晶振在指定的溫度范圍之外是否能夠正常工作?

是! 例如,如果在-10到+ 60°C范圍內指定晶振晶體,它將在-40到+ 85°C范圍內無任何問題地執行,但有可能超出其指定的穩定性.如果應用程序僅需要穩定的頻率而不是準確的頻率,這可能無關緊要.

什么是最常見的石英晶體切割?

最為常見的石英晶體AT切割,從1M~200MHZ晶振大部分都是AT切割型.當然這是指的相對于石英棒的Z軸的標稱角度.切割角度決定了頻率/溫度性能,通常由晶體制造商選擇.

為什么指定晶振的工作溫度范圍很重要?

晶振溫度可以分為工業級,汽車級,消費級等,使用石英晶振,貼片晶振如果溫度明顯超出規定的溫度范圍,則可能會導致石英晶振晶體損壞.

解釋基頻晶體和泛音晶體之間的差異?

基頻晶體以由石英坯料的尺寸確定的頻率振蕩.泛音晶體在基波的第3,第5或第7倍運行.該晶體專門設計用于在這些模式下運行.

考慮把通孔晶振改為SMD晶振我需要考慮哪些問題?

這取決于應用程序.如果例如晶體是可拉的,即可以通過電氣裝置改變晶體的負載電容來改變頻率,那么這可能難以實現.例如,條形毛坯SMD晶體具有比HC49型圓形坯料封裝低得多的可拉性.不應輕易進行此練習,如果您有任何疑問,請聯系億金電子技術部獲取進一步的建議.

我的產品使用晶振應選擇晶體諧振器還是晶體振蕩器?

關鍵在于你的產品需要.如果您正在設計分立電路并且很少或沒有振蕩器設計經驗,那么最好使用有源晶振,貼片石英晶體振蕩器,因為這樣可以消除任何容差問題.為實驗室使用設計“一次性”是“容易的”,但如果你必須批量生產,這可能會引起各種各樣的問題.如果您正在使用需要晶體來驅動它的芯片組,那么這個決定要簡單得多,因為板載振蕩器電路應該已經過優化.

以前有的晶振型號,現在沒有看到了,是否不生產了,還能用嗎?

一些晶振型號隨著科技產品發展被淘汰沒有生產了,諸如一些大體積的貼片晶振,陶瓷晶振等.各用戶在選用晶振時可咨詢億金電子業務部,晶振在參數封裝尺寸一致時可相互替換使用.億金電子提供多個晶振品牌,可滿足用戶選擇.

億金電子進口晶振代理商供貨交期快嗎?

是的,億金電子代理臺灣晶振,日本進口晶振,歐美晶振多個品牌,市場常用品牌型號均有備貨.當然非常規型號也還可以找到替代型號,也可以選擇可編程晶振.在某些情況下可以使用可編程晶振,可編程晶振與固定頻率設備兼容,并且通常可以在幾個工作日內提供-自定義固定頻率可能需要生產至少6周.可編程振蕩器尤其適用于時間緊迫的原型設計.

SPXO/VCXO/OCXO和TCXO晶振之間有什么區別?

SPXO時鐘晶體振蕩器

SPXO或時鐘振蕩器是基本類型的振蕩器,由晶振和基本驅動電路組成.由于沒有任何形式的補償,頻率/溫度穩定性基本上是晶體本身的穩定性-通常為±50ppm.VCXO電壓控制晶體振蕩器

一種帶電壓控制功能的石英晶體振蕩器,它依賴于石英晶體的固有可拉性,以便通過施加外部電壓來改變振蕩器輸出的輸出頻率.這種變化限于幾十ppm,通常為±100ppm.與SPXO有源晶振一樣,頻率/溫度穩定性是晶體本身的穩定性.

TCXO控制溫度補償晶體振蕩器

如果晶體的穩定性不足,可能需要使用TCXO溫補晶振,TCXO溫度補償晶體振蕩器.這種類型的器件用于基礎石英晶體的穩定性不足的地方.通常TCXO晶振可以實現小于1ppm的穩定性,而不是30ppm的典型晶體.

OCXO恒溫控制晶體振蕩器

“終極”壓電產品是OCXO晶振或Oven Controlled Crystal Oscillator.如果需要非常高的穩定性,則應考慮此類產品.這些類型的設備提供典型的3E10-9性能.

