科技發展創新,每一天電子產品,智能設備都在進步,變得更加智能,集成度更高.身體傳感器可以監測我們的健康,SMD晶振可以使車可以自己開車,網絡家庭可以在需要時啟動.

  一直以來Maxim公司都在不斷努力為廣大用戶提供更好的服務,解決工程問題并賦予設計創新能力,使我們的客戶能夠創造塑造我們世界的產品.我們的創新和高性能模擬和混合信號產品和技術使系統更小巧,更智能,具有更高的安全性和更高的能效.

  Maxim擁有先進的設備,優異的產品,從我們的石英晶體,貼片晶振,傳感器平臺到嵌入式安全,電源管理,接口,通信等IC解決方案,我們的技術使設計創新成為可能.

   億金電子國內有名的晶振供貨商,代理多個晶振品牌,包括KDS晶振,NDK晶振,TXC晶體,CTS晶振以及Maxim晶振等.所提供的晶振產品均符合歐盟環保要求,無鉛無害,并且獲得ISO14001國際環保認證.以下為DS4077L-DC0壓控晶振編碼對應的型號表格,提供多個頻率選擇.

   Maxim晶振從1983年成立至今為廣大用戶提供了各類晶振產品,包括SPXO晶體振蕩器,溫補晶振,SMD壓控晶體振蕩器,OCXO有源晶體振蕩器,差分輸出晶振等.封裝尺寸齊全,滿足各大領域用戶選擇.

  小型SMD晶振是當下智能產品的主流,隨著客戶追求小型,便捷式的需求,小體積貼片晶振越加受歡迎.我們都知道晶振在幾乎所有電子產品中都會用到,包括石英晶體諧振器,溫度補償晶體振蕩器,壓控晶振以及32.768K音叉晶體等.

  億金電子是國內有名的晶振晶體供貨商,同時代理歐美晶振品牌,為用戶提供更多更優異的產品.下列表格中是福克斯的超小型1612溫補晶振型號介紹以及FOX晶振原廠編碼,歡迎廣大用戶收藏選用.

  VCXO晶振自身帶有電壓控制功能,京瓷晶振提供3225,5032,7050晶振等封裝供應客戶選擇.具有低功耗,低抖動,高頻率,高溫等特點.以下是億金電子進口晶振代理商整理的京瓷VCXO晶振型號表,歡迎收藏選用.

   韓國SUNNY晶振成立于1966年9月15日,主要為生產銷售石英晶體振蕩器,貼片晶振,SUNNY石英晶體,小體積晶振晶體,晶體諧振器,晶體濾波器,恒溫晶體振蕩器等產品.SUNNY 晶振發展至今50多年,一直為用戶提供高性能,低功耗產品.

   三呢電子為滿足人工智能,物聯網,大數據,移動和先進的信息和通信技術發展對小型電子元件的需求,不斷研發制造,高可靠性,微小型,高精度的石英貼片晶振,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器等產品.

   韓國三呢晶振發展歷史

   基于通過降低成本提高盈利能力,Sunny Electronics專注于開發可以引領下一代市場的多功能,高附加值產品和質量改進.并且制造具備高性能,低老化,寬溫度的有源晶振,車載晶振,石英晶體振蕩器,用汽車電子,工業機械設備,并獲得AEC-Q200認證.

   我們將通過不斷創新進一步拓展現有業務,并通過各種挑戰和學習,努力發現未來的新增長業務. 我們將盡最大努力履行客戶和我們的股東給予我們的愛和信任的社會責任.

Silabs晶振英文全稱為Silicon Labs,是美國知名石英晶體,貼片晶振,有源晶體振蕩器制造商.擁有先進的生產技術以及儀器設備,下面是Silabs高性能差分晶振參數特點介紹.

