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262018-12
村田制造的水晶單元與傳統石英晶振結構的不同詳情 >>說到村田生產的電子元件想必很多人會想到的都是村田貼片電容,村田陶瓷晶振.其實近幾年村田也開始了石英晶振的研發制造,并且獲得廣大用戶所認可,取得可觀成績.下面億金電子給大家介紹下村田制作所水晶單元的起源,以及村田石英晶振的優點和各種應用.
村田制作所的水晶單元采用突破性且獨特的包裝技術,在現有產品中無與倫比,提供卓越的品質,生產規模和性價比.
村田制造所水晶單元的優點
村田制作所水晶單元的起源
村田制作所已提供陶瓷諧振器(CERALOCK ®)市場的四十多年里,作為微型計算機和其他設備的參考時鐘使用.為了支持需要比陶瓷諧振器具有更高頻率精度的時鐘的設備,使用我們獨特的技術,Murata和Tokyo Denpa共同開發了微型且高度可靠的石英晶振,貼片晶體單元.自2009年起,我們開始為消費者市場供應產品,自2013年起開始為汽車市場供應產品.
市場業績-村田制作所的水晶單元在各種應用中都很活躍由于對速度和容量的需求增加,與東京Denpa聯合開發的產品已被更多產品所采用,因為HDD/SSD/USB和其他存儲設備開始使用小型晶體單元.后來,村田制作所的水晶單元開始被用于NFC,智能手機具有個人認證/電子貨幣支付功能.
由于AV/PC/汽車設備和Wi-Fi通信設備對小型設備的需求不斷增長,以及配備BT/BLE通信功能的可穿戴設備和智能手機外圍設備的市場增長,小型貼片晶振,石英晶體設備的采用仍在增加連接到智能手機.
客戶選擇村田制作所的水晶單元的原因-由陶瓷諧振器培育的高可靠性/低成本封裝的采用(CERALOCK ®)
村田制作石英貼片晶振使用的封裝結構與典型的水晶單元不同.雖然常規晶振晶體單元使用具有腔體結構的陶瓷基板,但村田制作所的石英晶振單元使用的結構將金屬帽與平面陶瓷基板結合在一起,該陶瓷基板具有多年可追溯的陶瓷諧振器.與傳統的石英晶體單元相比,使用高度通用的平面陶瓷基板和金屬蓋可以降低材料成本,實現穩定的供應,并提高產量.
村田制作所為客戶提供價值-村田晶振擁有先進的生產技術,從水晶石生產,設計,制造到我們自己的原始設備到全球銷售網絡的集成系統.至今村田中國已擁有19個銷售據點、4個工廠以及4個研發設計基地,近距離為客戶提供及時有效的服務和技術支持.
全球銷售系統
村田石英晶振產品型號列表
系列 類型 尺寸(mm) 頻率 筆記 XRCTD
XRCEDMCR1210晶振 1.2×1.0×0.30
1.2×1.0×0.3332至52MHz
金屬密封封裝,適用于小型消費設備的小型無線通信設備
XRCFDXRCMDMCR1612晶振 1.6×1.2×0.35
1.6×1.2×0.33
24至48MHz
XRCGBHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7
24至50MHz
用于消費者設備的無線通信設備的樹脂密封包裝
XRCPBHCR2016晶振 2.0×1.6×0.5
24至48MHz
XRCHAHCR2520晶振 2.5×2.0×0.8
16至20MHz
XRCHA_F_AHCR2520晶振 2.5×2.0×0.8 16至24MHz 用于汽車以太網/ FlexRay
XRCGE_F_AHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 20至23.99MHz 用于汽車MCU等
XRCGB_F_AHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 24至48MHz 用于汽車以太網/ FlexRay
XRCGB_F_CHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 27.6MHz 用于汽車舒適/安全信息娛樂 XRCGB_F_GHCR2016晶振 2.0×1.6×0.7 24至48MHz 用于汽車僅用于信息娛樂 -
252018-12
Silabs高性能差分晶振參數特點詳情 >>Silabs晶振英文全稱為Silicon Labs,是美國知名石英晶體,貼片晶振,有源晶體振蕩器制造商.擁有先進的生產技術以及儀器設備,下面是Silabs高性能差分晶振參數特點介紹.
美國Silicon Labs的UltraSeries™高性能有源晶振,差分石英晶體振蕩器采用我們最新的第四代DSPLL技術,在任何高達3GHz的輸出頻率下提供超低抖動,低相位噪聲時鐘.該系列包括具有業界領先的相位抖動的差分晶振,差分晶體振蕩器,低至80fs(飛秒),適用于光網絡,100G+光模塊,寬帶,數據中心,廣播視頻,測試和測量,mil/aero和FPGA應用.