貴公司官網上沒有的晶振型號是不是就沒有生產?

一般市場常用晶振品牌型號規格都有貨,包括溫補晶振,VCXO晶體振蕩器,陶瓷諧振器,晶體濾波器,差分晶振,可編程晶振等.從1008晶振~8045晶振均有提供.億金電子技術工程也一直不斷開發更多高價值的晶振產品,一直在不斷上更新,完善現有產品,用戶在選用晶振是可咨詢我們業務部0755-27876565.

為什么石英貼片晶振封裝越來越越小?

隨著電子產品,智能產品小型化,便捷式發展,石英貼片晶振封裝越做越小.從開始的7.0x5.0mm貼片晶振到現在世界級超小1008貼片晶振,一直在變化,向著小型,高精度,超薄型發展,大大的節省了電路空間并且保留了原有的晶振性能,具有高可靠使用特性.

當然晶振體積越小頻率越高，晶振片越小，起始頻率越高，例如7050貼片晶振的最低頻率為8MHZ，而5032貼片晶振封裝最低頻率為16M。較低的頻率通過外部分頻實現,這增加了電路復雜性.

艾博康晶振集團是國際知名頻率元件,磁性元件,壓電水晶元件生產制造商,擁有領先業界的技術,采用全自動儀器設備,先進的經營理念,主要為用戶提供優質石英晶體振蕩器,貼片晶振,溫補晶振,晶體諧振器等產品.發展至今在蘇格蘭,德國,德克薩斯州,中國說,臺灣,等多個國家設有生產銷售基地.

艾博康Abracon晶振不僅為用戶提供高品質的產品,并且擁有專業的技術工程為用戶提供產品解決方案和技術指導.億金電子代理Abracon晶振,以下所推薦的是Abracon集團為無線充電解決方案提供的SMD晶振及線圈優勢.

用于SEMTECH LINKCHARGE™20 TSDMRX-19V20W-EVM參考設計,20W雙模RX無線充電線圈

Abracon的AWCCA-RX350300-101無線充電線圈經過優化,可滿足要求Semtech的LinkCharge™20 TSDMRX-19V20W-EVM參考設計板.作為Semtech完整無線充電解決方案的一部分,這可以在20W時提供高達85％的效率線圈實現無線充電解決方案的接收側.它專為緊湊型應用而設計具有35mm直徑,實現高功率密度,最小高度為3.15mm.

高達85％的高效電力傳輸

   Abracon貼片晶振在無線充電系統中提供數據傳輸,實現快速充電的作用.它的原理便是無線充電是指利用電磁波感應原理進行充電的設備,原理類似于變壓器.在發送和接收端各有一個線圈,發送端線圈連接有線電源產生電磁信號,接收端線圈感應發送端的電磁信號從而產生電流給電池充電.無線充電采用小型SMD晶振,2520晶振,3225貼片晶振,當然也包括32.768K晶振系列,Abracon的SMD晶振小體積,厚度薄,性能穩定用于無線充電系統具有高效率,減少散熱,最大限度地縮短電池充電時間等優勢.

  無線充電是一款電子產品,基本就兩個東西一個是插座上的發信器,另一個是整合在電子產品上,跟硬幣大小差不多的接收器（技術核心）,只要在一定的范圍內,電能可以瞬間自發信器傳到對應的接受器,其中的關鍵部件就是無線充電晶振和無線充電線圈了.

  無線的優勢

  綠色,安全,方便設計師和消費者,無線充電正在迅速擴大整個消費電子行業. 然而,技術標準仍處于起步階段,高功率市場已經服務不足,正在研究中,標準幾乎達不到15瓦.

  億金電子所代理的Abracon晶振種類齊全,多種封裝尺寸,包括壓電晶體振蕩器,溫補晶振,有源貼片晶振,聲表面濾波器等,滿足客戶需求.產品均為無鉛無害材料生產,具有高品質,高可靠使用特性.更多美國Abracon晶振資料介紹以及產品解決方案歡迎登入億金官網查看.

