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熱門關(guān)鍵詞 : 32.768K晶振石英晶體諧振器陶瓷諧振器加高晶振石英晶振陶瓷霧化片石英晶體振蕩器愛(ài)普生晶振NDK晶振

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Statek晶振155.52MHz皮爾斯振蕩器適用于Xilinx FPGA參考時(shí)鐘應(yīng)用

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 瀏覽：- 發(fā)布日期：2022-06-07 09:53:07【大 中 小】
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Statek晶振155.52MHz皮爾斯振蕩器適用于Xilinx FPGA參考時(shí)鐘應(yīng)用,7W-24.000MBE-T,晶體的電行為就好像它是一個(gè)電感器,振蕩頻率比晶體的串聯(lián)諧振頻率高30ppm到300ppm.與皮爾斯振蕩器相比,它的啟動(dòng)速度更快(通常為100毫秒)并消耗更高的電流.

CoreElectronics是晶體、振蕩器和諧振器的制造商，在頻率控制產(chǎn)品方面擁有40多年的經(jīng)驗(yàn)。

AU-27.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  27MHz ±50ppm
AU-27.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  27MHz ±50ppm
AU-27.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  27MHz ±50ppm
7X-30.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±25ppm
7X-30.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±25ppm
7X-30.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  30MHz ±25ppm
7X-12.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  12MHz ±25ppm
7X-12.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  12MHz ±25ppm
7X-12.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  12MHz ±25ppm
7X-26.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±25ppm
7X-26.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±25ppm
7X-26.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  26MHz ±25ppm
7X-25.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±25ppm
7X-25.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±25ppm
7X-25.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  25MHz ±25ppm
7X-48.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±25ppm
7X-48.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±25ppm
7X-48.000MBA-T TXC 晶振 7X XO  48MHz ±25ppm
7L-19.200MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 19.2MHz ±2ppm
7L-19.200MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 19.2MHz ±2ppm
7L-19.200MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 19.2MHz ±2ppm
7Q-16.368MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.368MHz ±500ppb
7Q-16.368MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.368MHz ±500ppb
7Q-16.368MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.368MHz ±500ppb
7Q-16.369MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.369MHz ±500ppb
7Q-16.369MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.369MHz ±500ppb
7Q-16.369MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.369MHz ±500ppb
7L-40.000MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 40MHz ±2ppm
7L-40.000MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 40MHz ±2ppm
7L-40.000MCS-T TXC 晶振 7L VCTCXO 40MHz ±2ppm

Core還擴(kuò)大了我們的產(chǎn)品基礎(chǔ)，因?yàn)槲覀儸F(xiàn)在是電子元件的特許經(jīng)銷商。我們專注于無(wú)源、光電、半導(dǎo)體和機(jī)電元件，例如：電容器、連接器、LED、電感器、鐵氧體磁珠、電位器、繼電器、開(kāi)關(guān)等等！

7Q-16.3676MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.3676MHz ±500ppb
7Q-16.3676MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.3676MHz ±500ppb
7Q-16.3676MBG-T TXC 晶振 7Q TCXO 16.3676MHz ±500ppb
8W-12.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±50ppm
8W-12.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±50ppm
8W-12.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  12MHz ±50ppm
AU-24.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  24MHz ±50ppm
AU-24.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  24MHz ±50ppm
AU-24.000MBE-T TXC 晶振 AU XO  24MHz ±50ppm
7Z-26.000MDS-T TXC 晶振 7Z VCTCXO 26MHz ±2ppm
7Z-26.000MDS-T TXC 晶振 7Z VCTCXO 26MHz ±2ppm
7Z-26.000MDS-T TXC 晶振 7Z VCTCXO 26MHz ±2ppm
8W-26.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-26.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  26MHz ±50ppm
8W-40.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±50ppm
8W-40.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±50ppm
8W-40.000MBB-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±50ppm
7L-26.000MCG-T TXC 晶振 7L TCXO 26MHz ±500ppb
7L-26.000MCG-T TXC 晶振 7L TCXO 26MHz ±500ppb
7L-26.000MCG-T TXC 晶振 7L TCXO 26MHz ±500ppb
BB-106.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  106.25MHz ±50ppm
BB-106.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  106.25MHz ±50ppm
BB-106.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  106.25MHz ±50ppm
7Z-26.000MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MBG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-38.400MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb
7Z-38.400MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 38.4MHz ±500ppb