Silabs高性能差分晶振高性能,低損耗,高精度是下一代定時應用的理想選擇,可提供系統設計人員所需的頻率靈活性,卓越的可靠性和超快的交付周期.Ultra系列振蕩器提供工業標準3.2x5mm和5x7mm封裝的單雙,四和I2C選項,可實現與傳統XO有源晶振和VCXO壓控晶振的兼容性.
Silabs高性能差分晶振業界最低抖動,最寬頻率范圍,任何頻率,擁有XO/VCXO系列:卓越的性能+最大的靈活性=更加安心
業界領先的抖動性能
晶振頻率范圍寬,頻率分辨率<1ppb
提供單,雙,四,I2C配置
I2C支持100kHz(標準),400kHz(快速模式)和1MHz(快速模式加)更新速率
減少部件號:定義4個啟動頻率,使用I2C在啟動后生成任何頻率
出色的電源噪聲抑制(-80dBc典型值)可確保電噪聲系統中的低抖動操作
出色的溫度和總穩定性(-40至85℃)
貼片晶振封裝尺寸3.2x5mm和5x7mm
根據產品需求可提供3.3,2.5,1.8V多種電源電壓
具有多種差分輸出方式包括:LVDS,LVPECL,HCSL,CML,CMOS和雙CMOS
Silabs高性能差分晶振卓越的可靠性,每臺設備100%的電氣測試
Silabs差分晶振樣品可提供1-2周的交貨時間
適用于任何頻率的一致,超低抖動性能
收集的測量值超過700個常用頻率
無論整數頻率還是分數頻率,都具有超低抖動
使用我們的振蕩器相位噪聲查找工具可獲得特定頻率的相位噪聲圖,請問聯系我們0755-27876565.
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212018-12
2018年深圳國際電子展京瓷晶振集團有參加嗎?京瓷晶振參展詳情 >>2018年12月20日-22日在深圳會展中心舉行的深圳國際電子展(ELEXCON2018)已開幕.這是中國國內規模巨大的專業電子綜合大展.2018年深圳國際電子展京瓷晶振集團有參加嗎?是的,日本知名品牌KYOCERA京瓷將第四次以集團規模參展.
今年的京瓷展臺將分為車載,一般產業,壓電晶體元件等展區進行展示.在車載展區,觀眾可以體驗搭載了京瓷多種產品的模擬駕駛艙,進而了解京瓷正在通過先進的解決方案,為實現安全舒適的移動社會而努力.此外,京瓷晶振也將通過通信,珠寶首飾,醫療,電子元件等一般產業產品的展示,展現京瓷集團的綜合技術實力.各位新老客戶想要更全面近距離的了解京瓷產品可以去看看哦.
展會名稱
深圳國際電子展
時間
2018年12月20日~2018年12月22日
地點
深圳會展中心:一號展館
京瓷晶振展位
1L12
在車載展區,運用京瓷晶振集團新技術的車載系統可以讓觀眾體驗車聯網技術帶來的更加安全舒適的出行.您可以體驗京瓷的新技術如下:
1.3D AR平視顯示器(HUD)
通過具有AI識別功能的攝像頭和V2I路測機,駕駛員可以直觀地獲得投射在擋風玻璃上的各種信息.比如,前車距離太近或突然出現的人和車輛的預測信息等都可以自動投射到車的擋風玻璃上.VR顯示器中同樣也加入了京瓷自產車載晶振,包括京瓷CT2520DB晶振,CX3225GA晶振,CX5032SA晶振,CX8045GA晶振,KC2520M晶振等.
2.車載用液晶顯示屏
借助京瓷獨有的加工技術,在屏幕上高質量地顯示汽車的導航和儀表.另外,還有被稱之為"Haptivity"的新技術,駕駛者可以在屏幕上獲得真正的按鍵感覺.GPS導航采用的是京瓷2520溫補晶振系列,定位精準,性能穩定.
車載產品區
通過先進的高級駕駛員輔助系統和解決方案,京瓷正在為實現安全舒適的汽車出行而努力.例如將京瓷晶振集團的先進設備,AI和AR相結合的最新系統等.此外,模擬駕駛艙可以體驗京瓷的特色設備和系統.在這里你可以看到京瓷的各種技術對于汽車社會的貢獻.
主要展品:車載用液晶顯示屏(HUD,HAPTIVITY®)LED基板.LIDAR.車載暖風點火塞.車載攝像頭.MLCC.車載用電線分線連接器
一般產業產品
主要展品:大型多層基板,血流傳感器,石英貼片晶振,京都歐珀蛋白石等.
京瓷車載用分線連接器 京瓷CX3225SB車載晶振
億金電子國內知名晶振供貨商,為用戶提供大量質優價廉的晶振產品,包括陶瓷晶振,聲表面濾波器,貼片晶振,壓控晶體振蕩器,差分晶振,石英晶體諧振器等產品.為了更好的服務世界各地用戶,同時代理CTS晶振,NDK晶振,京瓷晶振,KDS晶體,鴻星晶振,希華晶振,泰藝晶振,IDT晶振等知名品牌,產品規格齊全,價格優勢,歡迎廣大用戶來電咨詢0755-27876565.
