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日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO321SW晶振

頻率:3M~50MHZ

尺寸:3.2x2.5mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.
訂購熱線:0755-27876565
QQ咨詢 點擊這里給我發消息 日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO321SW晶振

KDS-2

日本株式會社大真空KDS晶振集團設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創業時間為1959113,正式注冊成立是在196358,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設備生產銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,石英晶體應用產品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.

日本株式會社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環境友好.

日本大真空株式會社KDS晶振,1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發區確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS)當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5.

日本株式會社大真空KDS晶振發展史:

1959年在在神戶市成立加工電子零件和石英晶體,進口晶振,愛普生晶體,KDS晶振,石英水晶振蕩子.

1963公司變更為合股公司組織.

1965開始大規模生產石英晶體諧振器,32.768K鐘表晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器等部件.

1970年日本株式會社大真空KDS晶振在東京辦事處開業.

1973年開設kurodasho廠(現在的西脅工廠)生產晶體管.

1974年開設川廠(現在的涼廠)是目前人造石英晶體,SPXO)普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等生產規模最大的.

1976年開設宮崎廠(目前九州大真空公司)為音叉型石英晶體諧振器生產,在加古川市完成新總部.

1977年成立和諧電子公司建立大真空(美國)有限公司開始向美國市場供應晶體諧振器.

1980年開設鳥取工廠(目前鳥取生產部)對晶體諧振器生產增加.同年開始生產石英晶體濾波器和晶振時鐘.

1981年建立大真空(香港)公司開始提供音叉表晶,晶體振蕩器,有源晶振的香港和中國市場.

1983年大阪證券交易所二期上市.

1984年獨立完成中心實驗室,開設德島工廠(目前德島生產部)作為人造石英晶體的穩定的生產基地,部分設備和石英諧振器,開始大規模生產光學低通濾波器.

1985年打開德島第二廠開始生產陶瓷產品,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振,陶瓷霧化片打開配送中心在加古川市.

1987名古屋辦事處開業.開始的溫度補償晶體振蕩器(TCXO)生產和電壓控制晶體振蕩器(VCXO.

1988建立大真空(新加坡)有限公司加強在東盟地區銷售.

1989更改公司名稱大真空第三十周年.建立了PT.KDS印度尼西亞啟動海外生產晶體諧振器.

1990-1991大阪證券交易所第一節上市.建立大真空(德國)公司加強在歐洲的銷售.

1993建立了天津該公司開始音叉型石英晶體諧振器,石英水晶振蕩子,陶瓷振動子,32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體的海外生產.

1996日本株式會社大真空KDS晶振獲得ISO9001(國際標準化組織質量管理標準).

1998(獲得QS9000質量標準/汽車質量保證管理體系.

2000獲得ISO14001(環境管理體系由國際標準化組織),獲得ISO / TS 16949(技術規范由國際標準化組織).

2003擴大生產規模天津加工廠面積,成立上海銳致國際貿易有限公司加強在中國的銷售.以和諧電子公司為我公司的綜合子公司加強石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO)、溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)、陶瓷諧振器等器件業務.

2010日本株式會社大真空KDS晶振建立大真空(泰國)有限公司.

2012日本株式會社大真空KDS晶振擴大在加古川市中央實驗室的地板尺寸.

2013東京證券交易所第一節上市.

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日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO321SW晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題.在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數.

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KDS晶振項目

DSO321SW晶振符號

規格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

3 MHz to 50MHz

請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息

電源電壓

VCC

1.8 V to 3.3V

請聯系我們以了解更多相關信息

儲存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請聯系我們查看更多資料http://www.bzmfr.cn/

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負載條件、最大工作頻率

待機電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 , 初年度,第一年

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DSO213AW_DSO221SW_DSO321SW

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在使用日本KDS晶振時應注意以下事項:

如何正確的使用有源晶振

電處理:

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致低電壓有源晶振,石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.日本KDS晶振,石英晶體振蕩器,DSO321SW晶振

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗有源晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,石英晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

機械處理

當有源晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.    不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.

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貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-ExpressSDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

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    3225mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,該產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.
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晶振系列

日本進口晶振

臺產晶振

歐美晶振

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霧化片

貼片晶振

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