科技發展對差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌紛紛推出差分晶體振蕩器,比如我們所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,愛普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我們都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是輸出的方式是差分信號.

  那么差分晶振的輸出是什么意思呢?差分晶振輸出是指輸出差分信號使用2種相位彼此完全相反的信號,從而消除了共模噪聲,并產生一個更高性能的系統.這種方式可輸送高頻,并具有抗噪音強,低抖動等特征.常見的差分輸出為LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介紹到的是愛普生LVDS輸出的差分晶振.

  愛普生差分晶振參數

  差分晶振的不同輸出意義:HCSL代表"高速電流轉向邏輯".LVDS代表"低壓差分信號".LV-PECL輸出代表"低壓正發射極耦合邏輯".愛普生晶振通過使用PLL技術和AT晶體單元來實現寬的頻率范圍,參數表中我們看到了愛普生差分晶振的頻率可達73.5MHz~700MHz高頻率點,儲存溫度在-40℃~125℃,使用性能穩定.

  愛普生差分晶振編碼

  差分晶振常見的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三種封裝尺寸,文中所列舉的是愛普生5x7體積的部分差分晶振編碼.均為較高的頻率點,為輸出LVDS方式,電源電壓范圍2.5V/3.3V,振蕩啟動時間在電源電壓最低時,所需時間為0秒.愛普生差分晶振具有性能強,精密穩定,低電壓的特征,普遍用于對于高速網絡要求的應用.

      IDT晶振集團所生產石英晶體振蕩器,有源晶振,貼片晶振,有源差分晶振均采用ISO14001環境管理系統進行,超強的環保方式, 減小業務活動對環境造成的負擔,并通過業務發展推進環境改善.IDT石英晶振采用嚴格的符合國際標準的質量管理體系,每一道生產工序都必須經過反復的檢查測試.

  艾迪悌差分晶振代碼編碼

   精工晶振成立多年專注于服務世界各地用戶,為不同行業提供高價值,高品質晶振產品,所提供的32.768K晶振多種封裝尺寸,滿足廣大用戶對于參數的要求.以下為精工SSP-T7-F晶振的參數表格,從中我們可以了解到此款7015貼片晶振精度可達±5, ±10, ±20PPM高精度, 頻率偏差小,具有負載電容7.0pF/9.0pF/12.5pF多種選擇.并且具有耐高溫特性.

精工SSP-T7-F晶振參數

以下為億金電子所提供的精工晶振SSP-T7-F晶振不同參數的原廠編碼,歡迎收藏選用.

精工晶振原廠編碼

NDK晶振一直不斷研發創新緊跟市場腳步,總能滿足各種應用需求.所生產晶振材料均選擇無鉛無害符合國際ROHS標準.多年來憑借自身的獨特生產技術占領市場,以質量贏得廣大用戶辛辣,長期合作伙伴超過上百家.下面要給大家介紹的是NDK新型溫補晶體振蕩器NR3225SA晶振.

   日本NDK晶振所推出的最適用于高精度時間基準器件的NR3225SA晶振, 采用的是3225封裝,為8個表貼裝腳位,超薄的厚度為1.0mm,具有小型,高精密,低功耗,高性能等特點.更多NDK晶振詳細信息歡迎咨詢億金電子0755-27876565.

Oscilent晶振的頻率控制元件產品系列因其可靠性,耐用性和性能而廣受認可.美國Oscilent晶振均已獲得ISO-9002質量管理體系認證.下面所介紹到的是Oscilent差分晶振.我們都知道差分晶振常用差分輸出具有LVDS,LV-PECL,HCSL三種輸出.

差分晶振通俗易懂的解釋為是具有差分信號輸出的石英晶體振蕩器.以下列表中是美國Oscilent晶振LV-PECL輸出差分晶振型號列表.包括5x7mm,5x3.2mm,3.2x2.5mm封裝尺寸,同時滿足產品不同需求,可提供4腳,6腳焊接.Oscilent差分晶振可提供外部溫度和緊密穩定性,可用頻率范圍為19.44MHz-180MHz,具有耐高溫,低抖動,高性能,低相噪等特點.

精工愛普生擁有“QMEMS”獨特的生產技術,'QMEMS（Quartz +'MEMS'）'是促進MEMS（微電子機械系統）晶體材料微加工工藝的獨特技術的名稱,為EPSON生產晶振提供了最關鍵的支持.愛普生晶振集團通過充分利用這項技術的優勢,制造了小型,高性能,低損耗的石英貼片晶振產品.

EPSON晶振QMEMS生產技術是世界晶體行業的領先技術,是愛普生晶振集團30多年來工程師的努力成果.正是因為愛普生晶振工程師們的不懈努力,才有了后面這些一系列的小體積,高精密石英晶振,貼片晶振,有源晶振,差分晶振,壓控溫補晶振.在后面的文章中我們將要說的是愛普生工程師們經過不斷努力研發生產的32.768K,石英晶體,貼片晶振的過程,以及愛普生晶振QMEMS技術穩定基礎,敬請期待.