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192018-12
適用于定義固定頻率VCXO壓控晶振的特性詳情 >>晶振是智能電子數碼產品應用最多的一種頻率元件,晶振可以分有源晶振和無源晶振,億金電子接下來要給大家所介紹到的是有源晶振.有源晶振根據不同產品性能需求歸為TCXO溫度補償晶振,VCXO電壓控制晶振,OCXO恒溫控制晶振,SPXO時鐘晶體振蕩器,VC-TCXO壓控溫補晶振,LVDS輸出差分晶振等.下面單獨講下適用于定義固定頻率壓控晶振的特性
VCXO晶振(壓控晶體振蕩器)是一種晶體振蕩器,它包括變容二極管和相關電路,允許通過在該二極管上施加電壓來改變頻率.這可以通過簡單的時鐘或正弦波晶體振蕩器,TCXO(產生TC/VCXO-溫度補償電壓控制晶體振蕩器)或烤箱控制類型(產生OC/VCXO恒溫箱控制的電壓晶體振蕩器)來實現.
VCXO晶振有幾個特點.在生成VCXO壓控晶體振蕩器規范時,這些適用于定義固定頻率晶體振蕩器的特性.VCXO特有的規范中的主要內容如下:
偏差-這是控制電壓變化引起的頻率變化量.例如.5伏控制電壓可能導致100ppm的偏差,或0至+5伏控制電壓可能導致150ppm的總偏差.
控制電壓-這是施加到VCXO輸入端子的變化電壓,導致頻率變化.它有時被稱為調制電壓,特別是如果輸入是AC信號.
傳遞函數(有時稱為斜率極性)-表示頻率變化的方向與控制電壓的關系.正傳遞函數表示增加的正控制電壓的頻率增加,如圖1A所示.相反,如果頻率隨著更正(或更負)控制電壓而減小,如圖1B所示,傳遞函數是負.
線性度-普遍接受的線性定義是MIL-PRF-55310中規定的.它是VCXO晶振頻率誤差和總偏差之間的比率,以百分比表示,其中晶振頻率誤差是從通過輸出頻率與控制電壓的曲線繪制的最佳直線的最大頻率偏移.如果壓電晶體振蕩器的規格要求線性度為±5%且實際偏差總共為20kHz,如圖2所示,則輸出頻率與控制電壓輸入的曲線可能會相差±1kHz(20kHz±5%).最佳直線“A”.這些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲線,其線性度在±5%以內.
在圖3中,最佳直線“A”的最大偏差為-14ppm,總偏差為100ppm,因此線性度為±14ppm/100ppm=±14%.
產生圖2所示特性的VCXO晶振使用超突變結變容二極管,偏置以適應雙極性(±)控制電壓.產生圖3特性的VCXO使用具有施加的單極控制電壓的突變結變容二極管(在這種情況下為正).良好的VCXO壓控晶振設計要求電壓與頻率曲線平滑(無間斷)和單聲道.所有維管晶振的VCXO系列都具有這些特性.
調制速率(有時稱為偏差率或頻率響應)-這是控制電壓可以改變的速率,從而導致相應的頻率變化.通過施加峰值等于指定控制電壓的正弦波信號,解調VCXO壓控晶振的輸出信號,并以不同調制速率比較解調信號的輸出電平來測量.調制速率由Vectron晶振定義為最大調制頻率,它產生的解調信號在100dB調制信號的3dB范圍內.雖然非晶體控制的VCO可以以非常高的速率進行調制(輸出頻率大于10MHz時大于1MHz),但VCXO晶振的調制速率受到晶體物理特性的限制.雖然VCXO晶振的調制輸入網絡可以擴展到在100kHz以上產生3dB響應,但由于晶振,解調信號在調制頻率大于20kHz時可能會出現5-15dB的幅度變化.
斜率/斜率線性/增量靈敏度-這可能是一個令人困惑的區域,因為這些術語經常被誤用.如果要將斜率除以總控制電壓擺幅,則斜率應該被稱為平均斜率.對于圖2中所示的VCXO壓控晶振,平均斜率為-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量靈敏度,通常誤稱斜率線性度意味著頻率與控制電壓的增量變化.
因此,雖然該示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲線的任何段的斜率可以與-2kHz/伏相當大.事實上,對于最佳直線線性度為±1%至±5%的VCXO,增量靈敏度約為(非常近似)最佳直線線性度的10倍.因此,具有±5%最佳直線線性度的VCXO壓控晶振可以在每伏特的基礎上表現出±50%的斜率變化.因此,讀取“斜率:2kHz/伏特±10%”的規范需要澄清,因為它可能意味著平均斜率或增量靈敏度.如果它旨在定義平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的總偏差,并且更恰當地說明了“總偏差:20kHz-10%.”但是,如果意圖頻率改變為每個增量電壓必須介于1.8kHz和2.2kHz之間,高線性VCXO壓控晶體振蕩器被指定為±10%增量靈敏度與±1%最佳直線線性相關.該規范的元素應為“增量靈敏度:每伏2kHz±10%”.
