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導(dǎo)致晶振頻率差異的原因以及預(yù)防措施
導(dǎo)致晶振頻率差異的原因以及預(yù)防措施
如果石英貼片晶振實(shí)際振蕩頻率從標(biāo)稱頻率偏移,則將考慮以下原因：
1.晶體單元的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平超過其指定的最大值.
2.實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)范中的指定值不同
3.振蕩不正常
3-1、晶體單元的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平超過其指定的最大值.
重要的是晶體單元的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電平在驅(qū)動(dòng)電平規(guī)范內(nèi).過高的驅(qū)動(dòng)電平可能導(dǎo)致更高的振蕩頻率或更大的R1.如果要將驅(qū)動(dòng)器級(jí)別調(diào)低,可以采取以下措施.具體操作可參閱”是什么原因?qū)е碌?a title="石英晶體" target="_blank">石英晶體振蕩頻率隨溫度漂移不正常?”
3-2、實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)范中的指定值不同
晶體單元的振蕩頻率按照其規(guī)范中規(guī)定的負(fù)載電容進(jìn)行分類.因此,如果晶振晶體的實(shí)際負(fù)載電容與規(guī)范中規(guī)定的負(fù)載電容不同,則實(shí)際振蕩頻率可能與晶體單元的標(biāo)稱頻率不同.您可以通過以下措施調(diào)整此頻率差異.
措施1： 調(diào)整外部負(fù)載電容
為了改變外部負(fù)載電容,實(shí)際振蕩頻率變低.如果外部負(fù)載電容很大,請(qǐng)注意振蕩裕度會(huì)很低.通過大的外部負(fù)載電容,振蕩幅度可能很小.
措施2： 改變指定不同負(fù)載電容的晶體單元
為了應(yīng)用具有大負(fù)載電容的晶振晶體單元,實(shí)際振蕩頻率變高.例如：你需要30MHz的頻率,并使用規(guī)定頻率為30MHz的晶體單元作為負(fù)載電容,額定頻率為6pF.但是你確認(rèn)實(shí)際振蕩從30MHz低至30ppm.
實(shí)際電路板上的負(fù)載電容似乎大于6pF.所以你用8pF作為負(fù)載電容改變指定30MHz的晶體單元.通過這種變化,實(shí)際振蕩頻率從30MHz低至5ppm,您可以調(diào)整頻率差.
3-3、振蕩不正常
振蕩電路可能不在晶體單元的標(biāo)稱頻率附近工作.
它被稱為“不規(guī)則振蕩”,如果C-MOS逆變器不是非緩沖型,可能會(huì)發(fā)生這種情況.通過調(diào)節(jié)阻尼電阻和外部負(fù)載電容,可以減少不規(guī)則振蕩的可能性.為了從根本上解決這個(gè)問題,需要應(yīng)用具有非緩沖型C-MOS逆變器的IC.
當(dāng)發(fā)現(xiàn)不規(guī)則振蕩時(shí),請(qǐng)聯(lián)系IC制造商確認(rèn)C-MOS逆變器是否為非緩沖型.如果您考慮的IC不是非緩沖型,請(qǐng)考慮將IC更換為具有非緩沖型C-MOS逆變器的替代型IC.
*Unbuffer類型
在用C-MOS逆變器構(gòu)成的振蕩電路中,具有單個(gè)C-MOS的逆變器,稱為“非緩沖型”,效果更好.采用多C-MOS或施密特觸發(fā)器型的逆變器不適用于振蕩電路,因?yàn)樗鼈兡軌蛟跊]有晶振晶體單元的情況下啟動(dòng)不希望的振蕩.
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