    ABLS-12.000MHZ-B4-T晶振ASTX-H11-B-16.000MHZ-I25-T溫度補償晶振ASCO2-27.000MHZ-EK-T3歐美進口晶振ASE2-25.000MHZ-ET晶振ASFL1-25.000MHZ-EK-T有源貼片晶振ASE3-25.000MHZ-LC-T進口SMD晶振ABM3-18.432MHZ-D2Y-T石英晶體諧振器ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T美國晶振ABM3B-16.000MHZ-B2-T進口石英晶振ABLS-6.144MHZ-B4-T艾博康晶振ABLS-10.000MHZ-B2-T石英晶體ASTX-H11-B-19.200MHZ-I25-T溫度補償晶振AST3TQ53-T-20.000MHZ-5-C溫補晶振ASA-16.000MHZ-L-T有源晶振ASFL1-4.000MHZ-EK-T美國進口晶振ASFL1-12.288MHZ-EC-T帶電壓晶振ABMM-6.000MHZ-B2-T美國晶振ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T貼片晶振ABM8AIG-25.000MHZ-12-2Z-T3艾博康貼片晶振ABLS3-4.096MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-4.500MHZ-B4-T無源晶振ASTMHTD-100.000MHZ-ZK-E-T3石英晶體振蕩器ABS06-32.768KHZ-T美國晶振ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T貼片晶振ABM3C-12.000MHZ-D4Y-T艾博康貼片晶振ABLS-13.000MHZ-B4-T晶振ABLS-8.000MHZ-T插件晶振ASTX-H11-B-19.680MHZ-I25-T溫度補償晶振ASA-26.000MHZ-L-T石英晶體振蕩器ASFL1-50.000MHZ-EK-T艾博康有源晶振ASFL1-24.000MHZ-EC-T低功耗晶振ABLS7M-12.000MHZ-B-2-T貼片晶振ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T進口石英晶振ABM8G-25.000MHZ-B4Y-T美國SMD晶振ABLS3-8.000MHZ-D4Y-T石英晶體ABLS-8.000MHZ-D-T無源晶振ASTX-H11-B-20.000MHZ-I25-T溫度補償晶振AST3TQ-26.000MHZ-1溫補晶振ASA-12.000MHZ-L-T有源貼片晶振ASFL1-48.000MHZ-EK-T進口SMD晶振ASFL1-66.666MHZ-EC-T晶振ABLS7M-16.000MHZ-B-2-T進口石英晶振ABM3B-10.000MHZ-10-1-U-T艾博康貼片晶振ABM2-8.000MHZ-D4Y-T無源晶振

