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首頁 百利通亞陶晶振

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

產品簡介

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃,臺灣石英晶振,4墊US系列接縫密封裝置包含一個超微型at切割晶體諧振器,封裝在一個標準的1.6 x 1.2mm陶瓷封裝中。這些緊湊的晶體是理想的表面安裝在密集的人口或小的形狀因子PCB應用。堅固的AT-cut晶體結構微型1.6 x 1.2mm陶瓷包裝,可在膠帶和卷;8mm帶,3000單位每卷無pb和RoHS/綠色兼容,智能手機,便攜式/手持式電腦,PCMCIA卡,筆記本電腦,藍牙,無線局域網,SIPRF-SIM,,別針驅動器,SD模塊

產品詳情

BLT-2

yijin-1

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃,臺灣石英晶振,4墊US系列接縫密封裝置包含一個超微型at切割晶體諧振器,封裝在一個標準的1.6 x 1.2mm陶瓷封裝中。這些緊湊的晶體是理想的表面安裝在密集的人口或小的形狀因子PCB應用。堅固的AT-cut晶體結構微型1.6 x 1.2mm陶瓷包裝,可在膠帶和卷;8mm帶,3000單位每卷無pb和RoHS/綠色兼容,智能手機,便攜式/手持式電腦,PCMCIA卡,筆記本電腦,藍牙,無線局域網,,SIPRF-SIM,別針驅動器,SD模塊

yijin-2

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

亞陶晶振規格

單位

US晶振頻率

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

40MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C +70°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標準),
(±15 × 10-6 ±50 × 10-6可用)

+25°C 對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.bzmfr.cn

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

10PF

超出標準說明,請聯系我們.

yijin-3

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

US 1612

US

Diodes零件編號 制造商 系列 類型 頻率 頻率穩定性 頻率容差 負載電容
US3200005Z Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US3840005Z Diodes晶振 US MHz 晶體 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
US2500002Z Diodes晶振 US MHz 晶體 25 MHz ±50ppm ±30ppm 20pF
US3200003 Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US2600008Z Diodes晶振 US MHz 晶體 26 MHz ±15ppm ±10ppm 9pF
US2400015 Diodes晶振 US MHz 晶體 24 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US2500007 Diodes晶振 US MHz 晶體 25 MHz ±10ppm ±10ppm 7pF
US3200013 Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz - - -
US3200023 Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz ±12ppm ±10ppm 9pF
US3200025 Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz ±20ppm ±10ppm 6pF
US3840012 Diodes晶振 US MHz 晶體 38.4 MHz ±12ppm ±10ppm 7pF
US4800007 Diodes晶振 US MHz 晶體 48 MHz - - -
US2450001 Diodes晶振 US MHz 晶體 24.576 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US2600015 Diodes晶振 US MHz 晶體 - - - -
US2600019 Diodes晶振 US MHz 晶體 26 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF
US3200001 Diodes晶振 US MHz 晶體 32 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
US3840004 Diodes晶振 US MHz 晶體 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US3840005 Diodes晶振 US MHz 晶體 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
US4000004 Diodes晶振 US MHz 晶體 40 MHz ±20ppm ±10ppm 10pF
F60800011 Diodes晶振 F6 MHz 晶體 8 MHz ±30ppm ±30ppm 20pF
F61200041 Diodes晶振 F6 MHz 晶體 12 MHz ±20ppm ±20ppm 20pF
F62500053 Diodes晶振 F6 MHz 晶體 25 MHz ±30ppm ±30ppm 10pF

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