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NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振

頻率：100M~170MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值（PPM）可精確到±10PM,普通晶振達不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時間超快為0秒,隨機抖動性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動能從0.3ps Max-1ps Max.

訂購熱線：0755-27876565

日本電波工業株式會社NDK晶振經營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關產品的制造與銷售

NDK晶振日本電波工業株式會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業生產廠家,以“通過對客戶的服務,為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創業理念為基礎于1948年成立.

日本電波工業株式會社NDK晶振經營范圍：晶體諧振器、低抖動差分晶振,晶體振蕩器等晶體元器件、應用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關產品的制造與銷售.

現在我們作為提供電子業必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產品以及應用水晶技術的傳感器等新的高附加價值產品的頻率綜合生產廠家,正以企業的繼續成長為目標而努力.

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NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振,差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.

石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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NP5032SA差分晶振規格表

NDK晶振型號	符號	NP5032SA晶振
輸出規格	-	LV-PECL
輸出頻率范圍	fo	100~1700MHz
電源電壓	VCC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10-6 max., ±100×10-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-55~+125℃
運行溫度范圍	T_use	-10~+70℃,-40~+85℃
消耗電流	ICC	45mA max. (fo≦170MHz)
待機時電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負載	Load-R	50Ωto VCC-2V
波形對稱	SYM	45~55% [at outputs cross point]
0電平電壓	VOL	VCC-1.81~VCC-1.62V
1電平電壓	VOH	VCC-1.025~VCC-0.88V
上升時間下降時間	tr, tf	0.5ns max. [20?80% Output, OutputN]
差分輸出電壓	VOD1, VOD2	-
差分輸出誤差	⊿VOD	-
補償電壓	VOS	-
補償電壓誤差	⊿VOS	-
交叉點電壓	Vcr	-更多詳細參數請聯系我們http://www.bzmfr.cn/
OE端子0電平輸入電壓	VIL	VCC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	VIH	VCC×0.7 min.
輸出禁用時間	tPLZ	200ns
輸出使能時間	tPZL	2ms
周期抖動（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]
相位抖動	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

NP5032SB差分晶振規格表

NDK晶振型號	符號	NP5032SB晶振
輸出規格	-	LVDS
輸出頻率范圍	fo	100~170MHz
電源電壓	VCC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10-6 max., ±100×10-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40~+85℃
運行溫度范圍	T_use	-10~+70℃,-40?+85℃
消耗電流	ICC	20mA max.
待機時電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負載	Load-R	100Ω(Output-OutputN)
波形對稱	SYM	45~55% [at outputs cross point]
0電平電壓	VOL	-
1電平電壓	VOH	-
上升時間下降時間	tr, tf	0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]
差分輸出電壓	VOD1, VOD2	0.247~0.454V
差分輸出誤差	⊿VOD	50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜]
補償電壓	VOS	1.125~1.375V
補償電壓誤差	⊿VOS	50mV
交叉點電壓	Vcr	-
OE端子0電平輸入電壓	VIL	VCC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	VIH	VCC×0.7 min.
輸出禁用時間	tPLZ	200ns
輸出使能時間	tPZL	2ms
周期抖動（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]
相位抖動	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

NP5032SC差分晶振規格表

NDK晶振型號	符號	NP5032SC晶振
輸出規格	-	HCSL
輸出頻率范圍	fo	100~170MHz
電源電壓	VCC	+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±50×10-6 max., ±100×10-6 max.
保存溫度范圍	T_stg	-40~+85℃
運行溫度范圍	T_use	-10~+70℃,-40~+85℃
消耗電流	ICC	30mA max. (fo≦170MHz),
待機時電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負載	Load-R	50Ω
波形對稱	SYM	45~55% [at outputs cross point]
0電平電壓	VOL	-0.15~0.15V
1電平電壓	VOH	0.58~0.85V
上升時間下降時間	tr, tf	0.5ns max. [0.175~0.525V Level]
差分輸出電壓	⊿VOD1, VOD2	-
差分輸出誤差	⊿VOD	-
補償電壓	VOS	-
補償電壓誤差	⊿VOS	-
交叉點電壓	Vcr	250~550mV
OE端子0電平輸入電壓	VIL	VCC×0.3 max.
OE端子1電平輸入電壓	VIH	VCC×0.7 min.
輸出禁用時間	tPLZ	200ns
輸出使能時間	tPZL	2ms
周期抖動（1）	tRMS	5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)
周期抖動（1）	tp-p	33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)
總抖動（1）	tTL	50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]
相位抖動	tpj	1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

