壓控溫補(bǔ)晶振,1XXA10000MBA,進(jìn)口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振
日本大真空晶振的DSA221SDN具有高穩(wěn)定的頻率溫度特性,為對(duì)應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品,(可對(duì)應(yīng)DC +1.8V /+2.6V /+2.8V /+3.0V /+3.3V)高度:最高0.9 mm,超小型,輕型。低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品。(可對(duì)應(yīng)回流焊) 無鉛產(chǎn)品。滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求。其編碼為1XXA10000MBA的晶振,頻率是10MHz,為VC-TCXO晶振,也叫壓控溫補(bǔ)晶振,是進(jìn)口石英晶體振蕩器,2520尺寸,為2520貼片晶振。VC-TCXO應(yīng)用:智能手機(jī)晶體,無線基站,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車應(yīng)用等。
日本株式會(huì)社大真空KDS晶振集團(tuán)設(shè)立在日本國(guó)兵庫(kù)縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時(shí)間為1959年11月3日,正式注冊(cè)成立是在1963年5月8日,當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)321億日元之多,主要從事電子元件以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時(shí)鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.
壓控溫補(bǔ)晶振,1XXA10000MBA,進(jìn)口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振
類型 | DSA221SDN (VC-TCXO) |
頻率范圍 | 9.6?52MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | 19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
電源電壓范圍 | +1.68?+3.5V |
電源電壓(Vcc) | +1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
消耗電流 | +1.5mA max.(f≦26MHz)/+2.0mA max.(26<f≦52MHz) |
輸出電壓 | 0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
輸出負(fù)載 | 10kΩ//10pF |
常溫偏差 | ±1.5×10-6max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85℃ ±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85℃ (Option) |
包裝單位 | 3000pcs./reel(φ180) |
壓控溫補(bǔ)晶振,1XXA10000MBA,進(jìn)口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振
壓控溫補(bǔ)晶振,1XXA10000MBA,進(jìn)口石英振蕩器,DSA221SDN,日本KDS晶振
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑/ pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.