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9B-30.000MAAE-B,TXC晶振,30MHz,HC-49S晶振,12pF,9B系列,插件晶振
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TXC晶振中的9B-30.000MAAE-B晶振，是9B系列晶振，該晶振的頻率是30MHz，負載電容為12pF，也是HC-49S晶振，我們一般也叫插件晶振。自臺灣晶技成立以來，便以卓越的技術實力、創新的研發能力，以及穩健的市場策略，逐步躍升為此領域的市場先驅之一。TXC對品質管理系統精益求精，以國際品質管理標準為基本要求，透過品質管理作業系統，追求世界級效率、效果之品質管理體系為目標。
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CWX825-30.0M,ConnorWinfield低抖動晶振,7050mm四腳貼片晶振
CWX825-30.0M,ConnorWinfield低抖動晶振,7050mm四腳貼片晶振，美國ConnorWinfield晶振，康納溫菲爾德晶振，型號：CWX8xx系列，編碼為：CWX825-30.0M，頻率：30MHz，工作電壓：5.0V，頻率穩定性：±50ppm，工作溫度范圍：-20℃至+70℃，小體積晶振尺寸：7.0x5.0mm安裝，四腳貼片晶振，有源晶振，CMOS輸出晶振，固定頻率晶體控制石英晶體振蕩器（XO）。設計用于需要緊密的頻率穩定性和低抖動的應用程序。表面安裝包是設計為高密度安裝。符合RoHS標準，應用于：移動通訊晶振，無線藍牙晶振，醫療設備，安防設備等應用。更多 +
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O 30.0-JT33-B-A-3.3-1.5-LF|JAUCH品牌|6G相關設備晶振
O 30.0-JT33-B-A-3.3-1.5-LF|JAUCH品牌|6G相關設備晶振,Jauch品牌,JT33進口晶振,有源晶振,O 30.0-JT33-B-A-3.3-1.5-LF晶振,溫補石英晶體振蕩器,3.2x2.5石英貼片晶振,TCXO晶振,頻率30MHz,電壓3.3V,頻率穩定性2.0ppm,工作溫度-30~80°C,高可靠性晶振,抗沖擊晶振,低老化晶振,6G相關設備晶振,專業視頻設備晶振,數據中心晶振,服務器和存儲系統晶振.更多 +
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ECS-ECS-300-8-36CKM-30MHz-10PPM-8PF-2520
ECS-ECS-300-8-36CKM-30MHz-10PPM-8PF-2520,美國ECS晶振,微型的ECX-2236是一個非常緊湊的SMD晶體。2.5 x 2.0 x 0.55 mm陶瓷封裝是當今SMD制造環境的理想選擇。低輪廓，2.5 x 2.0 mm足跡，擴展溫度范圍選項， RoHS兼容。更多 +
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FH3000007-30MHz-30PPM-20PF--20~70℃-DIODES-2520
FH3000007-30MHz-30PPM-20PF--20~70℃-DIODES-2520，臺產石英晶振,堅固的AT-cut晶體結構微型2.5 x 2.0mm陶瓷包裝可在帶和卷；8毫米帶，3000單位每卷無pb和RoHS/綠色兼容,4墊FH系列接縫密封裝置，安裝在標準的2.5 x 2.0mm內存包裝年齡范圍內。這些協議用于密集的塑料或小型PCB應用中的表面安裝。便攜式/手持式電腦,PCMCIA卡,筆記本電腦,藍牙,無線局域網,UWB,Zig,Bee,USB,GPS,硬盤,GSM，CDMA，GPRS.更多 +
- [億金快訊]艾博康ABM10-16.000MHZ-E20-T晶振編碼的詳細參數2018年11月27日 09:34
在大多數電子設備中,石英晶振晶體需要ASSP,MCU,RF芯片組和RTC.而艾博康晶振集團提供各種封裝尺寸的石英晶振晶體選項,不管是從頻率和性能條件（即工業級和汽車級）在眾多選項中,Abracon制造的XTALS都具有最低保證ESR和最低CL要求.
艾博康ABM10晶振型號
ABM10晶振
12至55MHz
8到20pF
±10ppm
±15ppm
±25ppm
±30ppm
±30ppm-10至60℃
-20至70℃
-30至85℃
-40至85℃
-40至125℃2.5 x 2.0mm 4腳貼片
ABM10-165晶振
38.4至38.4MHz
10到10pF
±0ppm的
-30至85°C
2.5 x 2.0mm 4腳貼片
ABM10-166-12.000MHZ晶振
12至12MHz
8到8pF
為±10ppm
-20至70°C
2.5 x 2.0mm 4腳貼片
ABM10-167-12.000MHZ晶振
12至12MHz
8到8pF
為±10ppm
-40至85°C
2.5 x 2.0mm 4腳貼片
ABM10W晶振
16至50MHz
4到8pF
±10ppm
±15ppm
±20ppm
±25ppm
±30ppm
±50ppm
±0ppm
±0ppm0至50°C
0至70°C
-20至70°C
-30至70°C
-30至85°C
-40至85°C
-40至105°C
-40至125°c2.5 x 2.0mm 4腳貼片
美國Abracon晶振所提供的晶振從汽車和工業級ABRACON XTALDDU都已通過TS 16949認證生產線生產,AEC-Q200認證和PPAP符合要求達到3級.Abracon晶振頻率從32.768kHz到62.5MHz,封裝選項可小至2.0x1.6mm,選擇產品支持高達150°C的操作.