美國Silicon Labs的UltraSeries™高性能有源晶振,差分石英晶體振蕩器采用我們最新的第四代DSPLL技術,在任何高達3GHz的輸出頻率下提供超低抖動,低相位噪聲時鐘.該系列包括具有業界領先的相位抖動的差分晶振,差分晶體振蕩器,低至80fs（飛秒）,適用于光網絡,100G+光模塊,寬帶,數據中心,廣播視頻,測試和測量,mil/aero和FPGA應用.

Silabs高性能差分晶振高性能,低損耗,高精度是下一代定時應用的理想選擇,可提供系統設計人員所需的頻率靈活性,卓越的可靠性和超快的交付周期.Ultra系列振蕩器提供工業標準3.2x5mm和5x7mm封裝的單雙,四和I2C選項,可實現與傳統XO有源晶振和VCXO壓控晶振的兼容性.

Silabs高性能差分晶振業界最低抖動,最寬頻率范圍,任何頻率,擁有XO/VCXO系列:卓越的性能+最大的靈活性=更加安心

業界領先的抖動性能

晶振頻率范圍寬,頻率分辨率<1ppb

提供單,雙,四,I2C配置

I2C支持100kHz（標準）,400kHz（快速模式）和1MHz（快速模式加）更新速率

減少部件號：定義4個啟動頻率,使用I2C在啟動后生成任何頻率

出色的電源噪聲抑制（-80dBc典型值）可確保電噪聲系統中的低抖動操作

出色的溫度和總穩定性（-40至85℃）

貼片晶振封裝尺寸3.2x5mm和5x7mm

根據產品需求可提供3.3,2.5,1.8V多種電源電壓

具有多種差分輸出方式包括：LVDS,LVPECL,HCSL,CML,CMOS和雙CMOS

Silabs高性能差分晶振卓越的可靠性,每臺設備100％的電氣測試

Silabs差分晶振樣品可提供1-2周的交貨時間

適用于任何頻率的一致,超低抖動性能

收集的測量值超過700個常用頻率

無論整數頻率還是分數頻率,都具有超低抖動

使用我們的振蕩器相位噪聲查找工具可獲得特定頻率的相位噪聲圖,請問聯系我們0755-27876565.

晶振是智能電子數碼產品應用最多的一種頻率元件,晶振可以分有源晶振和無源晶振,億金電子接下來要給大家所介紹到的是有源晶振.有源晶振根據不同產品性能需求歸為TCXO溫度補償晶振,VCXO電壓控制晶振,OCXO恒溫控制晶振,SPXO時鐘晶體振蕩器,VC-TCXO壓控溫補晶振,LVDS輸出差分晶振等.下面單獨講下適用于定義固定頻率壓控晶振的特性

VCXO晶振（壓控晶體振蕩器）是一種晶體振蕩器,它包括變容二極管和相關電路,允許通過在該二極管上施加電壓來改變頻率.這可以通過簡單的時鐘或正弦波晶體振蕩器,TCXO（產生TC/VCXO-溫度補償電壓控制晶體振蕩器）或烤箱控制類型（產生OC/VCXO恒溫箱控制的電壓晶體振蕩器）來實現.

VCXO晶振有幾個特點.在生成VCXO壓控晶體振蕩器規范時,這些適用于定義固定頻率晶體振蕩器的特性.VCXO特有的規范中的主要內容如下：

偏差-這是控制電壓變化引起的頻率變化量.例如.5伏控制電壓可能導致100ppm的偏差,或0至+5伏控制電壓可能導致150ppm的總偏差.

控制電壓-這是施加到VCXO輸入端子的變化電壓,導致頻率變化.它有時被稱為調制電壓,特別是如果輸入是AC信號.

傳遞函數（有時稱為斜率極性）-表示頻率變化的方向與控制電壓的關系.正傳遞函數表示增加的正控制電壓的頻率增加,如圖1A所示.相反,如果頻率隨著更正（或更負）控制電壓而減小,如圖1B所示,傳遞函數是負.