其他設計考慮因素
穩定性-石英晶振晶體是一種高Q器件,是晶體振蕩器的穩定性決定元素.它固有地抵抗被“拉”(偏離)其設計頻率.為了產生具有顯著偏差的VCXO,振蕩器電路必須“去Q”.這導致晶體在其頻率與溫度特性,老化特性及其短期穩定性(和相關的相位噪聲)特性方面的固有穩定性降低.因此,最好不要指定比絕對要求更寬的偏差,這符合用戶的最佳利益.
鎖相-當VCXO晶振用于鎖相環應用時,偏差應始終至少與VCXO本身及其鎖定的參考或信號的組合不穩定性一樣大.Vectron維管晶振集團生產一系列VCXO晶振,特別適用于鎖相環應用(在隨后的頁面中有描述).但是,如果系統的開環穩定性要求比該產品系列中的更嚴格,則可能需要TC/VCXO.對于最高穩定性開環要求,適當的振蕩器可以是此cata-log的TCXO溫補晶振或OCXO恒溫晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO選項,而不是VCXO壓控晶體振蕩器部分中描述的那些.
基本振蕩器頻率-基本模式晶體(通常為10-25MHz)允許最大的偏差,而第三泛音晶體(通常為20-70MHz)允許偏差約為適用于基波的1/9.因此,所有寬偏差VCXO晶振(偏差大于±100到±200ppm)都使用基本晶體;較窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶體,其選擇通常取決于線性度和穩定性等規格.很少有更高的泛音,因此更高頻率的晶體可用于VCXO.因此,輸出頻率高于或低于適當晶振頻率的VCXO包括倍頻器或分頻器.
一般注意事項-雖然任何類型的石英晶體振蕩器都是如此,但對于VCXO壓控晶體振蕩器而言,用戶不要過度指定產品.VCXO壓控晶振的特殊問題在于增加的偏差導致穩定性降低,這可能導致需要更寬的偏差,進一步降低穩定性,導致所需偏差的螺旋式增加.
億金電子專業提供石英晶振,貼片晶振,有源晶振,晶體濾波器等頻率元件,擁有完善的服務體積,優秀的銷售精英團隊,為用戶打造舒適的采購服務體驗.億金電子提供石英晶體振蕩器,各種封裝規格,包括臺灣,日本,美國,英國等知名晶振品牌,常用頻點均有備貨,歡迎廣大用戶咨詢選購0755-27876565.
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102018-12
KDS開發世界上最小的帶有溫度傳感器的DSR1210ATH晶體諧振器詳情 >>KDS晶振是日本國際知名電子元件品牌,擁有獨特的生產技術,發展至今仍不讓開拓創新,為用戶提供更多更有價值的晶振產品.這一次日本大真空株式會社開發世界最小的帶有溫度傳感器的DSR1210ATH石英晶體諧振器也就是我們說的熱敏晶振,并且將于2019年1月份提供樣品,在2019年5月份批量生產.
溫度傳感器內置石英晶體是用作RF的電子部件,用于智能手機的GPS時鐘源,GPS/GNSS等.近年來,電子器件,薄,高性能,并且在較高的功能的小型化正在取得進展,越來越多的應用需要石英晶振,貼片晶振.KDS晶振集團已促進了大規模生產內置2016尺寸和1612尺寸的石英晶體的溫度傳感器.1210mm晶振大小是KDS研發的世界上最小尺寸的一種內置溫度傳感器的石英貼片晶振,應用于5G(第五代移動通信系統)的IoT(互聯網的單聲道).
DSR1210ATH石英晶體諧振器實物圖
通常帶有溫度傳感器的石英晶體諧振器,溫度補償是基于晶體振蕩器并入在芯片組側的溫度傳感器,不僅具有晶振本身的特點并且具有更多功能特性.例如,有諸如溫度系數和AT切割石英晶體諧振器的拐點溫度,但是這些將改變晶體片,形狀等的尺寸.由于隨著尺寸變小,特性變得更可能變化,因此需要晶體坯料的加工精度.
DSR1210ATH石英晶體諧振器使用了光刻法的晶體片處理時,并在同一時間減少處理變形,KDS晶振開發了一種以晶振片較不敏感的變化影響,實現了比傳統石英晶振,貼片晶振相比性能更高,小尺寸的特點能夠實習更低電平消耗,有助于振蕩電路通過使操作在300微瓦最大.
KDS晶振通過用于光刻加工的晶體晶片平行大規模制造,大幅增加未來預期的物聯網市場數量并提高成本競爭力.采用小型化溫度傳感器(NTC熱敏電阻),實現小體積多元化,確保帶有溫度傳感器的晶體諧振器性能高于現有的2016和1612晶振的可靠性使用.
