Abracon晶振,圓柱晶振,AB308晶振,AB308-8.000MHZ晶振
頻率:4M~70MHZ
尺寸:8.0x3.0mm
Abracon llc晶振成立于1992年8月5日,其愿景是成為全球頂級制造商,并擁有非并行應用工程和銷售支持.為了實現這一愿景,Abracon獲得了iso9001 - 2008質量認證,在北美和海外的生產設施和技術合作伙伴中選擇了股權投資,建立了與即將到來的技術公司的渠道伙伴關系,并在其加州的位置設立了一個國家的藝術工程實驗室.
2013年11月,Abracon晶振集團在德克薩斯州奧斯汀建立了一個新的中西部訂單執行中心.這種擴張是必要的,因為Abracon晶振的快速增長和更好的服務于我們的東海岸和歐洲的客戶.
Abracon llc晶振集團供應石英晶體,貼片晶振,有源晶振,壓電晶振,石英晶體振蕩器等.廣泛用于與商業、工業、消費者和選擇的軍事應用等.
Abracon llc晶振深入貫徹落實科學發展觀,牢固樹立安全發展理念,強化責任,狠抓落實,加強防范,堅決遏制重特大事故發生.
要毫不松懈地抓好安全環保工作,堅持把“環保優先、安全第一、質量至上、以人為本”的理念落實到生產建設全過程.
帶動各項安全環保工作規范化、程序化、科學化管理,加快實現安全環保形勢持續好轉、根本好轉的工作思路.
Abracon晶振,圓柱晶振,AB308晶振,AB308-8.000MHZ晶振,圓柱晶體具有一致性良好,頻率穩定度高,耐抗震強,每批次出廠均采用24小時老化測試,產品精度分為以下幾種±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根據客戶需求特殊分為+偏差,或者-偏差,產品使用溫度高溫可達到+70°低溫可達到-40°產品被廣泛應用到比較高端的汽車電子產品,民用產品有家用電器,智能筆記本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等產品.
石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.
Abracon晶振規格 |
單位 |
AB308晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +60°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負載要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
在使用Abracon晶振時應注意以下事項:
插件型晶振安裝注意事項:
安裝時的注意事項導腳型晶振• 構造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2).Abracon晶振,圓柱晶振,AB308晶振,AB308-8.000MHZ晶振
• 修改插件晶振彎曲導腳的方法(1) 要修改彎曲的導腳時,以及要取出石英晶振等情況下不能強制拔出導腳,如果強制地拔出導腳,會引起玻璃的破裂,而導致殼內真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3).(2) 要修改彎曲的導腳時,要壓住外殼基側的導腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進行修改(參閱圖 4).
彎曲導腳的方法(1) 將導腳彎曲之后并進行焊接時,導腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位.如果不留出導腳的直線部位而將導腳彎曲,有可能導致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6).(2) 在導腳焊接完畢之后再將導腳彎曲時,務必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分 (參閱圖7).
如果直接在外殼部位焊接,會導致殼內真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損.應注意將晶振平放時,不要使之與導腳相碰撞,請放長從外殼部位到線路板為止的導腳長度 (L) ,并使之大于外殼的直徑長度(D).
焊接方法焊接部位僅局限于導腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位,并且請不要對外殼進行焊接.另外,如果利用高溫或長時間對導腳部位進行加熱,會導致晶振特性的惡化以及晶振的破損.因此,請注意對導腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下,且加熱時間要控制在5秒以內 (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下).
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