    ABLS3-16.000MHZ-D4Y-T插件晶振ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T晶體諧振器ASTX-H11-B-24.000MHZ-I25-T溫度補償晶振AST3TQ-T-25.000MHZ-50-C溫補晶振ASA-40.000MHZ-L-T美國進口晶振ASFL3-24.000MHZ-EK-T帶電壓晶振ASE-12.000MHZ-ET有源晶振ABM3B-155-12.800MHZ-T艾博康貼片晶振ABM3-10.0000MHZ-D2Y-T美國SMD晶振ABM3-12.000MHZ-D2Y-T石英晶體ABLS3-3.6864MHZ-D4Y-T無源晶振ABLS-7.3728MHZ-T美國進口晶振ASTX-H11-B-26.000MHZ-I25-T溫度補償晶振ASFL1-27.000MHZ-L-T有源晶振ASE2-22.000MHZ-ET美國進口晶振ABM8-24.000MHZ-B2-T石英晶體ABM8-16.000MHZ-B2-T石英晶體諧振器ABS06-107-32.768KHZ-T美國晶振ASE-25.000MHZ-ET艾博康有源晶振ASEK2-32.768KHZ-LRT低功耗晶振ASE3-25.000MHZ-EK-T有源晶振ABM8G-14.7456MHZ-18-D2Y-T艾博康貼片晶振ABM8AIG-27.000MHZ-12-2Z-T3無源晶振ABM3-24.000MHZ-D2Y-T貼片晶振ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3進口石英晶振ABLS3-4.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-20.000MHZ-B4-T插件晶振ASTX-H11-19.200MHZ-I25-T溫度補償晶振AST3TQ-40.000MHZ-5溫補晶振ASTXR-12-38.400MHZ-514054-T溫補晶振ASA-60.000MHZ-L-T艾博康有源晶振ASFL1-16.384MHZ-EC-T低功耗晶振ASE-24.000MHZ-ET石英晶體振蕩器ABM10-16.000MHZ-E20-T美國SMD晶振ABM3B-20.000MHZ-10-1-U-T無源晶振ABM3-16.000MHZ-B2-T石英晶體諧振器ABLS3-15.000MHZ-D4Y-T晶體諧振器ABLS-3.6864MHZ-DT艾博康晶振ASTX-H12-20.000MHZ-T溫補晶振ASA-19.200MHZ-L-T進口SMD晶振ASFL1-27.000MHZ-EC-T晶振ASE-50.000MHZ-ET有源貼片晶振ABMM-7.3728MHZ-B2-T無源晶振ABM8G-16.000MHZ-B4Y-T石英晶體ABM8AIG-16.384MHZ-12-2Z-T3美國晶振ABLS3-4.9152MHZ-D4Y-TD-106.250MHZ-ZK-E-T3石英晶體振蕩器ASTX-H12-44.000MHZ-T溫度補償晶振ASCO2-19.200MHZ-EK-T3歐美進口晶振ABLS-6.000MHZ-B4-T美國進口晶振ASTMHTE-8.000MHZ-ZK-E-T3石英晶體振蕩器美國進口晶振ABLS-14.7456MHZ-B4H-T晶振ASTX-H11-13.000MHZ-I25-T溫度補償晶振ASTXR-12-26.000MHZ-512883溫補晶振ASA-20.000MHZ-L-T帶電壓晶振ASCO2-20.000MHZ-EK-T3歐美進口晶振ASFL1-11.0592MHZ-L-T有源貼片晶振ASCO-8.000MHZ-EK-T3進口SMD晶振ASTX-H12-40.000MHZ-T溫度補償晶振ASCO-25.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-4.000MHZ-EC-T美國進口晶振ASFL3-16.000MHZ-EK-T帶電壓晶振ABMM-8.000MHZ-B2-T晶振ABM2-13.000MHZ-D4Y-T進口石英晶振ABM8AIG-26.000MHZ-12-2Z-T3美國SMD晶振ABM3B-24.000MHZ-10-1-U-T石英晶體諧振器ABM8AIG-22.1184MHZ-12-2Z-T3貼片晶振AST3TQ53-T-24.576MHZ-5-C溫補晶振ABLS3-9.8304MHZ-D4Y-T艾博康晶振ABLS-3.6864MHZ-B4-T石英晶體ASTX-H11-16.000MHZ-I25-T溫度補償晶振AST3TQ-10.00MHZ-1溫補晶振ASCO2-10.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-3.6864MHZ-L-T石英晶體振蕩器ASEK-32.768KHZ-LRT艾博康有源晶振ABLS3-6.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-5.000MHZ-B4-T晶體諧振器ASTMHTASTX-H11-B-13.000MHZ-I25-T溫度補償晶振ASFL3-20.000MHZ-EK-T低功耗晶振ASE-40.000MHZ-ET進口SMD晶振ASFL1-14.7456MHZ-EK-T晶振ASV-50.000MHZ-EJ-T石英晶體振蕩器ABM3C-32.000MHZ-D4Y-T美國SMD晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶體ASE2-50.000MHZ-ET帶電壓晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源貼片晶振ABM10AIG-27.000MHZ-4Z-T3無源晶振ABM8G-16.000MHZ-18-D2Y-T石英晶體諧振器ASE2-30.000MHZ-ET低功耗晶振ASDK2-32.768KHZ-LRT石英晶體振蕩器ASV-50.000MHZ-E-T美國進口晶振ABM10AIG-32.000MHZ-4Z-T3石英晶體ASV-3.6864MHZ-E-T艾博康有源晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶體ASE2-50.000MHZ-ET帶電壓晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源貼片晶振ASTX-H11-B-32.000MHZ-I25-T溫度補償晶振

   隨著石英晶振在智能產品中的使用率不斷上漲,村田在近兩年也加入了研發生產石英晶體的隊伍,并且取得較好的成果.村田以獨特的技術生產石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器用于產品中在實現了超薄,超小封裝尺寸的同時依舊能夠保持精度穩定起振快.以下是億金電子所提供的村田有源晶振無源晶振代碼,歡迎廣大用戶收藏選用.