DSR1210ATH石英晶體諧振器尺寸圖
DSR1210ATH石英晶體諧振器特點
超緊湊SMD溫度傳感器內置晶體振蕩器尺寸:最大1.2×1.0×0.55mm.
內置NTC熱敏電阻作為溫度傳感器
采用陶瓷封裝和金屬蓋,實現高精度,高可靠性
無鉛/符合RoHS標準
支持驅動電平:最大300μW.
[主要應用]物聯網相關設備,如智能手機和可穿戴設備
[生產狀況]樣品響應時間:2019年1月-.批量生產響應期:2019年5月-
DSR1210ATH石英晶體諧振器電氣特性
物品\型號
DSR1210ATH石英晶體諧振器
標稱頻率
76.8MHz
泛音順序
Fundamental
負載能力
6pF,7pF,8pF
激勵程度
最大300μW
頻率容差偏差
±10×10-6(25℃時)
串聯電阻
最大20Ω/最大30Ω。
頻率溫度特性
±15×10-6(-30至+85℃)
儲存溫度范圍
-30至+125℃
熱敏電阻的電阻值
22kΩ/100kΩ(+25℃時)
熱敏電阻B常數
3380K/4250K(+25至+50℃)
如需其他規格或特殊規格,請聯系億金電子銷售部0755-27876565.
[晶振術語解釋]
溫度系數:切割方向,其中頻率相對于溫度變化的變化量表示三次曲線.AT切割晶體坯料在寬溫度范圍內具有穩定的頻率它被獲得并且最常用于MHz頻帶的石英晶振晶體器件中.
溫度系數
ATcut晶體單元的頻率溫度特性由下面的三次多項式近似.
F(T)=C3(T-T0)3+C2(T-T0)2+C1(T-T0)+C0
C0:常數/C1:1次溫度系數/C2:2階溫度系數/C3:3下一個溫度系數
t:溫度/t0:參考溫度
拐點溫度:AT切割晶體單元的頻率溫度特性變為點對稱的溫度.NTC熱敏電阻(負溫度系數熱敏電阻)熱敏電阻,其電阻隨溫度升高而降低. -
072018-12
Cardinal差分晶振CPPV7-A5BP-135.0晶振代碼Cardinal晶振集團成立于1986年,在石英晶體,晶體振蕩器,貼片晶振,TCXO振蕩器,VCXO晶體振蕩器方面擁有先進的儀器設備以及一流的生產技術.一直以來向北美,歐洲和亞州的電子行業供應最優質的石英晶體諧振器和石英晶體振蕩器產品.為了更好的滿足高端智能應用推出差分晶振.詳情 >>
Cardinal差分晶振型號
差分晶振是相比普通貼片晶振具有更高技術要求的石英晶體振蕩器,通常具備LVDS輸出,HCSL輸出,LVPECL輸出,供應不同產品選擇.并且具有2520,3225,5032,7050等多種封裝尺寸.差分晶振具有低電源電壓2.5V/3.3V,低功耗,低抖動等特點.Cardinal差分晶振代碼
Cardinal晶振代碼 廠家 型號 頻率 類型 輸出 精度偏差 尺寸 CPPV7-A5BP-135.0 Cardinal晶振 CPPV7 135MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A5BR-14.75 Cardinal晶振 CPPV7 14.75MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BP-159.375 Cardinal晶振 CPPV7 159.375MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BP-200.0 Cardinal晶振 CPPV7 200MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BR-122.88 Cardinal晶振 CPPV7 122.88MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BR-50.0TS Cardinal晶振 CPPV7 50MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-100.0 Cardinal晶振 CPPV7 100MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-105.0 Cardinal晶振 CPPV7 105MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-125.0 Cardinal晶振 CPPV7 125MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-133.333 Cardinal晶振 CPPV7 133.333MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-20.0 Cardinal晶振 CPPV7 20MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-40.000 Cardinal晶振 CPPV7 40MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-80.0 Cardinal晶振 CPPV7 80MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7Z-A7BR-200.0 Cardinal晶振 CPPV7 200MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A5BP-80.0 Cardinal晶振 CPPV7 80MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) -
032018-12
了解愛普生高頻差分晶振LVDS輸出的意義詳情 >>科技發展對差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌紛紛推出差分晶體振蕩器,比如我們所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,愛普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我們都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是輸出的方式是差分信號.
那么差分晶振的輸出是什么意思呢?差分晶振輸出是指輸出差分信號使用2種相位彼此完全相反的信號,從而消除了共模噪聲,并產生一個更高性能的系統.這種方式可輸送高頻,并具有抗噪音強,低抖動等特征.常見的差分輸出為LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介紹到的是愛普生LVDS輸出的差分晶振.
