶振具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線:0755-27876565
QQ咨詢 點擊這里給我發(fā)消息 NDK晶振,溫補晶振,NT2016SE晶振

NDK-1日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振經(jīng)營范圍:晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售

經(jīng)營理念:

要認識到作為世界一流廠家的使命和責(zé)任,要始終在行業(yè)中起帶頭作用.

日本電波工業(yè)株式會社NDK晶振搶先取得社會需求,為客戶提供高質(zhì)量的服務(wù)與晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振.

追求使用更方便、更穩(wěn)定的發(fā)振源,創(chuàng)造更高的附加價值.

NDK晶振日本電波工業(yè)株式會社不畏失敗,向困難挑戰(zhàn),努力培養(yǎng)出能自我開發(fā)的人才.

通過工作發(fā)揚人格.

尊重個人,努力提高員工的生活水平.

以與關(guān)系公司、供貨商及包括地區(qū)社會在內(nèi)的共同繁榮來回報投資者.

致力于保護地球環(huán)境,擔(dān)負起責(zé)任.

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NDK晶振,溫補晶振,NT2016SE晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

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型號

NT2016SE晶振

輸出頻率范圍

10~52MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

16.368M/16.369M/19.2M/26M/33.6M/38.4M/52M

電源電壓范圍

+1.68~+3.5V

電源電壓(Vcc

+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V

消耗電流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz

待機時電流

-更多詳細參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.bzmfr.cn

輸出電壓

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

輸出負載

10kΩ//10pF

頻率穩(wěn)定度

常溫偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

溫度特性

±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-40
~+85Option

電源電壓特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

負載變化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

長期變化

±1.0×10-6 max./year

頻率控制

控制靈敏度

-

頻率控制極性

-

啟動時間

2.0ms max.

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NT2016SE_2.0_1.6 TCXO

日本電波2016溫補晶振型號表

特征

頻率范圍
(MHz)

頻率
溫度特性

NDK晶振型號

對應(yīng)寬溫的

1052

±0.5×10-6

NT2016SE晶振

帶有同一頻率的兩個輸出功能

1052

±2.0×10-6

NT2016SC晶振

+1.2V、E/D功能

2640

±0.5×10-6

NT2016SB晶振

帶有溫度感應(yīng)電壓輸出功能和E/D功能

1052

±0.5×10-6

NT2016SD溫補晶振

帶有AFC(頻率控制)功能

1052

±2.0×10-6

NT2016SA晶振

適用于高精度GPS

1052

±0.5×10-6

NT2016SA溫補晶振

適用于高精度GPS,E/D功能

1052

±0.5×10-6

NT2016SB晶振

具有Enable/Disable(Stand-by)功能

1052

±2.0×10-6

NT2016SB溫補晶振

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在使用NDK晶振時應(yīng)注意以下事項:

1:抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種溫補石英晶體振蕩器,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.

3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.NDK晶振,溫補晶振,NT2016SE晶振

4:粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振,溫度補償電壓輸出振蕩器所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.

5:鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6:靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

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國內(nèi)晶振分類:
Domestic Crystal
進口晶振分類:
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