Silicon晶振產品包括石英晶體振蕩器,SMD晶振,溫補晶體振蕩器,OCXO恒溫晶體振蕩器以及多種高頻率晶體振蕩器等.Silicon石英晶體振蕩器的整體穩定性如何？Silicon所生產的產品具有低功耗,高精密,高性能等優勢特點.

Silicon XO晶體振蕩器的總穩定性規定了XO的中心頻率在所有工作條件下可偏離其標稱值的最大值,通常包括溫度穩定性,初始精度,70℃下20年老化,負載牽引和VDD變化.電源變化和負載變化是不太重要的因素,通常在0.1ppm范圍內,并且這些穩定性因素通常從XO石英晶體振蕩器數據表中省略.

時鐘振蕩器通常使用印刷在陶瓷基板上的厚膜電路.分離元件焊接或環氧樹脂到電路.如果焊接,必須使用高溫焊料完成后,以防止組件在時鐘焊接到PC板時松動.集成電路是通常以DIE形式和引線鍵合,或采用SOIC型封裝并焊接到位.一直以來大多數石英晶體,有源晶體振蕩器使用高頻切割（AT,BT或SC）,晶體毛坯（磁盤）安裝在基板上沒有將晶體密封在二級包裝中.水晶安裝硬件包括實心金屬阻止彈簧到薄金屬基座.對于大多數應用程序,硬件有一些“給予”似乎最適合機械沖擊,機械振動和熱沖擊.基材安裝在金屬集管上,并有一個電阻焊接的金屬蓋.

其他更復雜的振蕩器,如TCXO溫補晶體振蕩器,VCXO壓控晶體振蕩器和OCXO恒溫控制晶體振蕩器,使用了許多不同的技術.雖然最近一些較簡單的VCXO和TCXO已經使用了專用IC和其他IC高科技技術將它們小型化為與時鐘類似的封裝,大多數仍然使用通用印刷電路板,含鉛IC和密封水晶.它們是一個相當大的金屬底座,帶有金屬蓋擰緊或焊接到底座上.密封整個封裝并不重要,因為晶體內部密封.時鐘晶體振蕩器有兩種封裝尺寸;一個是混合DIP,行間距為0.300英寸14引腳兼容,另外是相同的,除了它是8引腳兼容.通常只有4個角銷因為電氣或機械目的不需要其他引腳（見圖11）.

晶體振蕩器根據不同領域的產品需求被分為TCXO溫補石英晶體振蕩器,VCXO電壓控制晶體振蕩器,OCXO溫度控制晶體振蕩,VC-TCXO壓控溫補晶體振蕩器,SPXO時鐘晶體振蕩器,差分輸出晶體振蕩器等.然而這些石英晶體振蕩器同樣可以進行小分類,以下是億金電子對于你沒聽說過的TCXO晶振4種分類介紹.

標準TCXO溫補晶振具有相當多的性能質量.一些最常見的性能數據總結如下:

TCXO PPM性能:TCXO溫度性能優于普通晶體振蕩器.通?？梢钥吹?/span>10到40倍改善的數字.在0至70℃的溫度范圍內,優于±1.5ppm的數字難以實現,因為它們屬于成本顯著增加的高精度類別.

功耗:鑒于所需的額外電路,TCXO晶振的功耗將大于普通石英晶體振蕩器.此外成本更高.還應該記住,振蕩器啟動后需要一段時間才能使振蕩器穩定下來.取決于設計,這可以是100ms的量級,或者可能更長.

電源要求:實際電源要求取決于設備.許多電源采用3V電源供電,可能只需2mA,但這取決于一般類型,制造商和所選的特定器件.

  村田是日本有名的電子元件制造商,所生產的陶瓷晶振在世界上數一數二,多年來一直不斷研發創新更多高質量的產品.早在多年前利用自身豐富的專業知識,獨特的封裝技術研發制造了一系列石英晶振,包括小型SMD晶振,晶體振蕩器等,具有小體積,高精度,低功耗等特點.

  精密TCXO晶振（溫度補償晶體振蕩器）是一種自身帶有溫度補償功能的帶電壓晶振,TCXO晶振與網絡基礎設施的OCXO晶振相比,可實現相同的頻率精度.

  為了實現與4G和5G的高精度同步,村田晶振正在開發頻率穩定性為Stratum3級或更高級別的晶振產品.不僅具有溫度補償功能,并且具有電壓控制功能.除了可選的Vc功能外,還可以從限幅正弦或CMOS中選擇輸出波形.