愛普生差分晶振參數
項目 符號 規格說明 條件 LV-PECL LVDS SG3225EAN
SG5032EAN
SG7050EANSG3225VAN
SG5032VAN
SG7050VAN輸出頻率范圍 f0 73.5MHz to 700MHz 請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息。 電源電壓 VCC K : 2. V to 3.3V VCC=±10 % 儲存溫度范圍 T_stg -40 °C to +125 °C 存儲為單一產品 工作溫度范圍 T_use B:-20 °C to +70 °C
G:-40 °C to +85 °C頻率穩定度 f_tol C:±20 × 10-6
E:±30 × 10-6
J:±50 × 10-6功耗 ICC 65mA Max. 30mA Max. OE =VCC
L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω
f0 = 700MHz輸出禁用電流 I_dis 20 mA Max. OE = GND 占空比 SYM 45 % to 55 % 在輸出交叉點 輸出電壓
(LV-PECL)VOH VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V - DC 特征 VOL VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V - 輸出電壓
(LVDS)VOD - 250 mV to 450 mV VOD1 , VOD2 DC 特征 dVOD - 50 mV Max. dVOD = | VOD1 - VOD2 | VOS - 1.15 V to 1.35 V VOS1 , VOS2 dVOS - 150 mV Max. dVOS = | VOS1 - VOS2 | 輸出負載條件
(ECL) / (LVDS)L_ECL 50 Ω - 終止于 VCC - 2.0 V L_LVDS - 100 Ω 連接到 OUT 與 OUT之間 輸入電壓 VIH 70 % VCC Min. OE 終端 VIL 30 % VCC Max. 上升/下降時間 tr/tf 350 ps Max. - 20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ). - 300 ps Max. 20 % ~ 80 %微分輸出 峰-峰值 振蕩啟動時間 t_str 3 ms Max. 在電源電壓最低時,所需時間為 0 秒 相位抖動 tPJ 0.6 ps Max. *1 抵消頻率 : 12 kHz ~ 20 MHz 頻率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25 °C , 第一年
VCC = 2.5 V or 3.3V差分晶振的不同輸出意義:HCSL代表"高速電流轉向邏輯".LVDS代表"低壓差分信號".LV-PECL輸出代表"低壓正發射極耦合邏輯".愛普生晶振通過使用PLL技術和AT晶體單元來實現寬的頻率范圍,參數表中我們看到了愛普生差分晶振的頻率可達73.5MHz~700MHz高頻率點,儲存溫度在-40℃~125℃,使用性能穩定.
愛普生差分晶振編碼
愛普生晶振編碼 差分晶振型號 頻率 封裝尺寸 輸出 溫度范圍 偏差 X1G0042810001 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810004 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810005 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810011 SG7050VAN差分晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810014 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810020 SG7050VAN差分晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810024 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810031 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810033 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810038 SG7050VAN差分晶振 700.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810039 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810044 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810049 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810050 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810052 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810061 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810062 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810063 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810068 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810069 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810071 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm 差分晶振常見的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三種封裝尺寸,文中所列舉的是愛普生5x7體積的部分差分晶振編碼.均為較高的頻率點,為輸出LVDS方式,電源電壓范圍2.5V/3.3V,振蕩啟動時間在電源電壓最低時,所需時間為0秒.愛普生差分晶振具有性能強,精密穩定,低電壓的特征,普遍用于對于高速網絡要求的應用.