線性度-普遍接受的線性定義是MIL-PRF-55310中規定的.它是VCXO晶振頻率誤差和總偏差之間的比率,以百分比表示,其中晶振頻率誤差是從通過輸出頻率與控制電壓的曲線繪制的最佳直線的最大頻率偏移.如果壓電晶體振蕩器的規格要求線性度為±5％且實際偏差總共為20kHz,如圖2所示,則輸出頻率與控制電壓輸入的曲線可能會相差±1kHz（20kHz±5％）.最佳直線“A”.這些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲線,其線性度在±5％以內.

在圖3中,最佳直線“A”的最大偏差為-14ppm,總偏差為100ppm,因此線性度為±14ppm/100ppm=±14％.

產生圖2所示特性的VCXO晶振使用超突變結變容二極管,偏置以適應雙極性（±）控制電壓.產生圖3特性的VCXO使用具有施加的單極控制電壓的突變結變容二極管（在這種情況下為正）.良好的VCXO壓控晶振設計要求電壓與頻率曲線平滑（無間斷）和單聲道.所有維管晶振的VCXO系列都具有這些特性.

調制速率（有時稱為偏差率或頻率響應）-這是控制電壓可以改變的速率,從而導致相應的頻率變化.通過施加峰值等于指定控制電壓的正弦波信號,解調VCXO壓控晶振的輸出信號,并以不同調制速率比較解調信號的輸出電平來測量.調制速率由Vectron晶振定義為最大調制頻率,它產生的解調信號在100dB調制信號的3dB范圍內.雖然非晶體控制的VCO可以以非常高的速率進行調制（輸出頻率大于10MHz時大于1MHz）,但VCXO晶振的調制速率受到晶體物理特性的限制.雖然VCXO晶振的調制輸入網絡可以擴展到在100kHz以上產生3dB響應,但由于晶振,解調信號在調制頻率大于20kHz時可能會出現5-15dB的幅度變化.

斜率/斜率線性/增量靈敏度-這可能是一個令人困惑的區域,因為這些術語經常被誤用.如果要將斜率除以總控制電壓擺幅,則斜率應該被稱為平均斜率.對于圖2中所示的VCXO壓控晶振,平均斜率為-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量靈敏度,通常誤稱斜率線性度意味著頻率與控制電壓的增量變化.

因此,雖然該示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲線的任何段的斜率可以與-2kHz/伏相當大.事實上,對于最佳直線線性度為±1％至±5％的VCXO,增量靈敏度約為（非常近似）最佳直線線性度的10倍.因此,具有±5％最佳直線線性度的VCXO壓控晶振可以在每伏特的基礎上表現出±50％的斜率變化.因此,讀取“斜率：2kHz/伏特±10％”的規范需要澄清,因為它可能意味著平均斜率或增量靈敏度.如果它旨在定義平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的總偏差,并且更恰當地說明了“總偏差：20kHz-10％.”但是,如果意圖頻率改變為每個增量電壓必須介于1.8kHz和2.2kHz之間,高線性VCXO壓控晶體振蕩器被指定為±10％增量靈敏度與±1％最佳直線線性相關.該規范的元素應為“增量靈敏度：每伏2kHz±10％”.

其他設計考慮因素

穩定性-石英晶振晶體是一種高Q器件,是晶體振蕩器的穩定性決定元素.它固有地抵抗被“拉”（偏離）其設計頻率.為了產生具有顯著偏差的VCXO,振蕩器電路必須“去Q”.這導致晶體在其頻率與溫度特性,老化特性及其短期穩定性（和相關的相位噪聲）特性方面的固有穩定性降低.因此,最好不要指定比絕對要求更寬的偏差,這符合用戶的最佳利益.