  村田精密TCXO溫補晶體振蕩器產品規格

系列	尺寸（mm）*	頻率	溫度變化	工作溫度范圍
Cliping Sine  具有Vc功能	5.0×3.2×1.5	10到50MHz	±0.2ppm的	-40°C至85°C
Cliping Sine  沒有Vc功能	5.0×3.2×1.5	10到50MHz	±0.2ppm的	-40°C至85°C
CMOS  具有Vc功能	5.0×3.2×1.5	10到50MHz	±0.28ppm	-40°C至85°C
CMOS  無Vc功能	5.0×3.2×1.5	10到50MHz	±0.28ppm	-40°C至85°C

  村田精密TCXO溫補晶體振蕩器的優勢

  5G需要更精確的定時裝置,但是在OCXO晶振中存在高成本,尺寸和功耗等問題.因此,村田制作所將繼續提高TCXO晶振的準確性,以創造不再需要OCXO的環境.村田制作所的精密TCXO晶體振蕩器具有與OCXO晶體振蕩器同樣具備高溫度特性,在-40ºC至85ºC的溫度范圍內,精度為+/-200ppb.該產品可確保G.8262在EEC（以太網設備時鐘）中所需的保持和自由運行的準確性.

  村田TCXO晶振滿足市場需求提供提供頻率10M~50MHZ范圍,具有低電源電壓,低抖動等特點.村田精密TCXO溫補晶體振蕩器應用：基站（SmallCell/eNodeB/gnodeB）,交換機/路由器（IEEE1588/PTP/SyncE）,無線設備/無線電設備等.

  為了承受更惡劣的環境,村田晶振公司現在正在開發具有更寬溫度范圍的石英貼片晶振產品.除小型電池外,該產品還適用于使用IEEE1588/PTP或同步以太網的高精度同步系統.

   7Z-38.400MDG-T溫補晶振7L-40.000MCS-T臺灣進口晶振8P26000003溫度補償晶振7Z38471001溫補晶體振蕩器7Z-26.000MDG-T溫補晶體振蕩器7W99000001貼片晶振7X50000008石英晶振7W24073001進口有源晶振8W-12.000MBB-T有源晶振8P26070001溫補石英晶振7Q-20.000MBN-T溫度補償晶振AC01077001石英晶振7X50000005晶振7W24000030臺灣晶技晶振7P-26.000MBP-T溫度補償晶振7WA1200001臺灣晶技晶振7C-48.000MBB-T臺晶晶振7C25070001晶振TD-14.31818MDE-T臺產晶振7WA0000008臺灣進口晶振7P-25.000MBP-T溫補晶振7C80000014石英晶體振蕩器7C-25.000MBB-T貼片晶振7W24700035臺產晶振TD02000001石英晶體振蕩器8P26070004臺灣TCXO晶振7Q-24.000MBN-T溫補石英晶振7P-19.200MBP-T溫補石英晶振7WA0000010有源晶振7C-27.000MBB-T臺灣進口晶振7C25000141低電源電壓晶振TDA0077001臺晶晶振7Z26000001晶振7Q-24.000MBG-T臺灣TCXO晶振7C-33.3330MBB-T有源晶振7C25000187低老化晶振TC-8.192MDE-T臺灣晶技晶振7XZ-32.768KDE-T石英晶振7Q-27.000MBG-T溫補晶振7Q19201001臺灣TCXO晶振7CA0000009臺產晶振TA-40.000MDE-T晶振TD-12.000MBD-T臺灣晶技晶振7N-38.400MBP-T溫補晶體振蕩器7C83330001臺晶晶振7C-44.000MBB-T石英晶體振蕩器7W-8.000MBB-T貼片晶振7Q-38.400MBG-T溫補晶體振蕩器7Q-16.000MCG-T臺灣TCXO晶振7C25002005高性能晶振7N-40.000MBP-T溫度補償晶振7W-50.000MBB-T臺灣進口晶振7Q-40.000MBG-T溫度補償晶振7Q13000022溫補石英晶振7WA2500007進口有源晶振7W-60.000MAB-T臺灣晶技晶振7C25077004石英晶振

