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- [行業(yè)新聞]了解愛(ài)普生高頻差分晶振LVDS輸出的意義2018年12月03日 10:15
科技發(fā)展對(duì)差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌紛紛推出差分晶體振蕩器,比如我們所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,愛(ài)普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我們都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是輸出的方式是差分信號(hào).
那么差分晶振的輸出是什么意思呢?差分晶振輸出是指輸出差分信號(hào)使用2種相位彼此完全相反的信號(hào),從而消除了共模噪聲,并產(chǎn)生一個(gè)更高性能的系統(tǒng).這種方式可輸送高頻,并具有抗噪音強(qiáng),低抖動(dòng)等特征.常見(jiàn)的差分輸出為L(zhǎng)VDS、HCSL、LV-PECL.下面所介紹到的是愛(ài)普生LVDS輸出的差分晶振.
愛(ài)普生差分晶振參數(shù)
項(xiàng)目 符號(hào) 規(guī)格說(shuō)明 條件 LV-PECL LVDS SG3225EAN
SG5032EAN
SG7050EANSG3225VAN
SG5032VAN
SG7050VAN輸出頻率范圍 f0 73.5MHz to 700MHz 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息。 電源電壓 VCC K : 2. V to 3.3V VCC=±10 % 儲(chǔ)存溫度范圍 T_stg -40 °C to +125 °C 存儲(chǔ)為單一產(chǎn)品 工作溫度范圍 T_use B:-20 °C to +70 °C
G:-40 °C to +85 °C頻率穩(wěn)定度 f_tol C:±20 × 10-6
E:±30 × 10-6
J:±50 × 10-6功耗 ICC 65mA Max. 30mA Max. OE =VCC
L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω
f0 = 700MHz輸出禁用電流 I_dis 20 mA Max. OE = GND 占空比 SYM 45 % to 55 % 在輸出交叉點(diǎn) 輸出電壓
(LV-PECL)VOH VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V - DC 特征 VOL VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V - 輸出電壓
(LVDS)VOD - 250 mV to 450 mV VOD1 , VOD2 DC 特征 dVOD - 50 mV Max. dVOD = | VOD1 - VOD2 | VOS - 1.15 V to 1.35 V VOS1 , VOS2 dVOS - 150 mV Max. dVOS = | VOS1 - VOS2 | 輸出負(fù)載條件
(ECL) / (LVDS)L_ECL 50 Ω - 終止于 VCC - 2.0 V L_LVDS - 100 Ω 連接到 OUT 與 OUT之間 輸入電壓 VIH 70 % VCC Min. OE 終端 VIL 30 % VCC Max. 上升/下降時(shí)間 tr/tf 350 ps Max. - 20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ). - 300 ps Max. 20 % ~ 80 %微分輸出 峰-峰值 振蕩啟動(dòng)時(shí)間 t_str 3 ms Max. 在電源電壓最低時(shí)，所需時(shí)間為 0 秒 相位抖動(dòng) tPJ 0.6 ps Max. *1 抵消頻率 : 12 kHz ~ 20 MHz 頻率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25 °C , 第一年
VCC = 2.5 V or 3.3V差分晶振的不同輸出意義:HCSL代表"高速電流轉(zhuǎn)向邏輯".LVDS代表"低壓差分信號(hào)".LV-PECL輸出代表"低壓正發(fā)射極耦合邏輯".愛(ài)普生晶振通過(guò)使用PLL技術(shù)和AT晶體單元來(lái)實(shí)現(xiàn)寬的頻率范圍,參數(shù)表中我們看到了愛(ài)普生差分晶振的頻率可達(dá)73.5MHz~700MHz高頻率點(diǎn),儲(chǔ)存溫度在-40℃~125℃,使用性能穩(wěn)定.
愛(ài)普生差分晶振編碼
愛(ài)普生晶振編碼 差分晶振型號(hào) 頻率 封裝尺寸 輸出 溫度范圍 偏差 X1G0042810001 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810004 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810005 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810011 SG7050VAN差分晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810014 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810020 SG7050VAN差分晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810024 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810031 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810033 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810038 SG7050VAN差分晶振 700.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810039 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810044 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810049 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810050 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810052 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810061 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810062 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810063 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810068 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810069 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810071 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm 差分晶振常見(jiàn)的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三種封裝尺寸,文中所列舉的是愛(ài)普生5x7體積的部分差分晶振編碼.均為較高的頻率點(diǎn),為輸出LVDS方式,電源電壓范圍2.5V/3.3V,振蕩啟動(dòng)時(shí)間在電源電壓最低時(shí),所需時(shí)間為0秒.愛(ài)普生差分晶振具有性能強(qiáng),精密穩(wěn)定,低電壓的特征,普遍用于對(duì)于高速網(wǎng)絡(luò)要求的應(yīng)用.
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