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232018-11
臺灣安基有源晶振編碼詳情 >>S525025T-125.000-R臺灣安基晶振S73305T-27.000-X-15-R晶振S73305T-100.000-X-15-R有源晶振S5A2505-125.000-L-X-R臺灣安基晶振S31805T-12.288-X-R石英晶振S52505T-66.666-X-R有源晶振S51805T-125.000-X-R貼片晶振S233025T-26.000-R石英晶振S22510T-27.000-X1-R石英晶體振蕩器S7A3305-125.000-P-X-R石英晶振S7A2510-100.000-L-X-R貼片晶振S525025T-24.000-R石英晶體振蕩器S7A3305-125.000-L-X-R晶振S53305T-8.000-X-R貼片晶振S73305T-24.000-X-15-R臺灣進口晶振S53305T-24.000-X-R貼片晶振S33305T-1.8432-X-R晶振S21805T-24.000-X-R臺灣進口晶振S22505T-32.000-X-R有源晶振S225025T-10.000-R晶振S31805T-38.400-X-R臺灣進口晶振S32505T-16.000-X-R臺灣安基晶振S22505T-26.000-X-R晶振S225025T-19.200-R臺灣進口晶振S33305T-12.000-X-R臺灣安基晶振S518025T-10.000-R有源晶振S7A33025-100.000-L-X-R石英晶振S518025T-20.000-R有源晶振S7A3310-125.000-L-X-R石英晶振S23305T-24.000-X-R臺灣安基晶振S7A33025-156.250-L-X-R石英晶體振蕩器S51805T-40.000-X-R臺灣進口晶振S73305T-33.333-X-15-R貼片晶振
S7A3305-250.000-P-X-R臺灣安基晶振S533025T-1.8432-R臺灣進口晶振S22505T-27.000-X-R晶振S7A2505-155.520-P-X-R晶振S31805T-40.000-X-R石英晶振S32505T-12.288-X-R臺灣安基晶振S73305T-10.000-X-15-R有源晶振S518025T-25.000-R臺灣安基晶振S53305T-10.000-X-R石英晶振S31805T-24.000-X-R有源晶振S32505T-48.000-X-R貼片晶振S518025T-33.333-R有源晶振S52505T-24.576-X-R石英晶振S21805T-40.000-X-R貼片晶振S52505T-33.333-X-R石英晶體振蕩器S533025T-10.000-R石英晶體振蕩器S23305T-27.000-X-R臺灣進口晶振S218025T-12.000-R貼片晶振S225025T-40.000-R晶振S32505T-19.200-X-R臺灣進口晶振S533025T-14.31818-R晶振S32505T-12.000-X-R有源晶振S32505T-6.000-X-R臺灣安基晶振S53305T-60.000-X-R石英晶體振蕩器S73305T-32.000-X-15-R貼片晶振S22505T-10.000-X-R石英晶體振蕩器S33305T-38.400-X-R石英晶振S218025T-10.000-R石英晶體振蕩器S225025T-48.000-R石英晶體振蕩器S53305T-64.000-X-R臺灣進口晶振
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212018-11
Crystek石英晶體振蕩器代碼詳情 >>Crystek晶振CO27VH15DE-02-10.000恒溫晶振CCHD-575-50-80.000石英晶體振蕩器CXOH20-BP-10.000溫補晶振CCSO-914X-1000.000晶體濾波器C3290-15.360有源晶振CVPD-037X-122.88有源晶振CVHD-037X-122.88壓控晶振CVHD-037X-80電壓控制晶振CVHD-037X-100壓控晶體振蕩器PPRO30-10.000溫補晶振CCSO-914X3-1000晶體濾波器C3290-16.000石英晶體振蕩器CCLD-033-50-125.000石英晶體振蕩器CVSS-945-50.000電壓控制晶振CO27VS12DE-02-10.000恒溫晶振CE3391-8.000美國進口晶振PPRO30-40.000溫補晶振CVCSO-914-1000晶體濾波器C3290-16.384美國進口晶振CCPD-033-50-156.250美國進口晶振CVSS-945-80.000壓控晶體振蕩器CVHD-950-100.000壓控晶振PPRO30-13.000溫補晶振CCSO-014-1090.000晶體濾波器C3290-18.432有源晶振CCLD-033-50-156.250有源晶振603281壓控晶振CVHD-950-80.000電壓控制晶振CVS575-622.080美國Crystek晶振C3390-32.000美國進口晶振PPRO30-26.000溫補晶振CVCSO-914-245.760晶體濾波器C3390-30.000石英晶體振蕩器
CCPD-033-50-161.1328石英晶體振蕩器CVHD-950-125.000電壓控制晶振CVHD-037X-125壓控晶體振蕩器CVT25-38.400溫補晶振CCPD-034-50-200.000美國進口晶振CVHD-950-60.000壓控晶體振蕩器CVPD-037X-153.6壓控晶振CVT25-33.600溫補晶振CCSO-914X-245.760美國Crystek晶振CVT25-13.000溫補晶振CVS575S-500.000美國Crystek晶振C3390-32.768晶振CCHD-575-50-100.000有源晶振601964壓控晶振CVPD-034-50-155.52電壓控制晶振CVT25-19.200溫補晶振RFPRO33-500.000美國602019電壓控制晶振CVSS-945X-100.000壓控石英晶體振蕩器CVT25-26.000溫補晶振RFPRO33-1000.000美國Crystek晶振CVHD-950-74.250壓控晶體振蕩器CVSS-945-100.000壓控晶振CO27VS05DE-02-10.000恒溫晶振CCPD-033-50-77.760有源晶振CVHD-950-74.175800壓控晶振CVHD-950-122.880電壓控制晶振PPRO30-19.200溫補晶振CVS575-500.000美國Crystek晶振CVHD-950-54.000壓控晶體振蕩器CVHD-950X-100壓控晶振C3290-14.318180美國進口晶振602017壓控晶體振蕩器CCSO-914X-250.000晶體濾波器CCPD-033-50-77.760石英晶體振蕩器CVHD-950-70.000電壓控制晶振