 愛普生是業內擁有超高人氣的日產晶振品牌,不僅在日本而且在國際上也同樣赫赫有名.愛普生晶振成立于1942年,一直以來為研發生產更高精密,高性能晶振產品不斷努力.多年來積累了豐富的專業知識,以獨特的生產技術為世界不同領域提供質優價廉的石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器,壓電水晶振蕩子等.

      隨著無線網絡,智能家電,4G,5G網絡,自動駕駛汽車等高科技的發展,對于石英晶體振蕩器的使用性能也要求越來越高.比如現在我們所依賴的網絡,單從速度上就不能滿足我們的需求了,而高精度SG3225EAN差分晶振就是為千兆光纖通信而生,為了我們更好的使用高速網絡,為滿足網絡設備對高標準參考時鐘的需求.

石英晶體的密度為265g/cm3,莫氏硬度為7,透明晶瑩。在常溫常壓下,石英晶體不溶于水和三酸(鹽酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3)屬于溶解度極小的物質。但在高溫高壓下,再加入適量助溶劑,如碳酸鈉(Na2CO3)或氫氧化鈉(NaOH)等,就可大大提高其溶解度。這個特點被用于石英晶體的人工培育。

氫氟酸(HF)、氟化銨(NH4F)與氟化氫銨(NH4HF2)是石英貼片晶振,石英晶體良好的溶解液,這在石英晶片加工中是很有用的。石英晶體是一種良好的絕熱材料,導熱系數比較小(見表1.3.1)

表1.3.1石英晶體的導熱系數

室溫附近,沿z軸方向的導熱系數是沿垂直于z軸方向導熱系數的二倍左右與z軸成q角的任一方向的導熱系數可由下式求得(1.3.1)Kφ=K3cos²φ+K1sin²φ,其中K1是垂直于Z軸的導熱系數,K3是平行于z軸的導熱系數石英晶體的膨脹系數也很小,且沿z軸方向的線膨脹系數a3約為沿垂直于z軸方向線膨脹系數a1的1/2(見表1.3.2)。

表1.3.2石英晶體的線膨脹系數值

若已知a1和a3,由下式可求出與Z軸成φ角的任一方向的線膨脹系數aL：al=a3+(a1-a3)sin²φ (1.32)

在室溫附近:aL=(7.48+623sin²φ)×10-6 (1.33)

并可由a1和a3求得體膨脹系數ar：ar=2a1+a3 (1.3.4)

由于石英晶體的熱膨脹系數較小,因此可用于精密儀器中。但當它被加熱時, 體膨脹系數會發生很大變化。在溫度達573℃時,石英晶體由a石英晶體轉變為B石英,體積急劇增大。石英晶體諧振器內部產生的較強的機械應力可能會造成裂隙和雙晶,這是在石英晶體元件的加工中要注意避免的。

石英晶體還是一種良好的絕緣體,其電阻率可由下式求得：p=Be-AT;式中,p為電阻率,T為絕對溫度,e為自然對數的底,A等于1.15×104B為相應的常數。平行于z軸方向的B=3000,垂直于z軸方向的B為平行于z軸方向的1/80。B值除與晶體結構有關外,還與沿z軸方向孔道中堿金屬雜質(K+、Na+)的存在有關。表1.3.3列出了晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器,石英晶體在不同溫度下的電阻率,單位為ohm. cn。

表1.3.3石英晶體在不同溫度下的p(ohm.cm)

石英晶體介電常數(描述材料介電性質的量,是電位移D與電場強度E的一個比例系數)的各向異性不很明顯,平行于z軸的介電常數ε3=4.6,垂直于z軸的介電常數ε1=4.5。在電場作用下,電介質發熱而消耗的能量叫介質損耗,通常以損耗角的正切值(tg6)來表示其損耗的大小。有源晶體振蕩器,比如溫補晶振,壓控晶振,有源石英晶體的介質損耗較小,tg6<2×10-4因此用它作電氣材料具有高穩定性。

石英晶體雖不像諸如彈簧、橡皮筋那樣的物體,振動日時能看到明顯地形變,但是它仍然服從彈性定律(胡克定律),并且可以通過全息照相看到它形變的情況。當然,石英晶體的形變更復雜些,描述更困難些,這將在第二章中進一步講述。

某些電介質由于外界的機械作用(如壓縮、拉伸等)而在其內部發生變化產生表面電荷,這種現象叫壓電效應。具有壓電效應的電介質也存在逆壓電效應,即如果將具有壓電效應的介質置于外電場中,由于電場的作用,會引起介質內部正負電荷中心位移,而這位移又導致介質發生形變,這種效應稱為逆壓電效應。

正像某些其它晶體(如酒石酸鉀鈉KNaC4H4O6.4H2O、鈦酸鋇 BaTio3等等)那樣,貼片有源晶振,石英晶體也具有壓電效應。由于其結構的特殊性,不是任何方向都存在壓電效應的,只有在某些方向,某些力的作用下才產生壓電效應。

例如:當石英晶體受到沿x軸方向的力作用時,在x方向產生壓電效應,而y、z方向則不產生壓電效應,當石英晶體受到沿y軸方向的力作用時,在x方向產生壓電效應,而y、z方向也不產生壓電效應。若受到沿z軸方向的力作用時,是不產生壓電效應。因此又稱x軸為電軸,y軸為機械軸。利用石英晶體的壓電效應可制造多種高穩定性的頻率選擇和控制元件,這將在以后各章逐步講述。

