Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振
頻率:13M~220MHZ
尺寸:5.0x3.2mm
Pletronics晶振公司創(chuàng)建于1979年,主要研發(fā)生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶體,石英晶體振蕩器等元件.至今已有超過30年之久的工程和制造經(jīng)驗.所生產(chǎn)的產(chǎn)品使用范圍廣包括亞洲、歐洲和北美的制造業(yè).Pletronics晶振公司擁有國際工程,物流和銷售支持.產(chǎn)品設計創(chuàng)新,價格競爭有優(yōu)勢,訂貨交期時間短在業(yè)界具有較好的聲譽.
Pletronics晶振公司關注用戶需求,不斷研發(fā)新品,改善現(xiàn)有產(chǎn)品.能夠滿足不同客戶對于石英晶振, 貼片晶振,溫補晶體振蕩器等頻率控制元件的需求提供一個完整的解決方案.
Pletronics晶振公司運用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務活動對環(huán)境造成的負擔,并通過業(yè)務發(fā)展推進環(huán)境改善.
Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振,差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡交換機等網(wǎng)絡通訊設備中.網(wǎng)絡設備對高標準參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動具備低抖動特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場需求,實現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時鐘的可靠性.
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關參數(shù).
Pletronics晶振型號
|
符號 |
LV55D晶振 |
輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
輸出頻率范圍 |
fo |
13M~220MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
運行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃ ,-40~+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
待機時電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
-更多晶振參數(shù)請聯(lián)系我們http://www.bzmfr.cn |
1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補償電壓 |
VOS |
1.125~1.375V |
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
Pletronics晶振型號 |
符號 |
LV55F晶振 |
輸出規(guī)格 |
- |
LVDS |
輸出頻率范圍 |
fo |
13~220MHz |
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
運行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃ ,-40~+85℃ |
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
待機時電流(#1引腳"L") |
I_std |
10μA max. |
輸出負載 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
0電平電壓 |
VOL |
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1電平電壓 |
VOH |
- |
上升時間 下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|] |
補償電壓 |
VOS |
1.125~1.375V |
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
周期抖動(1) |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
總抖動(1) |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用Pletronics晶振時應注意以下事項:
產(chǎn)品設計人員在設計振蕩回路的注意事項
1. 驅動能力
驅動能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示石英晶振的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2.
2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻.
3. 負載電容
如果振蕩電路中晶振的負載電容不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS.
其中CS表示電路的雜散電容.Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振
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差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分石英晶體振蕩器相位低,低損耗等特點,差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲存溫度非常寬,客戶實驗證明工作溫度可以到達低溫-50度高溫到100度,頻率穩(wěn)定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動晶振能達到1V,起振時間為0秒,隨機抖動性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.
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差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值(PPM)可精確到±10PM,普通晶振達不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時間超快為0秒,隨機抖動性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.
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