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HOSONIC晶振,壓控晶振,D3SV晶振,3225壓控晶體振蕩器

頻率：1.75M~54MHZ

尺寸：3.2x2.5mm

壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,SMD壓控振蕩器應(yīng)用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線：0755-27876565

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鴻星晶振的產(chǎn)品作為一個(gè)健康的心為客戶工作,因此我們投資建立一個(gè)有能力的團(tuán)隊(duì)和基礎(chǔ)設(shè)施,為我們所做的每一個(gè)產(chǎn)品.公司建立平臺(tái)有機(jī)的學(xué)習(xí)鼓勵(lì)跨職能團(tuán)隊(duì)的工作保持更好的環(huán)境和溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器技術(shù)改進(jìn).

鴻星晶振科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述.鴻星晶振公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù).

1.為環(huán)境保護(hù)和降低成本開發(fā)綠色技術(shù).

2.為協(xié)調(diào)發(fā)展,共同參與社會(huì)的環(huán)境、健康與安全的改善活動(dòng).

3.在產(chǎn)品的整個(gè)生命周期內(nèi)確定、評(píng)價(jià)和改進(jìn)重要的環(huán)境、健康和安全因素.

4.建立和維護(hù)以國(guó)際協(xié)定和國(guó)家環(huán)境、健康與安全法律法規(guī)為基礎(chǔ)的企業(yè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn).

5.為防止事故的發(fā)生和制造清潔的生產(chǎn)環(huán)境,開發(fā)生產(chǎn)過(guò)程的安全技術(shù),明確緊急狀態(tài)反應(yīng)的職責(zé).

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HOSONIC晶振,壓控晶振,D3SV晶振,3225壓控晶體振蕩器,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

壓控晶體振蕩器原理：

壓控晶體振蕩器是通過(guò)調(diào)節(jié)（控制腳）電壓,使振蕩器輸出頻率變化的石英晶體振蕩器,主要是通過(guò)變容二極管（Vd）的電容的變化,使晶體諧振器的振蕩頻率發(fā)生變化.

牽引范圍（VCXO）：是針對(duì)VCXO壓控晶振的參數(shù).

帶有壓控功能的晶振為（VCXO）,即通過(guò)調(diào)節(jié)控制電壓改變輸出頻率.牽引范圍為變化頻率(增大或減少)與中心頻率的比值.此值一般用ppm表示.通常牽引范圍大約為100 - 200ppm,取決于VCXO壓控晶振的結(jié)構(gòu)和所選擇的晶體.

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鴻星晶振型號(hào)		D3SV晶振
輸出頻率范圍		1.75M~54MHZ
標(biāo)準(zhǔn)頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+1.68?+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機(jī)時(shí)電流		-更多詳細(xì)參數(shù)歡迎咨詢億金電子http://www.bzmfr.cn/
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負(fù)載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負(fù)載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長(zhǎng)期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

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D3SV 3225 VCXO

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在使用鴻星晶振時(shí)應(yīng)注意以下事項(xiàng):

安裝SMD有源晶體振蕩器

請(qǐng)確保不要超過(guò)相應(yīng)的回流條件元件規(guī)格,如峰值溫度,最大持續(xù)時(shí)間,數(shù)量等暴露,溫度變化率與時(shí)間的關(guān)系等.HOSONIC晶振,壓控晶振,D3SV晶振,3225壓控晶體振蕩器

手工焊接可在最高350℃的溫度下進(jìn)行.持續(xù)3秒最大.不允許焊接在金屬封裝表面或焊接的封裝邊緣上.請(qǐng)避免電路板的極端變形.變形可能導(dǎo)致分離PCB接觸墊,SMD晶振,有源晶體振蕩器端子的分離或焊接接頭的裂縫.

特別是在已經(jīng)將組件與組件分開時(shí)要求完全注意安裝.應(yīng)避免板的任何變形或彎曲.如果使用自動(dòng)安裝系統(tǒng),請(qǐng)選擇輕微沖擊的設(shè)備產(chǎn)生,并在使用前檢查電擊的強(qiáng)度.

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深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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D3SV晶振臺(tái)灣進(jìn)口VCXO晶體振蕩器網(wǎng)絡(luò)控制器晶振

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