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日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO221SR晶振

頻率：0.7M~150MHZ

尺寸：2.5x2.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27876565

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日本株式會社大真空KDS晶振集團設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創業時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設備生產銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應用產品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.

日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發石英晶振, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO晶振）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環境友好.

日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內外提供世界一流的質量和滿意程度高.所生產石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導向,創新高效的經營管理,努力創造利潤,履行企業社會責任.

日本大真空株式會社KDS晶振,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發區確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS)當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.

日本株式會社大真空KDS晶振發展史：

1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.

1963公司變更為合股公司組織.

1965開始大規模生產石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.

1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業.

1973年開設kurodasho廠（現在的西脅工廠）生產晶體管.

1974年開設川廠（現在的涼廠）是目前人造石英晶體,（SPXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產規模最大的.

1976年開設宮崎廠（目前九州大真空公司）為音叉型石英晶體諧振器生產,在加古川市完成新總部.

1977年成立和諧電子公司建立大真空（美國）有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.

1980年開設鳥取工廠（目前鳥取生產部）對晶體諧振器生產增加.同年開始生產石英晶體濾波器和晶振時鐘.

1981年建立大真空（香港）公司開始提供音叉型石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.

1983年大阪證券交易所二期上市.

1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠（目前德島生產部）作為人造石英晶體的穩定的生產基地,部分設備和石英諧振器,開始大規模生產光學低通濾波器.

1985年打開德島第二廠開始生產陶瓷產品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.

1987名古屋辦事處開業.開始的溫度補償晶體振蕩器（TCXO）生產和電壓控制晶體振蕩器（VCXO）.

1988建立大真空（新加坡）有限公司加強在東盟地區銷售.

1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產晶體諧振器.

1990-1991大阪證券交易所第一節上市.建立大真空（德國）公司加強在歐洲的銷售.

1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產.

1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001（國際標準化組織質量管理標準）.

1998（獲得QS9000質量標準/汽車質量保證管理體系.）

2000獲得ISO14001（環境管理體系由國際標準化組織）,獲得ISO / TS 16949（技術規范由國際標準化組織）.

2003擴大生產規模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿易有限公司加強在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強石英晶振,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等器件業務.

2010日本株式會社大真空KDS晶振建立大真空（泰國）有限公司.

2012日本株式會社大真空KDS晶振擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.

2013東京證券交易所第一節上市.

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日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO221SR晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

石英晶振頻率穩定度：關鍵參數,我們的高端晶振可以達到10-9級別.指在規定的工作溫度范圍內,與標稱頻率允許的偏差,用PPm（百萬分之一）表示.一般來說,晶振穩定度越高或溫度范圍越寬,價格越高.對于頻率穩定度要求±20ppm或以上的應用,可使用普通無補償的石英晶體振蕩器.對于介于±1 至±20ppm 的穩定度,應該考慮溫補晶振TCXO .對于低于±1ppm 的穩定度,應該考慮恒溫晶振OCXO.如果客戶有十分特別的頻穩要求,我們可根據客戶要求參數定做.

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KDS晶振項目	符號	DSO221SR晶振規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	0.7MHz to 150MHz	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.8V to 3.3V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯系我們查看更多資料http://www.bzmfr.cn/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年