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領(lǐng)先同行的手機(jī)攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振

頻率:26MHZ

尺寸:2520mm

領(lǐng)先同行的手機(jī)攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振,臺(tái)灣HOSONIC晶振公司,臺(tái)產(chǎn)晶振,鴻星晶振,特點(diǎn):非常緊湊和薄(2.5*2.0*0.65毫米最大)頻率范圍12M ~ 62.5M,具有優(yōu)良的電氣性能,是OA(辦公自動(dòng)化),AV(視聽(tīng)),藍(lán)牙和無(wú)線局域網(wǎng)應(yīng)用的理想選擇。優(yōu)異的耐熱性和抗震性,無(wú)鉛。滿足使用無(wú)鉛焊料的回流剖面要求.無(wú)源晶振,四腳晶振,貼片晶振,石英晶振,鴻星晶振,臺(tái)灣晶振,2520晶振,6G室外基站晶振,航空航天晶振,空間站晶振,環(huán)保無(wú)鉛晶振,高精度晶振,北斗衛(wèi)星定位模塊晶振,智能水表晶振
訂購(gòu)熱線:0755-27876565
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領(lǐng)先同行的手機(jī)攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振,臺(tái)灣HOSONIC晶振公司,臺(tái)產(chǎn)晶振,鴻星晶振,特點(diǎn):非常緊湊和薄(2.5*2.0*0.65毫米最大)頻率范圍12M ~ 62.5M,具有優(yōu)良的電氣性能,是OA(辦公自動(dòng)化),AV(視聽(tīng)),藍(lán)牙和無(wú)線局域網(wǎng)應(yīng)用的理想選擇。優(yōu)異的耐熱性和抗震性,無(wú)鉛。滿足使用無(wú)鉛焊料的回流剖面要求.無(wú)源晶振,四腳晶振,貼片晶振,石英晶振,鴻星晶振,臺(tái)灣晶振,2520晶振,6G室外基站晶振,航空航天晶振,空間站晶振,環(huán)保無(wú)鉛晶振,高精度晶振,北斗衛(wèi)星定位模塊晶振,智能水表晶振

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領(lǐng)先同行的手機(jī)攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振

項(xiàng)目   標(biāo)志 E2SB
頻率范圍 F0 12 to 15.999MHz
工作模式 Fundamental
負(fù)載電容 CL 8  to 16pF
頻率容差 F/ F0 ±10ppm,±15ppm,±30ppm(At 25)
等效串聯(lián)電阻 ESR 120Ω max.
溫度穩(wěn)定度 TC ±10ppm,±15ppm,±30ppm(Refer to 25)
工作溫度范圍 TOPR -20~+70,-30~+85 Option
儲(chǔ)存溫度范圍 TSTG -55~+125℃
分流電容 C0 3pF max.
絕緣電阻 IR 500MΩ min. (At 100VDC)
驅(qū)動(dòng)電平 DL 50?W(100?W max.)
老化 Fa ±2ppm max. (At 25,First year)
包裝單位 3000pcs/reel
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領(lǐng)先同行的手機(jī)攝像模塊晶振,Hosonic高品質(zhì)晶體,E2SB26E000103E晶振

E2SB(Former HCX-2SB) 2520

E2SB

鴻星原廠編碼 生產(chǎn)商品牌 型號(hào) 頻率 頻率穩(wěn)定度 頻率容差 負(fù)載電荷 工作溫度
E2SB40E000104ECBB8 Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±7ppm 12pF -30°C ~ 90°C
E2SB38E0X0300E Hosonic晶振 E2SB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -30°C ~ 85°C
E2SB40E000107E Hosonic晶振 E2SB 40 MHz -12ppm, +20ppm ±5ppm 12pF -40°C ~ 105°C
E2SB40E00010AE Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±7ppm 7pF -30°C ~ 85°C
E2SB27E0X0000E Hosonic晶振 E2SB 27.12 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF -20°C ~ 70°C
E2SB24E001801E Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±20ppm ±20ppm 12pF -40°C ~ 85°C
E2SB40E000108E Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±15ppm ±7ppm 6pF -40°C ~ 100°C
E2SB12E000005E Hosonic晶振 E2SB 12 MHz ±20ppm ±20ppm 12pF -20°C ~ 70°C
E2SB16E00000ME Hosonic晶振 E2SB 16 MHz ±30ppm ±30ppm 12pF -40°C ~ 85°C
E2SB26E001201E Hosonic晶振 E2SB 26 MHz ±13ppm ±5ppm 9pF -40°C ~ 85°C
E2SB32E001201E Hosonic晶振 E2SB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF -30°C ~ 85°C
E2SB12E000014E  Hosonic晶振 E2SB 12 MHz ±10ppm ±10ppm 20pF -20°C ~ 70°C
E2SB12E009200E  Hosonic晶振 E2SB 12 MHz ±20ppm ±30ppm 10pF -40°C ~ 85°C
E2SB16E000003E  Hosonic晶振 E2SB 16 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF -20°C ~ 70°C
E2SB16E000007E  Hosonic晶振 E2SB 16 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB24E00000LE Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB24E00000ZE  Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E2SB24E000016E  Hosonic晶振 E2SB 24 MHz ±10ppm ±10ppm 20pF  -30°C ~ 85°C
E2SB26E000005E Hosonic晶振 E2SB 26 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF -20°C ~ 70°C
E2SB26E000103E  Hosonic晶振 E2SB 26 MHz ±10ppm ±10ppm 7.5pF  -20°C ~ 75°C
E2SB27E00000EE  Hosonic晶振 E2SB 27 MHz ±10ppm ±10ppm 20pF  -30°C ~ 85°C
E2SB27E0X000CE  Hosonic晶振 E2SB 27.12 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB32E00000LE  Hosonic晶振 E2SB 32 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E2SB32E000018E  Hosonic晶振 E2SB 32 MHz ±10ppm ±20ppm 10pF -40°C ~ 85°C
E2SB37E0X0002E  Hosonic晶振 E2SB 37.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB37E0X0004E  Hosonic晶振 E2SB 37.4 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB38E0X000HE  Hosonic晶振 E2SB 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E00000JE  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±7ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E00000RE  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±30ppm ±30ppm 20pF -40°C ~ 85°C
E2SB40E00000WE  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000003E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000007E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000009E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB40E000103E  Hosonic晶振 E2SB 40 MHz ±7ppm ±10ppm 11pF  -40°C ~ 100°C
E2SB48E000009E  Hosonic晶振 E2SB 48 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF  -30°C ~ 85°C
E2SB54E000000E  Hosonic晶振 E2SB 54 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF -20°C ~ 70°C