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NP5032SA_5.0_3.2 SPXO

NP5032S差分晶體振蕩器型號列表

NDK晶振	尺寸大小 (mm)			額定頻率范圍 (MHz)		輸出規格	電源電壓 (V)	工作溫度范圍 (°C)		綜合頻率允許偏差
NDK晶振	L	W	H	Min.	Max.	輸出規格	[V_CC]	Min.	Max.	[×10^-6]
NP5032SA晶振	5.0	3.2	1.2	100	170	LVPECL	+2.5 / +3.3	0	+70	±25
								0	+85	±50
								-40	+85	±100
NP5032SB差分晶振	5.0	3.2	1.2	100	170	LVDS	+2.5 / +3.3	0	+70	±25
								0	+85	±50
								-40	+85	±100
NP5032SC貼片晶振	5.0	3.2	1.2	100	170	HCSL	+2.5 / +3.3	0	+70	±25
								0	+85	±50
								-40	+85	±100

在使用NDK晶振時應注意以下事項：

晶振在使用過程中需要注意哪些事項,晶振產品在使用過程中產生不良都有那些原因照成的,如果石英晶振產生了不良我們又該怎么處理,怎么去預防在以后的生產過程中確保品質不在出問題.

大家都知道晶振其實分為很多的類別,比如陶瓷諧振器,以及石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器,那么石英晶體振蕩器又稱呼為有源晶振,何為有源晶振?

有源的意思就是帶有電壓功能,是只產品在使用過程中首先需要通過電壓起振,一般有源晶振的電壓在3.3V-5V之間.其實有源晶振在細分的情況下又能分成壓控振蕩器（VCXO）以及溫補晶振(TCXO)這兩者又可以合并為壓控溫補晶振（VC-TCXO）,壓控晶振的原理簡單的說就是產品在工作過程中有一個電壓穩定控制功能,當石英晶振在使用過程中遇到電壓變大或者變小的情況下,產品可以在自帶電壓功能的情況下把電壓控制在可接受范圍,以及控制振蕩器的PPM精度,不超出在需要的頻率內,使其能夠穩定的給CPU提供精準信號,這就是壓控振蕩器的主要特點.NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振

那么溫補晶振（TCXO）又有什么特點,溫補晶振簡單的來說就是在工作過程中起到溫度補償功能,那怎么個溫度補償法呢？其實原理跟壓控振蕩器一樣,比如說溫補晶振電壓有1.6V-1.8V-2.2V-2.8V-3V-3.3V-5V等幾款常用電壓.溫補晶振在工作過程中如果遇到了溫度變化很大的情況下,那這個時候溫度補償就起作用了,比如說溫補晶振的基本精度要求是0.5PPM,常溫要求是2ppm,那如果低溫超出的常溫的情況下,晶體的溫補功能就會把精度控制在一定的范圍內,使精度變化在一個要求值的范圍,穩定在高精度要求內給CPU提供穩定的信號.

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NP5032SA晶振 NP5032SB晶振 NP5032SC晶振高精密差分晶振

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: TXC晶振,差分晶振,BF晶振,BFA2500001晶振; 差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.

: EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振,VG3225VFN晶振; 3225壓控晶振具有最適合于移動通信設備用途的高穩定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產品.(可對應DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V ),超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.（可對應回流焊）無鉛產品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用.