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NDK晶振,差分晶振,NP3225SA晶振,NP3225SB晶振,NP3225SC晶振
頻率：100M~170MHZ
尺寸：3.2x2.5mm
差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網絡路由器、SATA,光纖通信,10G以太網、超速光纖收發器、網絡交換機等網絡通訊設備中.網絡設備對高標準參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統性能重要參數的相位抖動具備低抖動特征.使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場需求,實現高頻高精度等要求,更加保障了各種系統參考時鐘的可靠性
NDK晶振日本電波工業株式會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業生產廠家,以“通過對客戶的服務,為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創業理念為基礎于1948年成立.
日本電波工業株式會社NDK晶振的新概念的溫補晶振,石英晶體振蕩器器件.通過產品生命周期提高整體節能貢獻和環境績效的舉措.制造-環境友好生產—優化-提高性能/效率的節能貢獻—通過制造致密/復雜產品減少資源節約—環境消除/減少環境負荷物質—這些是倡議的支柱.
NDK晶振,差分晶振,NP3225SA晶振,NP3225SB晶振,NP3225SC晶振,差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V,工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.
晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高.此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一
NP3225SA差分晶振規格表
|
NDK晶振型號 |
符號 |
|
|
輸出規格 |
- |
LV-PECL |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
100~1700MHz |
|
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-55~+125℃ |
|
運行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃,-40~+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
45mA max. (fo≦170MHz) |
|
待機時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負載 |
Load-R |
50Ωto VCC-2V |
|
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
VCC-1.81~VCC-1.62V |
|
1電平電壓 |
VOH |
VCC-1.025~VCC-0.88V |
|
上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.5ns max. [20?80% Output, OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
- |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
- |
|
補償電壓 |
VOS |
- |
|
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
- |
|
交叉點電壓 |
Vcr |
-更多詳細參數請聯系我們http://www.bzmfr.cn/ |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
NP3225SB差分晶振規格表
|
NDK晶振型號 |
符號 |
NP3225SB晶振 |
|
輸出規格 |
- |
LVDS |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
100~170MHz |
|
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
|
運行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃,-40?+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
20mA max. |
|
待機時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負載 |
Load-R |
100Ω(Output-OutputN) |
|
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
- |
|
1電平電壓 |
VOH |
- |
|
上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
|
差分輸出電壓 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
補償電壓 |
VOS |
1.125~1.375V |
|
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉點電壓 |
Vcr |
- |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
NP3225SC差分晶振規格表
|
NDK晶振型號 |
符號 |
NP3225SC晶振 |
|
輸出規格 |
- |
HCSL |
|
輸出頻率范圍 |
fo |
100~170MHz |
|
電源電壓 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
頻率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存溫度范圍 |
T_stg |
-40~+85℃ |
|
運行溫度范圍 |
T_use |
-10~+70℃,-40~+85℃ |
|
消耗電流 |
ICC |
30mA max. (fo≦170MHz), |
|
待機時電流（＃1引腳"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
輸出負載 |
Load-R |
50Ω |
|
波形對稱 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0電平電壓 |
VOL |
-0.15~0.15V |
|
1電平電壓 |
VOH |
0.58~0.85V |
|
上升時間下降時間 |
tr, tf |
0.5ns max. [0.175~0.525V Level] |
|
差分輸出電壓 |
⊿VOD1, VOD2 |
- |
|
差分輸出誤差 |
⊿VOD |
- |
|
補償電壓 |
VOS |
- |
|
補償電壓誤差 |
⊿VOS |
- |
|
交叉點電壓 |
Vcr |
250~550mV |
|
OE端子0電平輸入電壓 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1電平輸入電壓 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
輸出禁用時間 |
tPLZ |
200ns |
|
輸出使能時間 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖動（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
總抖動（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖動 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
NP3225S差分晶振不同輸出型號列表
NDK晶振
尺寸大小
額定頻率范圍
輸出規格
電源電壓
工作溫度范圍
綜合頻率
L
W
H
Min.
Max.
[VCC]
Min.
Max.
[×10-6]
NP3225SA差分晶振
3.2
2.5
0.9
100
175
LVPECL
+2.5 / +3.3
-40
+85
±50
-40
+105
NP3225SB差分晶振
3.2
2.5
0.9
100
175
LVDS
+2.5 / +3.3
-40
+85
±50
-40
+105
NP3225SC差分晶振
3.2
2.5
0.9
100
175
HCSL
+2.5 / +3.3
-40
+85
±50
-40
+105
(mm)
(MHz)
(V)
(°C)
允許偏差
在使用NDK晶振時應注意以下事項：
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果LVPECL差分輸出振蕩器已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3：化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.NDK晶振,差分晶振,NP3225SA晶振,NP3225SB晶振,NP3225SC晶振
6：靜電
過高的靜電可能會損壞差分貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網絡路由器、SATA,光纖通信,10G以太網、超速光纖收發器、網絡交換機等網絡通訊設備中.網絡設備對高標準參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統性能重要參數的相位抖動具備低抖動特征.使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場需求,實現高頻高精度等要求,更加保障了各種系統參考時鐘的可靠性.
- NDK晶振,有源晶振,7311S-DF晶振,7311S-GF晶振,差分晶體振蕩器
差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點,差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”電源電壓做到2.5V-3.3V之間,工作溫度,以及儲存溫度非常寬,客戶實驗證明工作溫度可以到達低溫-50度高溫到100度,頻率穩定度在±20PPM值,輸出電壓低抖動晶振能達到1V,起振時間為0秒,隨機抖動性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.
- EPSON晶振,差分石英晶體振蕩器,SG3225HBN晶振
差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.
晶振系列
日本進口晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 村田晶振
- 大河晶振
- KDS Quartz crystal
- NDK Quartz crystal
- EPSON Quartz crystal
- 富士晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
臺產晶振
歐美晶振
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal晶振
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
- PletronicsCrystal晶振
- StatekCrystal晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- 福克斯晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- ILSI晶振
- KVG晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- QuartzChnik晶振
- SUNTSU晶振
- Transko晶振
- WI2WI晶振
- 韓國三呢晶振
- ITTI晶振
- ACT晶振
- Milliren晶振
- Lihom晶振
- rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- PDI晶振
- C-TECH晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NIC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- 瑞薩renesas晶振
- Skyworks晶振
有源晶振
霧化片
貼片晶振
32.768K
- 32.768K有源晶振
- 8.0x3.8晶振
- 7.1x3.3晶振
- 7.0x1.5晶振
- 5.0x1.8晶振
- 4.1x1.5晶振
- 3.2x1.5晶振
- 2.0x1.2晶振
- 1.6x1.0晶振
- 1.2x1.0晶振
- 圓柱晶振
聲表面濾波器
石英晶振
KDS晶振
愛普生晶振
- EPSON 32.768K晶振
- EPSON無源晶振
- EPSON普通有源晶振
- EPSON壓控晶振
- EPSON溫補晶振
- EPSON壓控溫補晶振
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