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172018-11
臺灣TXC石英晶體振蕩器編碼詳情 >>7Z-38.400MDG-T溫補晶振7L-40.000MCS-T臺灣進口晶振8P26000003溫度補償晶振7Z38471001溫補晶體振蕩器7Z-26.000MDG-T溫補晶體振蕩器7W99000001貼片晶振7X50000008石英晶振7W24073001進口有源晶振8W-12.000MBB-T有源晶振8P26070001溫補石英晶振7Q-20.000MBN-T溫度補償晶振AC01077001石英晶振7X50000005晶振7W24000030臺灣晶技晶振7P-26.000MBP-T溫度補償晶振7WA1200001臺灣晶技晶振7C-48.000MBB-T臺晶晶振7C25070001晶振TD-14.31818MDE-T臺產晶振7WA0000008臺灣進口晶振7P-25.000MBP-T溫補晶振7C80000014石英晶體振蕩器7C-25.000MBB-T貼片晶振7W24700035臺產晶振TD02000001石英晶體振蕩器8P26070004臺灣TCXO晶振7Q-24.000MBN-T溫補石英晶振7P-19.200MBP-T溫補石英晶振7WA0000010有源晶振7C-27.000MBB-T臺灣進口晶振7C25000141低電源電壓晶振TDA0077001臺晶晶振7Z26000001晶振7Q-24.000MBG-T臺灣TCXO晶振7C-33.3330MBB-T有源晶振7C25000187低老化晶振TC-8.192MDE-T臺灣晶技晶振7XZ-32.768KDE-T石英晶振7Q-27.000MBG-T溫補晶振7Q19201001臺灣TCXO晶振7CA0000009臺產晶振TA-40.000MDE-T晶振TD-12.000MBD-T臺灣晶技晶振7N-38.400MBP-T溫補晶體振蕩器7C83330001臺晶晶振7C-44.000MBB-T石英晶體振蕩器7W-8.000MBB-T貼片晶振7Q-38.400MBG-T溫補晶體振蕩器7Q-16.000MCG-T臺灣TCXO晶振7C25002005高性能晶振7N-40.000MBP-T溫度補償晶振7W-50.000MBB-T臺灣進口晶振7Q-40.000MBG-T溫度補償晶振7Q13000022溫補石英晶振7WA2500007進口有源晶振7W-60.000MAB-T臺灣晶技晶振7C25077004石英晶振
TD-14.7456MBE-T低電源電壓晶振7W-24.576MBA-T有源晶振7Q-12.800MCG-T溫補石英晶振8N04020001進口有源晶振7C27000012貼片晶振TD-20.000MDE-T低老化晶振7X-19.200MBA-T石英晶體振蕩器TC-80.000MBE-T進口有源晶振7Q19204003溫補晶振6U27000082低電源電壓晶振8N24020001臺產晶振7C27000014臺灣進口晶振TD-22.1184MBE-T高性能晶振TD-24.576MBD-T臺晶晶振7Q-20.000MCG-T溫補晶振7Q20002001溫補晶體振蕩器BB-100.000MCE-T低老化晶振8N26070002低電源電壓晶振7C33000057有源晶振7N24570001溫補晶體振蕩器7Q24002001溫度補償晶振BB-106.250MCE-T高性能晶振8N26070003低老化晶振7W24070010石英晶體振蕩器TA-44.000MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T進口有源晶振7X-26.000MBA-T高性能晶振8W62570002高性能晶振7W25000041臺晶晶振TB-80.000MDE-T貼片晶振TC-12.000MBD-T臺產晶振7X-25.000MBA-T晶振7Z26020001臺灣TCXO晶振BB-166.000MCE-T貼片有源晶振7X50072003晶振7W33300026臺灣晶技晶振TB22500001臺灣進口晶振7X-30.000MBA-T低電源電壓晶振7X-48.000MBA-T石英晶振7Z26021001溫補晶振BF-156.250MCE-T貼片有源晶振7X34080001低電源電壓晶振7W48070010進口有源晶振7W-18.432MBE-T有源晶振7X-12.000MBA-T低老化晶振7L-19.200MCS-T貼片晶振7X38180001低老化晶振7X33380003臺產晶振7W20000025石英晶體振蕩器7L40081002溫補石英晶振BB-125.000MCE-T貼片有源晶振7X48000009高性能晶振7W20000034臺晶晶振
最新資訊 / News
關于無源晶振有源晶振不同之處的分析報告
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關于無源晶振有源晶振不同之處的分析報告
【更多詳情】無源晶體--無源晶體需要用DSP片內的振蕩器,在datasheet上有建議的連接方法.無源晶體沒有電壓的問題,信號電平是可變的,也就是說是根據起振電路來決定的,同樣的石英晶振晶體可以適用于多種電壓,可用于多種不同時鐘信號電壓要求的DSP,而且價格通常也較低,因此對于一般的應用如果條件許可建議用晶體.
有源晶振--石英晶體振蕩器,壓控晶振,溫補晶振等均屬于有源晶振,是相較于無源晶振不需要DSP的內部振蕩器,信號質量好,比較穩定,而且連接方式相對簡單(主要是做好電源濾波,通常使用一個電容和電感構成的PI型濾波網絡,輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可),不需要復雜的配置電路.
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