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FP0600038 6.0000MHz 16PF 30PPM -40~85℃ 7050

頻率:6MHZ

尺寸:7050mm

FP0600038 6.0000MHz 16PF 30PPM -40~85℃ 7050,臺灣Diodes貼片晶振,堅固的AT-cut晶體結構非常緊湊的SMD包可在磁帶和卷軸;16mm磁帶,每卷1000單位FP:無鉛和RoHS /綠色兼容,4墊FP系列接縫密封裝置采用亞切割帶晶體,封裝在7.0 x 5.0mm的范圍內。這些協議可用于在密集的PCB應用中的表面安裝。非常適合磁盤驅動器,PCMCIA,個人電腦和手持式產品。
訂購熱線:0755-27876565
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BLT-2

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FP0600038 6.0000MHz 16PF 30PPM -40~85℃ 7050,臺灣Diodes貼片晶振,堅固的AT-cut晶體結構非常緊湊的SMD包可在磁帶和卷軸;16mm磁帶,每卷1000單位FP:無鉛和RoHS /綠色兼容,4墊FP系列接縫密封裝置采用亞切割帶晶體,封裝在7.0 x 5.0mm的范圍內。這些協議可用于在密集的PCB應用中的表面安裝。非常適合磁盤驅動器,PCMCIA,個人電腦和手持式產品。

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FP0600038 6.0000MHz 16PF 30PPM -40~85℃ 7050

亞陶晶振規格

單位

FP晶振頻率

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

6MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標準),
(±15 × 10-6  ±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.bzmfr.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出標準說明,請聯系我們.

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FP0600038 6.0000MHz 16PF 30PPM -40~85℃ 7050

FP 7050

FP

Diodes零件編號 制造商 系列 類型 頻率 頻率穩定性 頻率容差 負載電容
FP0800018 Diodes晶振 FP MHz 晶體 8 MHz ±50ppm ±50ppm 18pF
FP0800056Z Diodes晶振 FP MHz 晶體 8 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
FP2500070 Diodes晶振 FP MHz 晶體 25 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
FP1070001 Diodes晶振 FP MHz 晶體 10.779375 MHz ±10ppm ±10ppm 12pF
FP1200039 Diodes晶振 FP MHz 晶體 12 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
FP1200040 Diodes晶振 FP MHz 晶體 12 MHz ±30ppm ±30ppm 20pF
FP1200042 Diodes晶振 FP MHz 晶體 12 MHz ±50ppm ±50ppm 22pF
FP2500053 Diodes晶振 FP MHz 晶體 25 MHz ±30ppm ±30ppm 20pF
FP2500054 Diodes晶振 FP MHz 晶體 25 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
FP2500060 Diodes晶振 FP MHz 晶體 25.001875 MHz ±15ppm ±10ppm 12pF
FP2500068 Diodes晶振 FP MHz 晶體 25 MHz ±20ppm ±20ppm 20pF
FP2650002 Diodes晶振 FP MHz 晶體 26.5625 MHz ±30ppm ±30ppm 10pF
FP2650003 Diodes晶振 FP MHz 晶體 26.5625 MHz ±30ppm ±30ppm 15pF
FP3000013 Diodes晶振 FP MHz 晶體 30 MHz ±20ppm ±20ppm 20pF
FP0600026 Diodes晶振 FP MHz 晶體 6 MHz ±50ppm ±30ppm 20pF
FP0600027 Diodes晶振 FP MHz 晶體 6 MHz ±30ppm ±20ppm 18pF
FP0600035 Diodes晶振 FP MHz 晶體 6 MHz ±30ppm ±30ppm 20pF
FP0600038 Diodes晶振 FP MHz 晶體 6 MHz ±30ppm ±30ppm 16pF
FP0600039 Diodes晶振 FP MHz 晶體 6 MHz ±50ppm ±20ppm 18pF
FP0600040 Diodes晶振 FP MHz 晶體 6 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
FP0600041 Diodes晶振 FP MHz 晶體 6 MHz ±30ppm ±30ppm 12pF
FP0730001 Diodes晶振 FP MHz 晶體 - - - -
FP0730013 Diodes晶振 FP MHz 晶體 7.3728 MHz ±50ppm ±50ppm 20pF
FP0730016 Diodes晶振 FP MHz 晶體 7.3728 MHz ±30ppm ±30ppm 20pF
FP0800013 Diodes晶振 FP MHz 晶體 - - - -
FP0800043 Diodes晶振 FP MHz 晶體 - - - -
FP0800046 Diodes晶振 FP MHz 晶體 8 MHz ±15ppm ±10ppm 20pF
FP0800047 Diodes晶振 FP MHz 晶體 8 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
FP0800049 Diodes晶振 FP MHz 晶體 8 MHz ±30ppm ±20ppm 18pF
FP0810004 Diodes晶振 FP MHz 晶體 - - - -
FP0810005 Diodes晶振 FP MHz 晶體 - - - -
FP0980008 Diodes晶振 FP MHz 晶體 9.8304 MHz ±50ppm ±30ppm 20pF
FP6400002 Diodes晶振 FP MHz 晶體 64 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF
FP0600044Q Diodes晶振 FP MHz 晶體 6 MHz ±40ppm ±10ppm 18pF
FP0730017Z Diodes晶振 FP MHz 晶體 7.3728 MHz ±30ppm ±30ppm 18pF