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UJ2600007Z,智能手機(jī)晶振,臺(tái)產(chǎn)DIODES晶振,低相位抖動(dòng)晶振,UJ晶體,削峰正弦波晶振
UJ2600007Z,智能手機(jī)晶振,臺(tái)產(chǎn)DIODES晶振,低相位抖動(dòng)晶振,UJ晶體,削峰正弦波晶振
UJ2600007Z是一款臺(tái)產(chǎn)的DIODES晶振,專為智能手機(jī)量身打造,屬于UJ晶體系列。作為低相位抖動(dòng)的削峰正弦波晶振,它為智能手機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào),是保障手機(jī)各項(xiàng)功能高效運(yùn)作的關(guān)鍵元件。這款晶振采用先進(jìn)的制造工藝,選用高品質(zhì)材料,確保在 - 20℃至 + 70℃的工作溫度范圍內(nèi),能將相位抖動(dòng)控制在極低水平,展現(xiàn)出卓越的頻率穩(wěn)定性。其削峰正弦波輸出特性,不僅降低了諧波干擾,還優(yōu)化了信號(hào)質(zhì)量,為手機(jī)的射頻模塊、處理器及其他關(guān)鍵組件提供純凈、穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn)。在智能手機(jī)中,無(wú)論是高速的數(shù)據(jù)傳輸、流暢的多媒體播放,還是精準(zhǔn)的定位導(dǎo)航,UJ2600007Z都憑借其穩(wěn)定的性能,確保各個(gè)功能模塊之間的精確協(xié)同工作,提升用戶體驗(yàn)。
臺(tái)產(chǎn)石英晶振,光纖通道晶振,FD0810003晶振,Diodes振蕩器,FD貼片晶體
臺(tái)產(chǎn)石英晶振,光纖通道晶振,FD0810003晶振,Diodes振蕩器,FD貼片晶體
FD0810003臺(tái)產(chǎn)Diodes晶振,憑借其在光纖通道領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),成為光纖通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。它基于先進(jìn)的石英制造工藝,確保了在 - 40℃至 + 85℃的寬溫度范圍內(nèi),具備出色的頻率穩(wěn)定性,能將頻率偏差嚴(yán)格控制在極小范圍,為光纖通道設(shè)備提供可靠的時(shí)鐘基準(zhǔn)。作為FD貼片晶體,其封裝形式不僅實(shí)現(xiàn)了體積的小型化,便于在光纖通信設(shè)備的電路板上進(jìn)行高密度安裝,適應(yīng)設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì),還優(yōu)化了散熱性能和電氣性能,提升了晶振在不同工作條件下的穩(wěn)定性和抗干擾能力。
亞陶低抖動(dòng)晶振,LVDS晶振,7050差分晶振,PX振蕩器,高清視頻系統(tǒng)晶振,PX5000010
亞陶低抖動(dòng)晶振,LVDS晶振,7050差分晶振,PX振蕩器,高清視頻系統(tǒng)晶振,PX5000010
PX5000010作為亞陶的7050封裝LVDS差分低抖動(dòng)晶振,在高清視頻系統(tǒng)領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越性能。7050封裝使其在具備良好機(jī)械穩(wěn)定性的同時(shí),適應(yīng)了現(xiàn)代高清視頻設(shè)備電路板高密度布局的需求,便于安裝且能有效抵抗振動(dòng)和沖擊對(duì)晶振性能的影響。該晶振的低抖動(dòng)特性是其核心優(yōu)勢(shì)。在高清視頻系統(tǒng)中,哪怕極其微小的時(shí)鐘抖動(dòng)都可能導(dǎo)致圖像出現(xiàn)重影、畫面撕裂或音頻視頻不同步等問(wèn)題。PX5000010憑借先進(jìn)的制造工藝和精心設(shè)計(jì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu),將抖動(dòng)控制在極低水平,為高清視頻信號(hào)的處理和傳輸提供了穩(wěn)定且精準(zhǔn)的時(shí)鐘基準(zhǔn)。
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