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日本進(jìn)口2016村田晶振HCR2016,XRCGB26M000F3A00R0貼片晶振

頻率：26MHZ

尺寸：2.0*1.6mm

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訂購熱線：0755-27876565

MuRata dbjz

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日本進(jìn)口2016村田晶振HCR2016,XRCGB26M000F3A00R0貼片晶振

晶振規(guī)格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	26MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +105°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +105°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	6pF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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日本進(jìn)口2016村田晶振HCR2016,XRCGB26M000F3A00R0貼片晶振

在使用村田晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

陶瓷振蕩子具備小型和價(jià)格低廉的特點(diǎn),而石英晶體振蕩器雖然價(jià)格比較昂貴,卻具備了高精度的特性.考慮到成品問題在消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)中,許多電子設(shè)備都采用了陶瓷振蕩子. 年代不同口味也有所挑剔了電子產(chǎn)品也是一樣USB等接口的數(shù)據(jù)傳輸速度高速化,告別了以前慢慢吞吞的傳輸速度,因此應(yīng)用于HDD的振蕩子也和石英元件貼片晶振一樣要求小型化,薄片化,高精度,準(zhǔn)確性.

早期主要以陶瓷系列為主的村田公司在2009年也開始研發(fā)石英系列,村田和東京電波建立了業(yè)務(wù)合作關(guān)系之后,通過利用東京電波擁有的高品質(zhì)的石英晶體元件,加上村田的生產(chǎn)技術(shù),共同開發(fā)出符合市場(chǎng)要求的定時(shí)元件

1. 焊接條件(1) 回流焊接如右側(cè)溫度曲線所示,對(duì)陶瓷振蕩子施加一個(gè)熱應(yīng)力;然后在自然狀態(tài)下放置1小時(shí)后,對(duì)振蕩子進(jìn)行測(cè)量.(a) 預(yù)熱條件為+150到+180℃,60到120秒鐘.溫度升高到+150℃的時(shí)間應(yīng)長(zhǎng)于30秒鐘.(b) 加熱條件為最低溫度+230℃時(shí)不超過40秒鐘,峰值溫度狙應(yīng)低于+260℃
2．烙鐵將溫度為+300±5℃的烙鐵置于振蕩子電極上方0.5mm處.將通過烙鐵熔化的焊料施加到電極上 3±1秒鐘;然后,在自然狀態(tài)下放置24小時(shí)后,對(duì)振蕩子進(jìn)行測(cè)量.日本村田晶振,XRCGB16M000FXN00R0晶振,2016小體積晶振

日本進(jìn)口2016村田晶振HCR2016,XRCGB26M000F3A00R0貼片晶振

XRCGB26M000F3A00R0(1)

XRCGB26M000F3A00R0(2)

村田晶振原廠編碼	型號(hào)	頻率	頻率公差	頻率溫度特性	頻率老化	等效串聯(lián)電阻(max.)	負(fù)載電容量
XRCGB24M000F0G00R0	HCR2016	24.0000MHz	±100ppm max. (25±3℃)	±50ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M000F0L00R0	HCR2016	24.0000MHz	±100ppm max. (25±3℃)	±50ppm max.	±50ppm max.	150Ω	6pF
XRCGB24M000F0Z00R0	HCR2016	24.0000MHz	±100ppm max. (25±3℃)	±100ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M000F1H00R0	HCR2016	24.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	±10ppm max.	±2ppm max./year	80Ω	6pF
XRCGB24M000F1H01R0	HCR2016	24.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	±10ppm max.	±2ppm max./year	80Ω	8pF
XRCGB24M000F1H02R0	HCR2016	24.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	±10ppm max.	±2ppm max./year	80Ω	10pF
XRCGB24M000F1H03R0	HCR2016	24.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	±10ppm max.	±2ppm max./year	80Ω	12pF
XRCGB24M000F2P00R0	HCR2016	24.0000MHz	±20ppm max. (25±3℃)	±20ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M000F2P01R0	HCR2016	24.0000MHz	±20ppm max. (25±3℃)	±20ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	8pF
XRCGB24M000F2P02R0	HCR2016	24.0000MHz	±20ppm max. (25±3℃)	±20ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	10pF
XRCGB24M000F3A00R0	HCR2016	24.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±35ppm max.	±2ppm max./year	120Ω	6pF
XRCGB24M000F3G00R0	HCR2016	24.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±50ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M000F3M00R0	HCR2016	24.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±40ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M000F3M01R0	HCR2016	24.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±40ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	8pF
XRCGB24M000F3M02R0	HCR2016	24.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±40ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	10pF
XRCGB24M000F3M13R0	HCR2016	24.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±40ppm max.	±5ppm max./year	120Ω	8.5pF
XRCGB24M000F3M19R0	HCR2016	24.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±40ppm max.	±5ppm max./year	100Ω	6pF
XRCGB24M000F3N00R0	HCR2016	24.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±30ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M000FAN00R0	HCR2016	24.0000MHz	±25ppm max. (25±3℃)	±25ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M000FBP12R0	HCR2016	24.0000MHz	±15ppm max. (25±3℃)	±20ppm max.	±2ppm max./year	80Ω	6pF
XRCGB24M576F0G00R0	HCR2016	24.5760MHz	±100ppm max. (25±3℃)	±50ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M576F0L00R0	HCR2016	24.5760MHz	±100ppm max. (25±3℃)	±50ppm max.	±50ppm max.	150Ω	6pF
XRCGB24M576F0Z00R0	HCR2016	24.5760MHz	±100ppm max. (25±3℃)	±100ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M576F3G00R0	HCR2016	24.5760MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±50ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M576F3M00R0	HCR2016	24.5760MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±40ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M576F3M01R0	HCR2016	24.5760MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±40ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	8pF
XRCGB24M576F3M02R0	HCR2016	24.5760MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±40ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	10pF
XRCGB24M576F3N00R0	HCR2016	24.5760MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±30ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB24M576FAN00R0	HCR2016	24.5760MHz	±25ppm max. (25±3℃)	±25ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB25M000F0G00R0	HCR2016	25.0000MHz	±100ppm max. (25±3℃)	±50ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB25M000F0L00R0	HCR2016	25.0000MHz	±100ppm max. (25±3℃)	±50ppm max.	±50ppm max.	150Ω	6pF
XRCGB25M000F0Z00R0	HCR2016	25.0000MHz	±100ppm max. (25±3℃)	±100ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB25M000F1H00R0	HCR2016	25.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	±10ppm max.	±2ppm max./year	80Ω	6pF
XRCGB25M000F1H01R0	HCR2016	25.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	±10ppm max.	±2ppm max./year	80Ω	8pF
XRCGB25M000F1H02R0	HCR2016	25.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	±10ppm max.	±2ppm max./year	80Ω	10pF
XRCGB25M000F1H03R0	HCR2016	25.0000MHz	±10ppm max. (25±3℃)	±10ppm max.	±2ppm max./year	80Ω	12pF
XRCGB25M000F2P00R0	HCR2016	25.0000MHz	±20ppm max. (25±3℃)	±20ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB25M000F2P01R0	HCR2016	25.0000MHz	±20ppm max. (25±3℃)	±20ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	8pF
XRCGB25M000F2P02R0	HCR2016	25.0000MHz	±20ppm max. (25±3℃)	±20ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	10pF
XRCGB25M000F3A00R0	HCR2016	25.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±35ppm max.	±2ppm max./year	100Ω	6pF
XRCGB25M000F3G00R0	HCR2016	25.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±50ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB25M000F3M00R0	HCR2016	25.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±40ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	6pF
XRCGB25M000F3M01R0	HCR2016	25.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±40ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	8pF
XRCGB25M000F3M02R0	HCR2016	25.0000MHz	±30ppm max. (25±3℃)	±40ppm max.	±5ppm max./year	150Ω	10pF