石英晶體也與其它一些物質(如方解石CaCO3、硝酸鈉NaNO3晶體等)那樣具有雙折射現象,即一束光射入石英晶體時,分裂成兩束沿不同方向傳拓的光其中一束光遵循折射定律,叫做尋常光或稱“0”光,另一束光不遵循折射定律,叫做非尋常光,又稱“e”光,如圖1.3.1所示,尋常光在石英晶體內部各個方向上的折射率mo是相等的,而非尋常光在石英晶振,石英晶體的內部各個方向的折射率n0卻是不相等的。

例如:對于波長為5893A的光,石英晶體的n0=1.54425,最大的ne=1.5536。石英晶體雖然具有雙折射現象,但當光沿z軸方向入射時,不發生雙折射現象,所以又稱z軸為光軸石英晶體還具有旋光性。即平面偏振光(光振動限于某一固定方向的光)沿z軸方向通過石英晶體后,仍然是平面偏振光,但其振動面卻較之原振動面旋轉了一個角度。

圖1.3.1石英晶體的雙折射

石英晶體的光學性質被應用到制造各種光學儀器和石英片加工工藝中。

從六十年代起開展了石英晶體,SMD晶振元件輻射效應的研究工作,在此做一些簡單的介紹。

由于宇宙射線的輻照和核武器爆炸,地球周圍存在高能粒子和y射線、X射線等輻射。這些輻射對石英晶體及其器件都有很大的影響,無色透明的石英晶體經放射線照射后會變為煙色,石英晶體元件被輻照后,會使頻率發生變化,穩定性下降,等效電阻升高。

一般認為,石英晶體被γ射線和高能粒子轟擊后,會產生結構空穴和色心,這是由于堿金屬離子(A1+3和Na+)的存在所引起的。因此,要提高石英晶體抗輻射的能力,首先要減少和消除有源恒溫晶振,差分晶振,石英晶體中的上述雜質。

一方面選擇最佳籽晶和生長條件;另一方面可使用“電清除”的方法驅逐晶體中的雜質。有人做過這樣的實驗:用z向厚度為1cm的樣片,加溫到450~470℃,加電壓1500-1700V/cm,通過晶體的電流為250μA,20分鐘后則降為20μA,這時在負極表面出現由堿金屬雜質形成的乳白色薄層。顯然,這是一種高溫、高壓排除晶體中金屬離子等雜質的工藝過程。經過這種“電清除”的人造石英晶體制成的石英晶體元件就具有良好的抗輻射性能。

      IDT晶振集團成立于1980年,是國際數一數二的石英晶體頻率元件制造商.自發展以來不斷創造高品質,高精密石英晶振,石英晶體振蕩器,并且開發了能夠與處理器,存儲器等數字系統,其他半導體以及物理世界連接的石英晶振解決方案.

      美國IDT石英晶體振蕩器選用符合德國ROHS環保要求的材料,采用一流的生產技術,早已獲得ISO9002,美國UL等國際質量管理體系認證.IDT有源晶振滿足市場需求,分為多種使用性能,同時提供TCXO溫補晶振,VCXO壓控晶振,恒溫晶振,壓控溫補晶振,SPXO石英晶體振蕩器,差分晶振,以及可編程晶振等.

      億金電子代理美國IDT石英晶振,一手貨源價格優勢,同時免費提供IDT晶振原廠代碼,產品料號.表格中所舉例有源晶振為7.5x5.2mm體積,頻率20M晶振,型號包括FXO-HC73晶振,FXO-LC73晶振,FXO-PC73晶振.針對不同產品對于精度的要求,分為±20ppm,±25ppm,±50ppm,±100ppm等頻率偏差.

      美國IDT石英晶體振蕩器采用嚴格的符合國際標準的質量管理體系,每一道生產工序都必須經過反復的檢查測試.IDT晶振集團自成立以來堅持為用戶提供優質,高精密石英晶體振蕩器為發展理念.如今IDT在世界各地均設有分公司,研發生產基地遍布歐洲,亞洲,北美等多個國家.

  CTS晶振從研發,生產,到出廠銷售,生產周期快,供貨充足. 不但創造了大量高品質石英晶振,并且為信息技術和電信市場提供高精密,低衰減石英晶振,石英晶體振蕩器,致力于為全球各地的工業伙伴提供先進的技術,卓越的客戶服務和優越的價值.

IDT有源差分晶振使用于產品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾（EMI）是高度免疫的.工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍.精度穩定可精確到±10PM,IDT差分石英晶振滿足市場需求,實現高頻高精度等要求,更加保障了各種系統參考時鐘的可靠性. 

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IDT晶振作為較為出色的國際企業,致力于研發生產銷售晶振,石英晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器,可編程晶振等頻率控制元件.不斷提高生產技術以及開發更多高精密石英晶體元器件. IDT差分晶振可提供 HCMOS、LVPECL、LVDS 和 HCSL 輸出,并且能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.