   TD-14.7456MBE-T低電源電壓晶振7W-24.576MBA-T有源晶振7Q-12.800MCG-T溫補石英晶振8N04020001進口有源晶振7C27000012貼片晶振TD-20.000MDE-T低老化晶振7X-19.200MBA-T石英晶體振蕩器TC-80.000MBE-T進口有源晶振7Q19204003溫補晶振6U27000082低電源電壓晶振8N24020001臺產晶振7C27000014臺灣進口晶振TD-22.1184MBE-T高性能晶振TD-24.576MBD-T臺晶晶振7Q-20.000MCG-T溫補晶振7Q20002001溫補晶體振蕩器BB-100.000MCE-T低老化晶振8N26070002低電源電壓晶振7C33000057有源晶振7N24570001溫補晶體振蕩器7Q24002001溫度補償晶振BB-106.250MCE-T高性能晶振8N26070003低老化晶振7W24070010石英晶體振蕩器TA-44.000MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T進口有源晶振7X-26.000MBA-T高性能晶振8W62570002高性能晶振7W25000041臺晶晶振TB-80.000MDE-T貼片晶振TC-12.000MBD-T臺產晶振7X-25.000MBA-T晶振7Z26020001臺灣TCXO晶振BB-166.000MCE-T貼片有源晶振7X50072003晶振7W33300026臺灣晶技晶振TB22500001臺灣進口晶振7X-30.000MBA-T低電源電壓晶振7X-48.000MBA-T石英晶振7Z26021001溫補晶振BF-156.250MCE-T貼片有源晶振7X34080001低電源電壓晶振7W48070010進口有源晶振7W-18.432MBE-T有源晶振7X-12.000MBA-T低老化晶振7L-19.200MCS-T貼片晶振7X38180001低老化晶振7X33380003臺產晶振7W20000025石英晶體振蕩器7L40081002溫補石英晶振BB-125.000MCE-T貼片有源晶振7X48000009高性能晶振7W20000034臺晶晶振

NDK晶振一直不斷研發創新緊跟市場腳步,總能滿足各種應用需求.所生產晶振材料均選擇無鉛無害符合國際ROHS標準.多年來憑借自身的獨特生產技術占領市場,以質量贏得廣大用戶辛辣,長期合作伙伴超過上百家.下面要給大家介紹的是NDK新型溫補晶體振蕩器NR3225SA晶振.

   日本NDK晶振所推出的最適用于高精度時間基準器件的NR3225SA晶振, 采用的是3225封裝,為8個表貼裝腳位,超薄的厚度為1.0mm,具有小型,高精密,低功耗,高性能等特點.更多NDK晶振詳細信息歡迎咨詢億金電子0755-27876565.

1880年法國物理學家居里兄弟發現了壓電效應。當在石英晶體的某個固定的方向加上壓力后,晶體的內部就產生電極化現象,并且在對應的兩個表面上分別產生正負電荷。當去除所加的壓力后,石英晶振晶體表面的正負電荷又會消失,恢復到原來沒有加壓力的狀態;當所加的壓力改為拉力后,晶體表面產生的正負電荷的極性也會隨之改變。石英晶振晶體表面所產生的電荷量與所加的壓力或拉力的大小成正比。這種將機械能轉化為電能的現象就稱為正壓電效應。

相反,如果在石英晶體的極化方向上外加交變電場時,就會使晶體產生膨脹或縮小的機械變形。當去掉所加的交變電場后,該石英晶振晶體的機械變形也隨之消失,恢復到原來的狀態。這種電能轉變為機械能的現象稱為“逆壓電效應”.自然界中雖然有很多晶體都具有上述壓電效應,但是石英貼片晶振晶體結構簡單,做成的振蕩器精度高,頻率穩定,因此是比較理想的材料。

圖2-1是正壓電效應和逆壓電效應的示意圖。表示某一非中心對稱的壓電石英晶體在某一平面上的投影,當其兩側受到一定外力時的情況。其中(a)表示當石英晶振晶體不受外力時,正電荷與負電荷的中心重合。晶體的電極化強度為0,晶體表面就不帶電荷。(b) 表示在(a)中的晶體兩側加上壓力后,產生電極化現象。即晶體發生壓縮變形使得正電荷與負電荷的中心分離。為此,石英晶振晶體就顯示有電偶極距,電極化強度就不再等于0晶體表面分別出現了正、負電荷。(c)中則表示將晶體兩側的壓力改為拉力后,因為石英貼片晶振晶體產生膨脹變形后正電荷與負電荷的中心分離方向與(b)中的正好相反,所以晶體兩側表面所帶的正、負電荷情況也正好相反。

如果在石英晶振晶體兩側的表面鍍上金屬電極后, 當在其表面加上壓力或拉力時,都可以利用儀表測得晶體兩側表面的電位差。只是金屬電極上由于靜電感應產生的電荷與石英晶體表面出現的束縛電荷極性相反。如(d)、(e) 所示,它們分別表示(b)、(c)在加壓力的面或加拉力的面鍍上金屬電極的情況。當施加壓力或拉力的方向和產生電位差的方向一致時,稱為縱向壓電效應。也有一些壓電材料,施加壓力或拉力的方向和產生電位差的方向是垂直的,這種現象則被稱為橫向壓電效應。相反,如果壓電石英晶體在電場中,出于電場的作用,使石英晶振晶體正電荷與負電荷的中心發生分離。這種極化現象則會導致石英晶體,石英晶體振蕩器的變形,這就是電致變形,也就是逆壓電效應.