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YJ-6

深圳市億金電子有限公司    SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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UJ2600007Z是一款臺產的DIODES晶振,專為智能手機量身打造,屬于UJ晶體系列。作為低相位抖動的削峰正弦波晶振,它為智能手機的穩定運行提供了精準的時鐘信號,是保障手機各項功能高效運作的關鍵元件。這款晶振采用先進的制造工藝,選用高品質材料,確保在 - 20℃至 + 70℃的工作溫度范圍內,能將相位抖動控制在極低水平,展現出卓越的頻率穩定性。其削峰正弦波輸出特性,不僅降低了諧波干擾,還優化了信號質量,為手機的射頻模塊、處理器及其他關鍵組件提供純凈、穩定的時鐘基準。在智能手機中,無論是高速的數據傳輸、流暢的多媒體播放,還是精準的定位導航,UJ2600007Z都憑借其穩定的性能,確保各個功能模塊之間的精確協同工作,提升用戶體驗。
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FD0810003臺產Diodes晶振,憑借其在光纖通道領域的卓越表現,成為光纖通信系統中的關鍵組件。它基于先進的石英制造工藝,確保了在 - 40℃至 + 85℃的寬溫度范圍內,具備出色的頻率穩定性,能將頻率偏差嚴格控制在極小范圍,為光纖通道設備提供可靠的時鐘基準。作為FD貼片晶體,其封裝形式不僅實現了體積的小型化,便于在光纖通信設備的電路板上進行高密度安裝,適應設備小型化、集成化的發展趨勢,還優化了散熱性能和電氣性能,提升了晶振在不同工作條件下的穩定性和抗干擾能力。
亞陶5032晶振,臺產SQ晶振,HCSL輸出晶振,SQF620001差分晶振,服務器晶振
亞陶5032晶振,臺產SQ晶振,HCSL輸出晶振,SQF620001差分晶振,服務器晶振
SQF620001作為臺產亞陶的5032晶振,憑借其緊湊的5032封裝,完美適配服務器內部高密度的電路板布局。這種封裝不僅節省空間,還具備良好的散熱與機械穩定性,確保晶振在服務器長時間運行產生的高溫與振動環境中,依舊能保持穩定性能。其HCSL輸出特性,使該晶振在服務器復雜電磁環境下優勢盡顯。HCSL差分輸出通過傳輸一對相位相反的信號,極大地增強了抗干擾能力,有效抑制共模干擾,保障時鐘信號在服務器內部長距離傳輸時的準確性與完整性。這對于服務器內CPU、內存、存儲設備及網絡接口等組件間的高速數據交互尤為關鍵,確保數據傳輸的精準無誤。
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國內晶振分類:
Domestic Crystal
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