Sitime晶振,貼片晶振,SiT8924B晶振
頻率:1M~110MHZ
尺寸:7.0x5.0mm
SiTime石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在100多個應用程序中被超過1000個客戶使用.我們的最大容量設計是在網絡、消費者、計算和存儲部分.2011年,我們開始為電信、無線和工業應用提供產品.SiTime于2013年進入智能手機市場,推出了首個移動電話MEMS振蕩器,目前在可穿戴設備和物聯網應用領域正在迅速發展.
SiTime晶振公司,MEMS和模擬半導體公司,提供了業界最好的時間解決方案.我們的團隊熱衷于解決高性能電子產品中最困難的時間問題.我們已經向世界各地的客戶運送了超過6.25億臺設備,占MEMS時間的90%,并且年增長率超過50%.SiTime是MegaChips公司(東京證券交易所:6875)的獨立子公司, 主要以生產高精度石英晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器等器件為主.
在過去的幾十年里,石英晶體振蕩器、時鐘發生器和石英晶體諧振器是電子器件中主要的參考計時元件.由于沒有其他選擇,OEMs和ODMs接受了石英定時裝置固有的局限性.現在,有了強大的MEMS諧振器和高性能模擬電路,SiTime晶振公司已經開發出突破石英器件限制的突破性解決方案,研發出高性能貼片晶振,石英晶體振蕩器,可編程石英晶體振蕩器等.
Sitime晶振,貼片晶振,SiT8924B晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高.對于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.
對于圓片晶振,X、Z 軸較難區分,所以石英晶振對精度要求高的產品(如部分定單的 UM-1),會在 X 軸方向進行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上.保證晶振產品的溫度特性.石英晶振產品電極的設計:石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波.第1、2、3項相對簡單,第4項的設計很關鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化.特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大,故對電極的設計提出了更精準的要求.
項目 |
符號 |
規格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1M~110MHZ |
請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
請聯系我們以了解更多相關信息 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯系我們查看更多資料:http://www.bzmfr.cn |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用SITIME晶振時應注意以下事項:
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.Sitime晶振,貼片晶振,SiT8924B晶振
3:化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.
深圳市億金電子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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