   XRCGB30M000F3M00R0進口晶振XRCGB32M000FAN00R0貼片晶振XRCGB50M000F0L00R0村田晶體諧振器XRCGB24M000F0L00R0村田SMD晶振XRCHJ16M000F1QB1P0貼片晶振XRCGB27M000F0Z00R0貼片晶振XTCHH21M250TJEA0P0村田石英晶振XNCJH38M400TJEA3P0村田石英晶振XNCJH10M000TJEA8P0村田石英晶體振蕩器XNCJH52M000TJEA0P0村田石英晶體振蕩器XNCJH15M300TJEA0P0有源晶振XNCHH52M000TJEA1P0村田石英晶振XRCGB26M000F1H00R0貼片晶振XRCGB24M000F3G00R0村田石英晶振XRCLK10M000F1QA8J1村田晶振XRCJH40M000F1QB2P0村田貼片晶振XRCHJ52M000F1QA0P0小體積SMD晶振XRCJK13M000F1QA3P0貼片晶振XRCJH16M000F1QB5P0村田貼片晶振XRCMD32M000FXP50R0石英晶體XRCGB26M000F3M01R0村田晶體諧振器XRCGB27M000FAN00R0村田貼片晶振XRCLH52M000F1QA1P0石英晶振XRCJH36M000F1QA1P0小體積石英貼片晶振XRCLH14M745F1QA0P0進口晶振XRCHA16M000F0Z01R0村田SMD晶振XTCJH52M000TJEA5P0村田貼片晶振XRCLH14M745F1QA0P0村田石英晶振XRCJH16M000F1QB5P0石英晶振XRCHH40M000F1QB3P0石英晶振XRCGB24M000F2P01R0小體積SMD晶振XRCLK14M745F1QB6P0石英晶振CSTLS24M0X51Z-A0村田晶振CSTCE11M6G55Z-R0陶瓷晶體CSTLS6M75G53-B0壓電陶瓷晶體CSTLS25M0X51-A0諧振器CSTCR7M37G55B-R0壓電陶瓷晶體CSTCR4M00G53W-R0陶瓷晶振CSTCW33M0X51-R0村田晶振CSTCV24M0X53Q-R0陶瓷諧振器CSTCW27M0X51R-R0壓電陶瓷晶體CSTCE19M6V51-R0進口陶瓷晶振CSTLS6M60G56-A0陶瓷晶振XRCJK26M000F1QC3P0小體積貼片晶振XNCHH10M000TJEA2P0村田貼片晶振XTCLH19M200TJEC4P0有源晶振XTCJH16M800TJEB0P0村田石英晶振XTCHH20M950TJEA0P0村田晶振XNCJH28M800TJEA1P0村田晶振CSTLS3M84G53-A0陶瓷諧振器CSTLS16M0X53-B0村田陶瓷晶振CSTCR7M37G55-R0陶瓷晶振CSTCR4M00G53U-R0諧振器CSTCE12M0G15C99-R0村田陶瓷晶振CSTLS8M38G53Z-B0進口陶瓷晶振XNCHH15M300TJEA0P0村田晶振XTCLH19M200TJJC3P0日本貼片晶振XTCJH19M200TJEB6P0村田石英晶體振蕩器XTCLH26M000TJEA7P0村田石英晶振XTCHH10M000TJEA3P0有源晶振XRCGB27M120F3G00R0晶振XRCGB27M120F3M00R0日本進口晶振XRCGB30M000F3M01R0村田石英晶振XRCGB32M000FAP11R0進口晶振XRCGB50M000F4M00R0石英晶體XTCLH40M000TJEB0P0貼片晶振XNCHH38M400TJEB3P0日本村田晶振XRCLH10M000F1QA4P0日本村田晶振XRCLK21M250F1QA8J1村田石英晶振XNCHH16M800TJEA3P0村田石英晶體振蕩器XTCLH21M250TJEA0P0村田貼片晶振XTCJH28M800TJEA0P0貼片晶振XTCHH28M800TJEA0P0有源晶振XRCLH14M745F1QA0J1貼片晶振XRCHA16M000F0L01R0村田晶振XRCJK24M576F1QA0P0日本村田貼片晶振

配置方案,Mate 20則采用了全球首款7納米工藝處理器麒麟980,它包含了69億顆晶體管,并基于Cortex-A76架構設計.同時它還采用了大概10顆貼片晶振,采用了兩顆主頻2.6GHz的高性能大核心+兩顆主頻1.9GHz的高能效大核+四顆主頻1.8GHz的高性能小核這種2+2+4的設計.這枚芯片還搭配了四核720MHz的Mali-G76 GPU以及雙核NPU.

