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津綻晶振,石英晶振,NXA UM-1晶振,NXB UM-5晶振

頻率:3.5M~160MHZ

尺寸:8.4x3.2mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.
訂購熱線:0755-27876565
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NSK-1

臺灣津綻NSK晶體科技是專業(yè)的石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,陶瓷晶振,聲表面諧振器,貼片晶振制作商,公司創(chuàng)于臺灣1996年成立,創(chuàng)建品牌為【NSK1997年在香港成立分公司,1998年在深圳成立分部,2001年到廣東省東莞市投資建廠,主要生產(chǎn)石英晶體諧振器,無源晶振,石英晶體振蕩器,有源晶振,東冠生產(chǎn)線主要生產(chǎn)小尺寸SMD晶體系列.

臺灣津綻NSK晶體主要生產(chǎn)產(chǎn)品為全系列石英晶體振蕩子即:石英晶體諧振器,(DIP晶體 SMD 晶體),石英晶體振蕩器 (SMD OSCILLATOR) 和石英晶體控制振蕩器 (SMD晶振 VCXO壓控晶振).

臺灣津綻NSK晶體科技股份有限公司擁有超過 10 年以上的生產(chǎn)經(jīng)驗,秉持著持續(xù)開發(fā)與專業(yè)技術(shù)支持,提供使用者最佳的解決方案及最好的服務(wù)質(zhì)量.NSK是津綻石英科技股份有限公司于全球的銷售品牌,具有良好競爭性的價格及靈活快速的交貨管理.

臺灣津綻NSK晶振科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述.本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動、產(chǎn)品及服務(wù).

臺灣津綻NSK晶體科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考慮面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實施.并不斷透過教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識,藉由改善公司制程以達到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負擔(dān),并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.

yijin-1

津綻晶振,石英晶振,NXA UM-1晶振,NXB UM-5晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.

 石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

yijin-2

NSK晶振規(guī)格

單位

NXA UM-1晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

3.5MHZ~160MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-20°C +70°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C +60°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.bzmfr.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

8pF~32PF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

NSK晶振規(guī)格

單位

NXB UM-5晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

10MHZ~160MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-20°C +70°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C +60°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.bzmfr.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

8pF ~32PF

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

yijin-3

NXA UM-1晶振尺寸圖:

NXA UM-1 DIP 8.0-3.2

NXB UM-5晶振尺寸圖:

NXB UM-5 DIP 8.0-3.2

yijin-4在使用NSK晶振時應(yīng)注意以下事項:

插件晶振安裝示例:

cjjzaz

DIP 產(chǎn)品
已變形的石英晶振引腳不能插入板孔中.請勿施加過大壓力,以免引腳變形.

SOJ 產(chǎn)品和SOP 產(chǎn)品
請勿施加過大壓力,以免石英晶振引腳變形.已變形的石英晶振引腳焊接時會造成浮起.尤其是SOP產(chǎn)品需要更加小心處理.

超聲波清洗

1)使用AT-切割晶體和聲表面濾波器SAW/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗.但是,在某些條件下, 晶振特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.

2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶振可能受到破壞.

3)請勿清洗開啟式晶振產(chǎn)品

4)對于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等.

5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固.這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象.這將會負面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量.請清理殘余的助焊劑并烘干PCB.

操作

請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.

使用環(huán)境(溫度和濕度)

請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產(chǎn)生.

晶振/石英晶體諧振器

激勵功率

在晶振上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?/span> (請參閱激勵功率章節(jié)內(nèi)容).臺灣津綻晶振,石英晶振,NXA UM-1晶振,NXB UM-5晶振

負極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱關(guān)于振蕩章節(jié)內(nèi)容).

負載電容

有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱負載電容章節(jié)內(nèi)容).

yijin-5

YJ-6

深圳市億金電子有限公司    SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

mphone聯(lián)系人黃娜:18924600166

QQ工作QQ:857950243

myt貿(mào)易通:yijindz2014

tel座機:0755-27876565

email郵箱:yijindz@163.com

inter 網(wǎng)址:http://www.yijindz.com

mwx微信:yijindz,公眾號:NDKcrystal

home地址:廣東省深圳市寶安區(qū)107國道旁甲岸路

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晶振系列

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國內(nèi)晶振分類:
Domestic Crystal
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