鎖相-當VCXO晶振用于鎖相環應用時,偏差應始終至少與VCXO本身及其鎖定的參考或信號的組合不穩定性一樣大.Vectron維管晶振集團生產一系列VCXO晶振,特別適用于鎖相環應用（在隨后的頁面中有描述）.但是,如果系統的開環穩定性要求比該產品系列中的更嚴格,則可能需要TC/VCXO.對于最高穩定性開環要求,適當的振蕩器可以是此cata-log的TCXO溫補晶振或OCXO恒溫晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO選項,而不是VCXO壓控晶體振蕩器部分中描述的那些.

基本振蕩器頻率-基本模式晶體（通常為10-25MHz）允許最大的偏差,而第三泛音晶體（通常為20-70MHz）允許偏差約為適用于基波的1/9.因此,所有寬偏差VCXO晶振（偏差大于±100到±200ppm）都使用基本晶體;較窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶體,其選擇通常取決于線性度和穩定性等規格.很少有更高的泛音,因此更高頻率的晶體可用于VCXO.因此,輸出頻率高于或低于適當晶振頻率的VCXO包括倍頻器或分頻器.

一般注意事項-雖然任何類型的石英晶體振蕩器都是如此,但對于VCXO壓控晶體振蕩器而言,用戶不要過度指定產品.VCXO壓控晶振的特殊問題在于增加的偏差導致穩定性降低,這可能導致需要更寬的偏差,進一步降低穩定性,導致所需偏差的螺旋式增加.

億金電子專業提供石英晶振,貼片晶振,有源晶振,晶體濾波器等頻率元件,擁有完善的服務體積,優秀的銷售精英團隊,為用戶打造舒適的采購服務體驗.億金電子提供石英晶體振蕩器,各種封裝規格,包括臺灣,日本,美國,英國等知名晶振品牌,常用頻點均有備貨,歡迎廣大用戶咨詢選購0755-27876565.

  安基LVPECL輸出差分晶振型號

Photo	Series	Dimension	Frequency Range	RoHS	REACH	Data Sheet
	SMEN-751晶振	7.0*5.0*1.4 mm	13.500 ~ 160.000MHz	V	V
	SMEN-531晶振	5.0*3.2*1.3 mm	13.500 ~ 156.250MHz	V	V
	SMEN-321晶振	3.2*2.5*1.1 mm	13.500 ~ 156.250MHz	V	V

   安基LVPECL輸出差分晶振原廠代碼

   億金電子代理臺灣進口晶振,日本進口晶振,美國進口晶振,包括AKER晶振,TXC晶振,KDS晶振,NDK晶振,CTS晶振,IDT晶振,Abracon晶振等知名品牌.進口晶振種類繁多,石英晶體,陶瓷諧振器,晶體濾波器,壓控晶振,溫補晶振,差分晶體振蕩器等,能滿足低,中,高各大市場需求.更多安基差分晶振信息歡迎咨詢億金電子0755-27876565.

   Crystek晶振CO27VH15DE-02-10.000恒溫晶振CCHD-575-50-80.000石英晶體振蕩器CXOH20-BP-10.000溫補晶振CCSO-914X-1000.000晶體濾波器C3290-15.360有源晶振CVPD-037X-122.88有源晶振CVHD-037X-122.88壓控晶振CVHD-037X-80電壓控制晶振CVHD-037X-100壓控晶體振蕩器PPRO30-10.000溫補晶振CCSO-914X3-1000晶體濾波器C3290-16.000石英晶體振蕩器CCLD-033-50-125.000石英晶體振蕩器CVSS-945-50.000電壓控制晶振CO27VS12DE-02-10.000恒溫晶振CE3391-8.000美國進口晶振PPRO30-40.000溫補晶振CVCSO-914-1000晶體濾波器C3290-16.384美國進口晶振CCPD-033-50-156.250美國進口晶振CVSS-945-80.000壓控晶體振蕩器CVHD-950-100.000壓控晶振PPRO30-13.000溫補晶振CCSO-014-1090.000晶體濾波器C3290-18.432有源晶振CCLD-033-50-156.250有源晶振603281壓控晶振CVHD-950-80.000電壓控制晶振CVS575-622.080美國Crystek晶振C3390-32.000美國進口晶振PPRO30-26.000溫補晶振CVCSO-914-245.760晶體濾波器C3390-30.000石英晶體振蕩器