電路中芯片被稱之為整個設備的大腦,而石英晶體,貼片晶振則被稱之為心臟.通過SMD晶振提供信號頻率源實現多種應用.通過高精密晶振可實現更安全的人臉識別、人像視頻、960fps微距慢動作以及自動場景識別等玩法.

福克斯FTM系列OCXO有源晶振精度穩定控制在±10PPM,頻率可供范圍5MHZ~40MHZ選擇,溫度范圍-40℃~85℃,具有高品質,性能穩定等.FTM也有一個頻率控制引腳,允許最小值±0.7ppm的頻率調整.福克斯晶振,石英晶體振蕩器電源電壓范圍3.3V~5V,輸出負荷一般為15PF,老化率10年僅0.4值.具有高可靠使用特性.

FOX貼片晶振,SMD晶振,晶體振蕩器采用編帶盤裝,可用于任何自動化生產線,節省了時間,更有效的節省了人力物力資源.福克斯OCXO石英晶體振蕩器重量輕,僅有5.7g.億金電子代理福克斯晶振,更多規格型號以及技術資料歡迎咨詢0755-27876565.

愛普生整合3D產品發展策略: Timing Device(TD), Sensing Device(SD), Optical Device(OD), 并予以結合模組化,以創造更高加價值。Epson Time Series(Timing device) 產品系列齊全，可滿足您各種不同需求用途。先進的QMENS(Quartz+MEMS)制程，可提供超小型SMD晶振于模組及可攜式產品應用。Epson  MHz Range Crystal Unit系列產品簡介:MHZ晶振系列包含插件晶振DIP及貼片晶振SMD二種外觀型式。

石英晶體的密度為265g/cm3,莫氏硬度為7,透明晶瑩。在常溫常壓下,石英晶體不溶于水和三酸(鹽酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3)屬于溶解度極小的物質。但在高溫高壓下,再加入適量助溶劑,如碳酸鈉(Na2CO3)或氫氧化鈉(NaOH)等,就可大大提高其溶解度。這個特點被用于石英晶體的人工培育。

氫氟酸(HF)、氟化銨(NH4F)與氟化氫銨(NH4HF2)是石英貼片晶振,石英晶體良好的溶解液,這在石英晶片加工中是很有用的。石英晶體是一種良好的絕熱材料,導熱系數比較小(見表1.3.1)

表1.3.1石英晶體的導熱系數

室溫附近,沿z軸方向的導熱系數是沿垂直于z軸方向導熱系數的二倍左右與z軸成q角的任一方向的導熱系數可由下式求得(1.3.1)Kφ=K3cos²φ+K1sin²φ,其中K1是垂直于Z軸的導熱系數,K3是平行于z軸的導熱系數石英晶體的膨脹系數也很小,且沿z軸方向的線膨脹系數a3約為沿垂直于z軸方向線膨脹系數a1的1/2(見表1.3.2)。

表1.3.2石英晶體的線膨脹系數值

若已知a1和a3,由下式可求出與Z軸成φ角的任一方向的線膨脹系數aL：al=a3+(a1-a3)sin²φ (1.32)

在室溫附近:aL=(7.48+623sin²φ)×10-6 (1.33)

并可由a1和a3求得體膨脹系數ar：ar=2a1+a3 (1.3.4)

由于石英晶體的熱膨脹系數較小,因此可用于精密儀器中。但當它被加熱時, 體膨脹系數會發生很大變化。在溫度達573℃時,石英晶體由a石英晶體轉變為B石英,體積急劇增大。石英晶體諧振器內部產生的較強的機械應力可能會造成裂隙和雙晶,這是在石英晶體元件的加工中要注意避免的。

石英晶體還是一種良好的絕緣體,其電阻率可由下式求得：p=Be-AT;式中,p為電阻率,T為絕對溫度,e為自然對數的底,A等于1.15×104B為相應的常數。平行于z軸方向的B=3000,垂直于z軸方向的B為平行于z軸方向的1/80。B值除與晶體結構有關外,還與沿z軸方向孔道中堿金屬雜質(K+、Na+)的存在有關。表1.3.3列出了晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器,石英晶體在不同溫度下的電阻率,單位為ohm. cn。

表1.3.3石英晶體在不同溫度下的p(ohm.cm)