艾博康ABM10晶振參數
艾博康ABM10晶振編碼
Manufacturer Part Number 原廠編碼 Manufacturer廠家 Series型號 Frequency頻率 Size/Dimension 尺寸 ABM10-166-12.000MHZ-T3 Abracon LLC ABM10 12MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-16.000MHZ-E20-T Abracon LLC ABM10 16MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-24.000MHZ-E20-T Abracon LLC ABM10 24MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-24.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 24MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-32.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 32MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-30.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 30MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-25.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 25MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-18.432MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 18.432MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-19.200MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 19.2MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-22.1184MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 22.1184MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-26.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 26MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-16.3676MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 16.3676MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-16.384MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 16.384MHz (2.50mm x 2.00mm) ABM10-20.000MHZ-D30-T3 Abracon LLC ABM10 20MHz (2.50mm x 2.00mm) - 閱讀（215） 標簽：
- [行業新聞]艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ溫補晶振原廠代碼2018年11月14日 09:19
億金電子代理歐美進口晶振,提供高精度,高可靠性產品,包括提供晶振原廠編碼以及晶振技術資料等.以下IDT晶振編碼,億金電子所整理的艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ溫補晶振原廠代碼,均采用6腳表貼式,采用HCMOS輸出,歡迎各界朋友收藏選用.
FXTC-HE73TC-126.7MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-50MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-5MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-50.1MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-35.328MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-125MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-5MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-155.52MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-6.144MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-19.6608MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-40.96MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-250MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-16MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-128MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-48MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-4.112MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-135MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-29.5MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-16.128MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-125MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-47MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-25.00125MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-133.33MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-60MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-25MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-22.5792MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-150MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-250MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-2MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-64MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-33.3MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-37.5MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-20.48MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-20MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-26MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-133MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-133MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-160MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-2.048MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-140MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-32MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-44MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-16.5MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-50.022MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-19.2MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-135MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-2MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-54MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-16.5MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-49.152MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-30MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-40.96MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-6MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-120MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-68.75MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-38.88MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-38.88MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-16.384MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-16.128MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-16.384MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-2.048MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-170MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-16.67MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-66MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-16MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-35.328MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-50MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-24.576MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-19.44MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-160MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-2.176MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-55MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-18MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-148.5MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-13MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-47MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-14.318MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-45MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-25MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-162MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-4.112MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-66.66MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-18.432MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-30MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-16.67MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-65MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-19.44MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-20MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-14.7456MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-18MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-22.5792MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-19.2MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-19.6608MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-15MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-29.5MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-27.12MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-32MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-48MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-148.5MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-18.432MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-14.318MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-120MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-33.3MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-44MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-25.00125MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-15MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-14.7456MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-126.7MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73TC-162MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-50.022MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-2.176MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-156.25MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-140MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-128MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73TC-52MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-45MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-64MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73TC-60MHZ進口溫補晶振FXTC-HE73PR-65MHZ美國溫補晶振FXTC-HE73PR-26MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-54MHZ低功耗溫補晶振FXTC-HE73PR-68.75MHZ溫補晶振FXTC-HE73PR-55MHZ溫補晶振FXTC-HE73TC-6.144MHZ進口溫補晶振
- 閱讀（146） 標簽：
- [行業新聞]SUNTSU晶振集團符合行業標準封裝尺寸的SAW濾波器型號2018年07月17日 11:14
- SUNTSU SAW濾波器采用行業標準封裝尺寸,SMT式,體積從3x3mm到19.5x6.5mm均有生產.包括4個引腳和6個引腳,插件式封裝.SUNTSU聲表面濾波器提供30MHZ~150MHZ的寬中心頻率范圍,為RF SAW濾波器系列提供100MHZ至2.7GHZ的寬頻率范圍.IF SAW濾波器的通帶帶寬為4kHz至40MHz,RF SAW濾波器的帶寬帶寬為75kHz至80MHz.以下SUNTSU聲表面濾波器常用型號列表,更多型號參數歡迎登入億金官網查看,或來電0755-27876565咨詢.
