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EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG7050VAN晶振

頻率：73.5M~700MHZ

尺寸：5.0x7.0mm

差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.

訂購熱線：0755-27876565

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愛普生株式會社EPSON晶振愛普生拓優科夢,(EPSON — YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續的生產壓電石英晶體, 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）.1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現已經是世界500強企業.

愛普生株式會社EPSON晶振通過追求以QMEMS 技術為核心的“省、小、精”技術,來推動具有領先性的環保活動,把降低環境負荷作為一種顧客價值提供給顧客.

創造并提供專研了“省、小、精”的32.768K晶振,溫補晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等水晶元器件及其關聯產品；并且構筑和革新既可以降低環境負荷又可以提高生產性的生產流程的活動.

yijin-1

EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG7050VAN晶振,差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值（PPM）可精確到±10PM,普通晶振達不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時間超快為0秒,隨機抖動性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設計等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.

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愛普生晶振型號	符號	SG7050VAN晶振
輸出規格	-	LVDS
輸出頻率范圍	fo	73.5～700MHz
電源電壓	V_CC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10^-6 max., ±100×10^-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40～+125℃
運行溫度范圍	T_use	-20～+70℃ ,-40～+85℃
消耗電流	I_CC	20mA max.
待機時電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負載	Load-R	100Ω (Output-OutputN)
波形對稱	SYM	45～55% [at outputs cross point]
0電平電壓	V_OL	-更多晶振參數信息請聯系我們http://www.bzmfr.cn
1電平電壓	V_OH	-
上升時間下降時間	tr, tf	0.4ns max. [20～80% Output-OutputN]
差分輸出電壓	V_OD1, V_OD2	0.247～0.454V
差分輸出誤差	⊿V_OD	50mV [⊿V_OD=｜V_OD1V_OD2｜]
補償電壓	V_OS	1.125～1.375V
補償電壓誤差	⊿V_OS	50mV
交叉點電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	V_IL	V_CC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	V_IH	V_CC×0.7 min.
輸出禁用時間	tPLZ	200ns
輸出使能時間	tPZL	2ms
周期抖動（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12) (2)]
相位抖動	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz～5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz～20MHz]

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yijin-4 在使用EPSON晶振時應注意以下事項:

以下是石英晶振電路設計匹配問題：

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規格）
Rf為具有200KΩ~1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩定的石英晶體振蕩電路需要的負電阻,其值應是晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：

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線路連接的電阻（R）與晶體串聯
（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG7050VAN晶振

如果晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其愛普生SPXO有源晶振,晶振具有較低負載電容（CL）.
采用具有較低電阻（RR）的晶振.
使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.

當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯系億金電子的應用工程師尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.

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SG7050VAN晶振 5x7mm差分貼片晶振愛普生SPXO晶振

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