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晶振作為測量元件時的重要性能參數

石英晶振本身具有很多性能參數,除了前面所提及的串聯諧振頻率、并聯諧振頻率外,還有制造公差、拐點溫度等,已經有很多文獻對此作了論述但對于測量來說,選用石英晶體的重要原因是因為它的高頻穩定性和極小的振幅。所以本文只對晶體的品質因數、頻率一電流特性、頻率一溫度特性進行了論述。

  晶體的品質因數Q是晶體的最重要參數。在一定程度上,當其他條件相同時,Q值越高晶體振蕩器的頻率穩定度越高,石英晶振晶體的品質因數Q是由晶體的動態參數決定的,即：

其中ω為測試系數。

晶振的品質因數通常不作規定,對于標準部件,Q值通常在20000-200000之間,精密晶體可高達5×10°,這比傳統的微懸臂的Q值要高100-1000倍。

石英晶體諧振器的頻率一電流特性,就是激勵電平和諧振頻率的關系,它是由石英晶振的物理特性決定的。激勵電平通常以晶振的耗散的功率、流過晶振的電流以及晶振兩端的電壓來量度,晶振電流的變化使其串聯諧振頻率發生交化。石英晶振的諧振頻率相對變化與晶振電流的關系,可以用下面的近似關系表示：

其中D是振的電流常數

從上述關系式可以看出,當激勵電平增大時,產生了以下影響:(1)頻率產生了漂移,長期穩定性變壞。石英晶振晶振的彈性常數發生了變化,因此引起了頻率的漂移,隨著晶振的激勵電流增高,晶振的頻率穩定性顯著下降。(2)晶振溫度增加。當晶振的激勵電平過高時,使得石英貼片晶振被加熱到熱平衡的溫度也引起了頻率變化。(3)產生了寄生振蕩。(4)等效電阻加大。內部分子運動加劇,使得等效電阻加大,Q值下降。

在實際測量中,當激勵電流過大時,石英貼片晶振振蕩的幅值過大,導致測量的精度下降,同時不易控制樣品表面與針尖之間的距離,所以一般不能采用較高的激勵電流。但是激勵電平也不能過小,否則由于噪聲電平的限制,使瞬態穩定性變壞,這樣獲得的圖像質量就比較差。

晶振的另外一個值得注意的參數是晶振的頻率一溫度特性,所謂晶振的頻率一溫度特性就是石英晶振的諧振器的頻率隨溫度變化而變化的特性。晶振的工作溫度變化時,晶格變形,從而使得其串聯諧振電路發生變化。石英晶體諧振器在溫度較窄的范圍中,具有較小的溫度系數,這就是說頻率受溫度的變化的影響比較小。但隨著溫度變得較低(<50°C)和變得較大時(>80°C)時,石英諧振器的頻率隨著溫度的變化有較大的變化。在國外的文獻中已經有報道將晶振放在真空、低溫、強磁場的環境下進行測量,這時晶振的頻率將與常溫時有

明顯的不同,而且石英晶體諧振器切型不同,晶振頻率的變化方向也不同,所以在實驗室應該對測試溫度和環境加以控制。同時由于測試環境的變化,如何保持儀器的穩定性, 也是一個值得注意的問題。

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  福克斯石英晶振采用無鉛無害材料生產,并且符合歐盟ROHS環保指令.FOX石英晶振所做產品均符合國際質量管理體系認證,并獲得美國UL,C-TPAT認證, 國際QS-9000,ISO-9001:2008,TS16949:02,ISO14001諸多品質認證.

    億金電子提供FOX石英晶體2016,2520,7050封裝FX252BS-20.000晶振部分型號編碼.型號包括C7BQ晶振,FX252B晶振,FX216B晶振等,體積從2016mm貼片晶振~7050mm貼片晶振.均為4腳焊接模式,精度從30PPM~50PPM范圍.
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