   CCPD-033-50-161.1328石英晶體振蕩器CVHD-950-125.000電壓控制晶振CVHD-037X-125壓控晶體振蕩器CVT25-38.400溫補晶振CCPD-034-50-200.000美國進口晶振CVHD-950-60.000壓控晶體振蕩器CVPD-037X-153.6壓控晶振CVT25-33.600溫補晶振CCSO-914X-245.760美國Crystek晶振CVT25-13.000溫補晶振CVS575S-500.000美國Crystek晶振C3390-32.768晶振CCHD-575-50-100.000有源晶振601964壓控晶振CVPD-034-50-155.52電壓控制晶振CVT25-19.200溫補晶振RFPRO33-500.000美國602019電壓控制晶振CVSS-945X-100.000壓控石英晶體振蕩器CVT25-26.000溫補晶振RFPRO33-1000.000美國Crystek晶振CVHD-950-74.250壓控晶體振蕩器CVSS-945-100.000壓控晶振CO27VS05DE-02-10.000恒溫晶振CCPD-033-50-77.760有源晶振CVHD-950-74.175800壓控晶振CVHD-950-122.880電壓控制晶振PPRO30-19.200溫補晶振CVS575-500.000美國Crystek晶振CVHD-950-54.000壓控晶體振蕩器CVHD-950X-100壓控晶振C3290-14.318180美國進口晶振602017壓控晶體振蕩器CCSO-914X-250.000晶體濾波器CCPD-033-50-77.760石英晶體振蕩器CVHD-950-70.000電壓控制晶振

石英晶振是一種用于穩定頻率和選擇頻率的電子元件,已被廣泛地使用在無線電話、載波通訊、廣播電視、衛星通訊、儀器儀表等各種電子設備中.那么晶振通常都有哪些封裝尺寸類型呢？
晶振一般可以分為插件晶振（Dip）和貼片晶振（SMD）.

貼片型是按尺寸大小和腳位來分類：例如7050晶振（7.0*5.0）、6035晶振（6.0*3.5）、5032晶振（5.0*3.2)、3225晶振（3.2*2.5）、2520晶振（2.5*2.0）等.從不同的應用性能來分,有源晶振又可分為普通晶振（OSC）、溫補晶振（TCXO）、壓控晶振（VCXO）、恒溫晶振（OCXO）等.

   TXC晶振是臺灣知名頻率元件生產制造商,擁有先進的儀器設備以及生產理念.明白市場所需,與時俱進所生產石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器具有超小,超薄,精度穩定,低損耗等優勢特點.

    臺灣TXC晶振中文名稱晶技晶振,是國內廣大用戶指定晶振品牌.TXC生產石英晶振,有源晶振,具有1.8V~5V電壓供應不同領域用戶選擇.TXC石英晶體高超的生產技術,一流的服務,優秀的團隊是對客戶最有力的保障.

IDT集團旗下的有源晶振產品數量和種類非常之多,尤其是3225晶振,2520晶振之類的常規封裝尺寸,例如型號是4HF晶振這顆料,年產量至少在7000萬顆以上,出口到五十多個不同的國家和地區.每一款晶振型號后面還有很多規格,挑選合適的參數才能使自己的產品發揮出最好的作用,反之有可能會引起不起振,誤差大等不良效果.為避免發生這種尷尬的局面,億金電子特意收集了IDT石英晶體振蕩器4HF晶振6腳4HF050000Z3AACXGI晶振編碼對照表,其中頻率包括50MHZ,100MHZ,106.25MHZ三種頻率,頻率穩定度均在±50ppm范圍,更多相關參數信息歡迎查看億金技術支持.

