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Pletronics晶振,差分晶振,LV77D晶振,LV77F晶振,LV77G晶振,LV77J晶振,LV77K晶振
差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.更多 +
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Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振
差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍更多 +
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Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振
差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.差分晶振的精度值（PPM）可精確到±10PM,普通晶振達不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時間超快為0秒更多 +
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Pletronics晶振,差分晶振,HC77D晶振
差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點, 差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz更多 +
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Pletronics晶振,差分晶振,HC55D晶振
差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點, 差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz更多 +
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IDT晶振,XUQ晶振,差分晶振
差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.更多 +
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IDT晶振,差分晶振,XUP晶振
差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡交換機等網(wǎng)絡通訊設備中.網(wǎng)絡設備對高標準參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動具備低抖動特征.更多 +
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IDT晶振,差分晶振,XUO晶振
差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.更多 +
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IDT晶振,差分晶振,XUM晶振
差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點, 差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz,特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”更多 +
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IDT晶振,有源晶振,XU-XL晶振
差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.更多 +
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IDT晶振,差分晶振,XUN晶振
差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.更多 +
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IDT晶振,差分晶振,XUL晶振
差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍更多 +
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IDT晶振,XLP晶振,LVPECL-差分晶振
差分晶振,相較于普通晶振而言,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,是普通貼片晶振所不能夠達到的,差分晶振具有低電平,低抖動,低功耗等特性.差分晶振作為目前行業(yè)中高要求、高技術石英晶體振蕩器,具有相位低、損耗低的特點.更多 +
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IDT晶振,差分晶振,XLL晶振,5032晶振
差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點, 差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz更多 +
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IDT晶振,差分晶振,8N4DV85晶振,壓控晶振
SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點更多 +
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IDT晶振,差分晶振,8N3D085晶振
差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點, 差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz更多 +
- [技術支持]用于高速鏈路的PAM42024年12月13日 11:05
- 數(shù)據(jù)中心需要極其可靠的 200Gbps、400Gbps 或更高吞吐量鏈路，以維持在密集的機架式服務器中增加用戶應用程序負載所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)流量。PAM4 代表脈沖幅度調制，4 級。這是實現(xiàn)高速、400Gbps 和 800Gbps 鏈路的關鍵技術。對以太網(wǎng)帶寬的需求不斷增長，推動網(wǎng)絡基礎設施供應商和數(shù)據(jù)中心供應商通過以太網(wǎng)實現(xiàn)更高的速度。大多數(shù)網(wǎng)絡基礎設施，如數(shù)據(jù)中心的路由器、交換機和以太網(wǎng)鏈路，已經(jīng)部署了 400Gbps 鏈路，并且已經(jīng)在規(guī)劃 800Gbps 鏈路。SiTime 是一家精密計時公司。我們的可編程解決方案提供了豐富的功能集，使客戶能夠以更高的性能、更小的尺寸、更低的功耗和更好的可靠性來區(qū)分他們的產(chǎn)品。
- 閱讀（39） 標簽：SiTime晶振|差分晶振
- [技術支持]汽車激光雷達的 MEMS 時序解決方案2024年12月12日 10:38
- 汽車激光雷達存在幾種測量方法：飛行時間 （ToF）、調頻連續(xù)波或時間數(shù)字轉換 （TDC）。精確計時對于保證系統(tǒng)的準確性起著重要作用。SiT9396 和 SiT9397 的低抖動使這些器件非常適合為 LiDAR 應用的模擬部分提供時鐘。使用 ADC 時，抖動會導致量化誤差。當 clock上出現(xiàn)過度的 jitter 時，換句話說，當 clock edge 來得太早或太晚時，ADC 會在錯誤的時刻對 incoming signal 進行采樣。數(shù)據(jù)流中的錯誤值會嚴重影響系統(tǒng)的功能。SiTime 硅 MEMS 振蕩器出色的動態(tài)性能有助于系統(tǒng)符合 SOTIF（預期功能的安全性）。MEMS 振蕩器確保 clocks 在其整個生命周期內(nèi)保持在規(guī)格范圍內(nèi)，無論環(huán)境如何變化。
- 閱讀（30） 標簽：SiTime晶振|32.768K振蕩器|差分晶振
- [技術支持]哪種晶體振蕩器輸出信號最適合您的應用?2024年12月07日 09:53
- 晶體振蕩器的輸出信號類型可以提供不同的優(yōu)點和缺點，具體取決于您試圖使用產(chǎn)品實現(xiàn)的目標。常見的信號類型分為兩類：單端和差分邏輯輸出。每個類別都包括幾種類型的輸出信號。選擇哪種信號類型取決于應用程序的特定需求。正弦波通常提供最好的相位噪聲，其次是 CMOS，然后是差分。更高的頻率往往需要差分信號，具有更好的上升和下降時間，對共模噪聲的抵抗力更強它的 EMI 問題較少。
- 閱讀（25） 標簽：差分晶體振蕩器|石英晶體振蕩器
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- 10ECS-240-18-33-JEN-TR3非常適合電路板空間至關重要的應用
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