石英晶體介電常數(描述材料介電性質的量,是電位移D與電場強度E的一個比例系數)的各向異性不很明顯,平行于z軸的介電常數ε3=4.6,垂直于z軸的介電常數ε1=4.5。在電場作用下,電介質發熱而消耗的能量叫介質損耗,通常以損耗角的正切值(tg6)來表示其損耗的大小。有源晶體振蕩器,比如溫補晶振,壓控晶振,有源石英晶體的介質損耗較小,tg6<2×10-4因此用它作電氣材料具有高穩定性。

石英晶體雖不像諸如彈簧、橡皮筋那樣的物體,振動日時能看到明顯地形變,但是它仍然服從彈性定律(胡克定律),并且可以通過全息照相看到它形變的情況。當然,石英晶體的形變更復雜些,描述更困難些,這將在第二章中進一步講述。

某些電介質由于外界的機械作用(如壓縮、拉伸等)而在其內部發生變化產生表面電荷,這種現象叫壓電效應。具有壓電效應的電介質也存在逆壓電效應,即如果將具有壓電效應的介質置于外電場中,由于電場的作用,會引起介質內部正負電荷中心位移,而這位移又導致介質發生形變,這種效應稱為逆壓電效應。

正像某些其它晶體(如酒石酸鉀鈉KNaC4H4O6.4H2O、鈦酸鋇 BaTio3等等)那樣,貼片有源晶振,石英晶體也具有壓電效應。由于其結構的特殊性,不是任何方向都存在壓電效應的,只有在某些方向,某些力的作用下才產生壓電效應。

例如:當石英晶體受到沿x軸方向的力作用時,在x方向產生壓電效應,而y、z方向則不產生壓電效應,當石英晶體受到沿y軸方向的力作用時,在x方向產生壓電效應,而y、z方向也不產生壓電效應。若受到沿z軸方向的力作用時,是不產生壓電效應。因此又稱x軸為電軸,y軸為機械軸。利用石英晶體的壓電效應可制造多種高穩定性的頻率選擇和控制元件,這將在以后各章逐步講述。

石英晶體也與其它一些物質(如方解石CaCO3、硝酸鈉NaNO3晶體等)那樣具有雙折射現象,即一束光射入石英晶體時,分裂成兩束沿不同方向傳拓的光其中一束光遵循折射定律,叫做尋常光或稱“0”光,另一束光不遵循折射定律,叫做非尋常光,又稱“e”光,如圖1.3.1所示,尋常光在石英晶體內部各個方向上的折射率mo是相等的,而非尋常光在石英晶振,石英晶體的內部各個方向的折射率n0卻是不相等的。

例如:對于波長為5893A的光,石英晶體的n0=1.54425,最大的ne=1.5536。石英晶體雖然具有雙折射現象,但當光沿z軸方向入射時,不發生雙折射現象,所以又稱z軸為光軸石英晶體還具有旋光性。即平面偏振光(光振動限于某一固定方向的光)沿z軸方向通過石英晶體后,仍然是平面偏振光,但其振動面卻較之原振動面旋轉了一個角度。

圖1.3.1石英晶體的雙折射

石英晶體的光學性質被應用到制造各種光學儀器和石英片加工工藝中。

從六十年代起開展了石英晶體,SMD晶振元件輻射效應的研究工作,在此做一些簡單的介紹。

由于宇宙射線的輻照和核武器爆炸,地球周圍存在高能粒子和y射線、X射線等輻射。這些輻射對石英晶體及其器件都有很大的影響,無色透明的石英晶體經放射線照射后會變為煙色,石英晶體元件被輻照后,會使頻率發生變化,穩定性下降,等效電阻升高。

一般認為,石英晶體被γ射線和高能粒子轟擊后,會產生結構空穴和色心,這是由于堿金屬離子(A1+3和Na+)的存在所引起的。因此,要提高石英晶體抗輻射的能力,首先要減少和消除有源恒溫晶振,差分晶振,石英晶體中的上述雜質。

一方面選擇最佳籽晶和生長條件;另一方面可使用“電清除”的方法驅逐晶體中的雜質。有人做過這樣的實驗:用z向厚度為1cm的樣片,加溫到450~470℃,加電壓1500-1700V/cm,通過晶體的電流為250μA,20分鐘后則降為20μA,這時在負極表面出現由堿金屬雜質形成的乳白色薄層。顯然,這是一種高溫、高壓排除晶體中金屬離子等雜質的工藝過程。經過這種“電清除”的人造石英晶體制成的石英晶體元件就具有良好的抗輻射性能。