- 閱讀（173） 標簽：
- [行業新聞]石英晶振選型應該考慮的十大因素2018年01月25日 10:39
- 石英晶振在電路中猶如心臟般的存在,提供型號頻率信號,因此在選擇使用晶振時要考慮的事項很多,為了在產品中使用獲得最大工作效益,石英晶振選型應該考慮的十大因素,大家應該好好看看.
1、工作頻率
晶振的頻率范圍一般在1到70MHz之間.但也有諸如通用的32.768K鐘表晶體那樣的特殊低頻晶體. 晶體的物理厚度限制其頻率上限. 歸功于類似反 向臺面(inverted Mesa)等制造技術的發展,晶體的頻率上限已從前些年的30MHz提升到200MHz.工作頻率一般按工作溫度25°C時給出. 可利用泛頻晶體實現200MHz以上輸出頻率的更高頻率晶振.另外,帶內置PLL 頻率倍增器的晶振可提供1GHz以上的頻率.當需要UHF和微波頻率時,聲表波(SAW)振蕩器是種選擇.
2、封裝
晶振有許多種封裝形態.過去,最常用的是金屬殼封裝,但現在,它已被更新的表貼(SMD晶振)封裝取代.命名為HC-45、HC-49、HC-50或HC- 51的金屬封裝一般采用的是標準的DIP 通孔管腳. 而常見的SMD 封裝大小是5×7mm. 源于蜂窩手機制造商的要求,SMD封裝的趨勢是越做越薄.
3、頻率穩定性
該指標量度在一個特定溫度范圍(如：0°C到 70°C 以及-40°C到 85°C)內,實際頻率與標稱頻率的背離程度.穩定性也以ppm給出,根據晶振種類的不同,該指標從10到 1000ppm變化很大(圖 2).
4、頻率的精度
頻率精度：1PPM=1/1,000,000 頻率精度也稱頻率容限,該指標度量石英晶振,有源晶振實際頻率于應用要求頻率值間的接近程度.其常用的表度方法是于特定頻率相比的偏移百分比或百萬分之幾(ppm).例如,對一款精度±100ppm的 10MHz晶振來說,其實際頻率在10MHz±1000Hz之間.(100/1,000,000)×10,000,000=1000Hz它與下式意義相同：1000/10,000,000=0.0001=10-4或0.01%.典型的頻率精度范圍在1到 1000ppm,以最初的25°C 給出.精度很高的晶振以十億分之幾(ppb)給出.
5、 老化
老化指的是頻率隨時間長期流逝而產生的變化,一般以周、月或年計算.它于溫度、電壓及其它條件無關.在石英晶振上電使用的最初幾周內, 將發生主要的頻率改變.該值可在5到10ppm 間.在最初這段時間后, 老化引起的頻率變化速率將趨緩至幾ppm.
6、工作電壓
許多晶振工作在5V直流.但新產品可工作在1.8、2.5和 3.3V.
7、輸出
有提供不同種類輸出信號的晶振.輸出大多是脈沖或邏輯電平,但也有正弦波和嵌位正弦波輸出. 一些常見的數字輸出包括：TTL、HCMOS、ECL、PECL、CML 和LVDS.許多數字輸出的占空比是40%/60%,但有些型號可實現45%/55%的輸出占空比.一些型號還提供三態輸出.一般還以扇出數或容抗值(pF)的方式給出了最大負載.
8、啟動時間
該規范度量的是系統上電后到輸出穩定時所需的時間.在一些器件內,有一個控制晶振輸出開/閉的使能腳.
9、可調性(Pullability)
該指標表度的是通過對一個壓控晶振(VCXO)施加一個外部控制電壓時, 該電壓所能產生的頻率改變. 它表示的是最大可能的頻率變化, 通常用ppm表示. 同 時還給出控制電壓水平,且有時還提供以百分比表示的線性值.典型的直流控制電壓范圍在0到 5V.頻率變化與控制電壓間的線性關系可能是個問題.
10、相噪
在頻率很高或應用要求超穩頻率時,相噪是個關鍵指標.它表度的是輸出頻率短時的隨機漂移.它也被稱為抖動,它產生某類相位或頻率調制.該指標在頻率范圍內用頻譜分析儀測量,一般用dBc/Hz表示相噪. 石英晶振,貼片晶振輸出的不帶相噪的正弦波被稱為載波,在頻譜分析儀上顯現為一條工作頻率上的垂直線.
相噪在載波之上和之下產生邊帶. 相噪幅度表示為邊帶功率幅值(Ps)與載波功率幅值(Pc)之比,以分貝表示： 相噪(dBc)=10log(Ps/Pc)相噪的測量以載波的10kHz或100kHz頻率增量計算, 但也用到低至10Hz或 100Hz的其它頻率增量.相噪度量一般規整為與1Hz相等的帶寬.取決于載波的頻率增量,典型的相噪值在-80到-160dBc 之間. - 閱讀（105） 標簽：
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