來自美國加州圣何塞市的IDT晶振公司是近年來比較成功打開中國市場的歐美進口晶振品牌,享有崇高的國際地位,在歐洲,南美和北美洲地帶晶體振蕩器產品銷量非常火爆.專注于高端有源晶振的創新發展和實際應用,是一家專業為高級科技智能產品提供頻率元件解決方案的生產制造商,所有的石英晶體振蕩器,壓控晶振,差分晶振都是依據世界環保概念和質量認證生產.

石英晶體的密度為265g/cm3,莫氏硬度為7,透明晶瑩。在常溫常壓下,石英晶體不溶于水和三酸(鹽酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3)屬于溶解度極小的物質。但在高溫高壓下,再加入適量助溶劑,如碳酸鈉(Na2CO3)或氫氧化鈉(NaOH)等,就可大大提高其溶解度。這個特點被用于石英晶體的人工培育。

氫氟酸(HF)、氟化銨(NH4F)與氟化氫銨(NH4HF2)是石英貼片晶振,石英晶體良好的溶解液,這在石英晶片加工中是很有用的。石英晶體是一種良好的絕熱材料,導熱系數比較小(見表1.3.1)

表1.3.1石英晶體的導熱系數

室溫附近,沿z軸方向的導熱系數是沿垂直于z軸方向導熱系數的二倍左右與z軸成q角的任一方向的導熱系數可由下式求得(1.3.1)Kφ=K3cos²φ+K1sin²φ,其中K1是垂直于Z軸的導熱系數,K3是平行于z軸的導熱系數石英晶體的膨脹系數也很小,且沿z軸方向的線膨脹系數a3約為沿垂直于z軸方向線膨脹系數a1的1/2(見表1.3.2)。

表1.3.2石英晶體的線膨脹系數值

若已知a1和a3,由下式可求出與Z軸成φ角的任一方向的線膨脹系數aL：al=a3+(a1-a3)sin²φ (1.32)

在室溫附近:aL=(7.48+623sin²φ)×10-6 (1.33)

并可由a1和a3求得體膨脹系數ar：ar=2a1+a3 (1.3.4)

由于石英晶體的熱膨脹系數較小,因此可用于精密儀器中。但當它被加熱時, 體膨脹系數會發生很大變化。在溫度達573℃時,石英晶體由a石英晶體轉變為B石英,體積急劇增大。石英晶體諧振器內部產生的較強的機械應力可能會造成裂隙和雙晶,這是在石英晶體元件的加工中要注意避免的。

石英晶體還是一種良好的絕緣體,其電阻率可由下式求得：p=Be-AT;式中,p為電阻率,T為絕對溫度,e為自然對數的底,A等于1.15×104B為相應的常數。平行于z軸方向的B=3000,垂直于z軸方向的B為平行于z軸方向的1/80。B值除與晶體結構有關外,還與沿z軸方向孔道中堿金屬雜質(K+、Na+)的存在有關。表1.3.3列出了晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器,石英晶體在不同溫度下的電阻率,單位為ohm. cn。

表1.3.3石英晶體在不同溫度下的p(ohm.cm)

石英晶體介電常數(描述材料介電性質的量,是電位移D與電場強度E的一個比例系數)的各向異性不很明顯,平行于z軸的介電常數ε3=4.6,垂直于z軸的介電常數ε1=4.5。在電場作用下,電介質發熱而消耗的能量叫介質損耗,通常以損耗角的正切值(tg6)來表示其損耗的大小。有源晶體振蕩器,比如溫補晶振,壓控晶振,有源石英晶體的介質損耗較小,tg6<2×10-4因此用它作電氣材料具有高穩定性。

