NDK晶振,VCXO晶振,NV7050SF晶振,CMOS輸出壓控晶振
頻率:1.25M~62MHZ
尺寸:5.0x7.0mm
日本電波工業株式會社NDK晶振經營范圍:晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關產品的制造與銷售
NDK晶振日本電波工業株式會社已經建立和正在推動一項中期計劃的具體減排目標,以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因.它也有助于減少(抑制)CO2排放量,通過使用最先進的技術,實現最小化,以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗,以支持社會的需要.
日本電波工業株式會社NDK晶振的新概念的溫補晶振,石英晶體振蕩器器件.通過產品生命周期提高整體節能貢獻和環境績效的舉措.制造-環境友好生產—優化-提高性能/效率的節能貢獻—通過制造致密/復雜產品減少資源節約—環境消除/減少環境負荷物質—這些是倡議的支柱.
NDK晶振,VCXO晶振,NV7050SF晶振,CMOS輸出壓控晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.
NDK晶振型號 |
NV7050SF晶振 |
|
輸出頻率范圍 |
1.25M~62MHZ |
|
標準頻率 |
2.048MHZ/10MHZ/25MHZ/30.72MHZ/38.4MHZ/50MHZ/61.44MHZ |
|
電源電壓范圍 |
+1.68~+3.5V |
|
電源電壓(Vcc) |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
消耗電流 |
+1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz)/+2.5mA max.(f≦60MHz) |
|
待機時電流 |
-更多詳細參數請聯系我們http://www.bzmfr.cn/ |
|
輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負載 |
10kΩ//10pF |
|
頻率穩定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
日本電波7050壓控晶振型號
NDK壓控晶振型號
尺寸大小
頻率范圍
輸出規格
頻率
電壓
L
W
H
Min.
Max.
[×10-6]
[VCC]
NV7050SF壓控晶振
7.0
5.0
1.6
1.25
62
CMOS
±50
+3.3
122.88
NV7050SA晶振
7.0
5.0
1.6
62
170
CMOS
±50
+3.3
NV7050SA晶振(低相位噪聲)
7.0
5.0
1.6
100
200
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA貼片晶振(高溫范圍)
7.0
5.0
1.6
122.88
122.88
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA壓控振蕩器
7.0
5.0
1.6
80
170
LVPECL
±50
+3.3
(mm)
(MHz)
偏差
(V)
在使用NDK晶振時應注意
有源晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的NDK電壓控制晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.NDK晶振,VCXO晶振,NV7050SF晶振,CMOS輸出壓控晶振
機械處理
當有源晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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