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日本進(jìn)口2016村田晶振HCR2016 XRCGB26M000F3A00R0貼片晶振

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: UJ2600007Z,智能手機(jī)晶振,臺(tái)產(chǎn)DIODES晶振,低相位抖動(dòng)晶振,UJ晶體,削峰正弦波晶振; UJ2600007Z是一款臺(tái)產(chǎn)的DIODES晶振，專為智能手機(jī)量身打造，屬于UJ晶體系列。作為低相位抖動(dòng)的削峰正弦波晶振，它為智能手機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào)，是保障手機(jī)各項(xiàng)功能高效運(yùn)作的關(guān)鍵元件。這款晶振采用先進(jìn)的制造工藝，選用高品質(zhì)材料，確保在 - 20℃至 + 70℃的工作溫度范圍內(nèi)，能將相位抖動(dòng)控制在極低水平，展現(xiàn)出卓越的頻率穩(wěn)定性。其削峰正弦波輸出特性，不僅降低了諧波干擾，還優(yōu)化了信號(hào)質(zhì)量，為手機(jī)的射頻模塊、處理器及其他關(guān)鍵組件提供純凈、穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn)。在智能手機(jī)中，無論是高速的數(shù)據(jù)傳輸、流暢的多媒體播放，還是精準(zhǔn)的定位導(dǎo)航，UJ2600007Z都憑借其穩(wěn)定的性能，確保各個(gè)功能模塊之間的精確協(xié)同工作，提升用戶體驗(yàn)。

: 臺(tái)產(chǎn)石英晶振,光纖通道晶振,FD0810003晶振,Diodes振蕩器,FD貼片晶體; FD0810003臺(tái)產(chǎn)Diodes晶振，憑借其在光纖通道領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)，成為光纖通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。它基于先進(jìn)的石英制造工藝，確保了在 - 40℃至 + 85℃的寬溫度范圍內(nèi)，具備出色的頻率穩(wěn)定性，能將頻率偏差嚴(yán)格控制在極小范圍，為光纖通道設(shè)備提供可靠的時(shí)鐘基準(zhǔn)。作為FD貼片晶體，其封裝形式不僅實(shí)現(xiàn)了體積的小型化，便于在光纖通信設(shè)備的電路板上進(jìn)行高密度安裝，適應(yīng)設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)，還優(yōu)化了散熱性能和電氣性能，提升了晶振在不同工作條件下的穩(wěn)定性和抗干擾能力。

: 亞陶低抖動(dòng)晶振,LVDS晶振,7050差分晶振,PX振蕩器,高清視頻系統(tǒng)晶振,PX5000010; PX5000010作為亞陶的7050封裝LVDS差分低抖動(dòng)晶振，在高清視頻系統(tǒng)領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越性能。7050封裝使其在具備良好機(jī)械穩(wěn)定性的同時(shí)，適應(yīng)了現(xiàn)代高清視頻設(shè)備電路板高密度布局的需求，便于安裝且能有效抵抗振動(dòng)和沖擊對(duì)晶振性能的影響。該晶振的低抖動(dòng)特性是其核心優(yōu)勢(shì)。在高清視頻系統(tǒng)中，哪怕極其微小的時(shí)鐘抖動(dòng)都可能導(dǎo)致圖像出現(xiàn)重影、畫面撕裂或音頻視頻不同步等問題。PX5000010憑借先進(jìn)的制造工藝和精心設(shè)計(jì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，將抖動(dòng)控制在極低水平，為高清視頻信號(hào)的處理和傳輸提供了穩(wěn)定且精準(zhǔn)的時(shí)鐘基準(zhǔn)。