石英晶體雖不像諸如彈簧、橡皮筋那樣的物體,振動日時能看到明顯地形變,但是它仍然服從彈性定律(胡克定律),并且可以通過全息照相看到它形變的情況。當然,石英晶體的形變更復雜些,描述更困難些,這將在第二章中進一步講述。

某些電介質由于外界的機械作用(如壓縮、拉伸等)而在其內部發生變化產生表面電荷,這種現象叫壓電效應。具有壓電效應的電介質也存在逆壓電效應,即如果將具有壓電效應的介質置于外電場中,由于電場的作用,會引起介質內部正負電荷中心位移,而這位移又導致介質發生形變,這種效應稱為逆壓電效應。

正像某些其它晶體(如酒石酸鉀鈉KNaC4H4O6.4H2O、鈦酸鋇 BaTio3等等)那樣,貼片有源晶振,石英晶體也具有壓電效應。由于其結構的特殊性,不是任何方向都存在壓電效應的,只有在某些方向,某些力的作用下才產生壓電效應。

例如:當石英晶體受到沿x軸方向的力作用時,在x方向產生壓電效應,而y、z方向則不產生壓電效應,當石英晶體受到沿y軸方向的力作用時,在x方向產生壓電效應,而y、z方向也不產生壓電效應。若受到沿z軸方向的力作用時,是不產生壓電效應。因此又稱x軸為電軸,y軸為機械軸。利用石英晶體的壓電效應可制造多種高穩定性的頻率選擇和控制元件,這將在以后各章逐步講述。

石英晶體也與其它一些物質(如方解石CaCO3、硝酸鈉NaNO3晶體等)那樣具有雙折射現象,即一束光射入石英晶體時,分裂成兩束沿不同方向傳拓的光其中一束光遵循折射定律,叫做尋常光或稱“0”光,另一束光不遵循折射定律,叫做非尋常光,又稱“e”光,如圖1.3.1所示,尋常光在石英晶體內部各個方向上的折射率mo是相等的,而非尋常光在石英晶振,石英晶體的內部各個方向的折射率n0卻是不相等的。

例如:對于波長為5893A的光,石英晶體的n0=1.54425,最大的ne=1.5536。石英晶體雖然具有雙折射現象,但當光沿z軸方向入射時,不發生雙折射現象,所以又稱z軸為光軸石英晶體還具有旋光性。即平面偏振光(光振動限于某一固定方向的光)沿z軸方向通過石英晶體后,仍然是平面偏振光,但其振動面卻較之原振動面旋轉了一個角度。

圖1.3.1石英晶體的雙折射

石英晶體的光學性質被應用到制造各種光學儀器和石英片加工工藝中。

從六十年代起開展了石英晶體,SMD晶振元件輻射效應的研究工作,在此做一些簡單的介紹。

由于宇宙射線的輻照和核武器爆炸,地球周圍存在高能粒子和y射線、X射線等輻射。這些輻射對石英晶體及其器件都有很大的影響,無色透明的石英晶體經放射線照射后會變為煙色,石英晶體元件被輻照后,會使頻率發生變化,穩定性下降,等效電阻升高。

一般認為,石英晶體被γ射線和高能粒子轟擊后,會產生結構空穴和色心,這是由于堿金屬離子(A1+3和Na+)的存在所引起的。因此,要提高石英晶體抗輻射的能力,首先要減少和消除有源恒溫晶振,差分晶振,石英晶體中的上述雜質。

一方面選擇最佳籽晶和生長條件;另一方面可使用“電清除”的方法驅逐晶體中的雜質。有人做過這樣的實驗:用z向厚度為1cm的樣片,加溫到450~470℃,加電壓1500-1700V/cm,通過晶體的電流為250μA,20分鐘后則降為20μA,這時在負極表面出現由堿金屬雜質形成的乳白色薄層。顯然,這是一種高溫、高壓排除晶體中金屬離子等雜質的工藝過程。經過這種“電清除”的人造石英晶體制成的石英晶體元件就具有良好的抗輻射性能。

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