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TXC晶振,壓控晶振,CR晶振,CR-122.880MBE-T晶振

頻率：50M~200MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27876565

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臺灣晶技TXC晶振公司為一專業之頻率組件與感測組件供貨商,自1983年成立以來,始終致力于石英晶體相關諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等頻率組件之研發、設計、生產與銷售,并因應市場應用與需求,透過自主核心技術,成功開發出各式感測組件(Sensor),產品可廣泛使用于行動通訊、穿戴式裝置、物聯網、服務器儲存設備、車用、電信、醫療…等市場.

臺灣TXC晶體科技本于‘善盡企業責任、降低環境沖擊、提升員工健康’的理念,執行各項環境及職業安全衛生管理工作;落實公司環安衛政策要求使環境暨安全衛生管理成效日益顯著,不僅符合國內環保、勞安法令要求,同時也能達到國際環保、安全衛生標準.2003年通過ISO14001環境管理系統驗證,秉持“污染預防、持續改善”之原則.

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TXC晶振,壓控晶振,CR晶振,CR-122.880MBE-T晶振,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態功能,應用：SDH/ SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/無鉛.VCXO,壓控晶體應用：調制解調器,ADSL網絡控制器,無線基站,程控交換設備智能手機,筆記本晶振等

貼片晶振晶片邊緣處理技術：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩定.

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TXC晶振型號		CR晶振
輸出頻率范圍		50~200MHz
標準頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+1.68~+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機時電流		-更多詳細參數信息請聯系我們http://www.bzmfr.cn
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30~+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40~+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

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TXC_CR_5.0_3.2 CMOS VCXO

在使用TXC晶振時應注意

電處理：

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振,有源晶體振蕩器,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.TXC晶振,壓控晶振,CR晶振,CR-122.880MBE-T晶振

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗有源晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,壓控晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

機械處理

當有源晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.

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CR晶振 CR-122.880MBE-T晶振 122.88M高頻晶體

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: 臺灣TXC晶振,差分晶振,壓控晶振,CN晶振; 差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點,差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲存溫度非常寬,客戶實驗證明工作溫度可以到達低溫-50度高溫到100度,頻率穩定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動晶振能達到1V,起振時間為0秒,隨機抖動性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.