無(wú)論是通過(guò)越來(lái)越多的分銷商銷售我們自己的產(chǎn)品，還是營(yíng)銷其他人的產(chǎn)品。以專業(yè)的關(guān)懷、知識(shí)、非凡的禮貌和對(duì)細(xì)節(jié)的無(wú)與倫比的關(guān)注來(lái)滿足客戶的需求將永遠(yuǎn)是COREELECTRONICS的使命。

7Z-26.000MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
7Z-26.000MDG-T TXC 晶振 7Z TCXO 26MHz ±500ppb
8W-19.200MBA-T TXC 晶振 8W XO  19.2MHz ±25ppm
8W-19.200MBA-T TXC 晶振 8W XO  19.2MHz ±25ppm
8W-19.200MBA-T TXC 晶振 8W XO  19.2MHz ±25ppm
8W-40.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±25ppm
8W-40.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±25ppm
8W-40.000MBA-T TXC 晶振 8W XO  40MHz ±25ppm
7W-125.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7W-125.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
7W-125.000MBB-T TXC 晶振 7W XO  125MHz ±50ppm
8W-24.576MBA-T TXC 晶振 8W XO  24.576MHz ±25ppm
8W-24.576MBA-T TXC 晶振 8W XO  24.576MHz ±25ppm
8W-24.576MBA-T TXC 晶振 8W XO  24.576MHz ±25ppm
7W-133.330MBB-T TXC 晶振 7W XO  133.33MHz ±50ppm
7W-133.330MBB-T TXC 晶振 7W XO  133.33MHz ±50ppm
7W-133.330MBB-T TXC 晶振 7W XO  133.33MHz ±50ppm
BT-156.250MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BT-156.250MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BT-156.250MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BB-100.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  100MHz ±50ppm
BB-100.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  100MHz ±50ppm
BB-100.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  100MHz ±50ppm
BS-106.250MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 106.25MHz ±100ppm
BS-106.250MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 106.25MHz ±100ppm
BS-106.250MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 106.25MHz ±100ppm
BB-133.330MBE-T TXC 晶振 BB XO  133.33MHz ±50ppm
BB-133.330MBE-T TXC 晶振 BB XO  133.33MHz ±50ppm
BB-133.330MBE-T TXC 晶振 BB XO  133.33MHz ±50ppm

新的LVDS和LVPECL差分輸出石英晶體振蕩器

–Statek Corporation，設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者制造高可靠性頻率控制產(chǎn)品，宣布發(fā)布

CB-150.000MBE-T TXC 晶振 CB XO  150MHz ±50ppm
CB-150.000MBE-T TXC 晶振 CB XO  150MHz ±50ppm
CB-150.000MBE-T TXC 晶振 CB XO  150MHz ±50ppm
BF-156.250MBE-T TXC 晶振 BF XO  156.25MHz ±50ppm
BF-156.250MBE-T TXC 晶振 BF XO  156.25MHz ±50ppm
BF-156.250MBE-T TXC 晶振 BF XO  156.25MHz ±50ppm
BB-156.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  156.25MHz ±50ppm
BB-156.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  156.25MHz ±50ppm
BB-156.250MBE-T TXC 晶振 BB XO  156.25MHz ±50ppm
CS-156.250MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CS-156.250MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CS-156.250MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BS-250.000MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 250MHz ±100ppm
BS-250.000MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 250MHz ±100ppm
BS-250.000MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 250MHz ±100ppm
CT-156.250MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CT-156.250MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
CT-156.250MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 156.25MHz ±100ppm
BB-166.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  166MHz ±50ppm
BB-166.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  166MHz ±50ppm
BB-166.000MBE-T TXC 晶振 BB XO  166MHz ±50ppm
BS-312.500MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BS-312.500MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BS-312.500MBC-T TXC 晶振 BS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BT-312.500MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BT-312.500MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
BT-312.500MBC-T TXC 晶振 BT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CS-212.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 212.5MHz ±100ppm
CS-212.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 212.5MHz ±100ppm
CS-212.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 212.5MHz ±100ppm

    DFXO石英晶體振蕩器。差分輸出石英晶體振蕩器可用在LVDS和LVPECL輸出。這個(gè)5mmx7mm高頻（20MHz至300MHz）振蕩器具有低相位噪聲和低相位抖動(dòng)，采用基本晶體實(shí)現(xiàn)頻率高達(dá)155.52MHz。適用于Xilinx FPGA參考時(shí)鐘應(yīng)用。提供擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍（-40°C至+105°C）。內(nèi)部的去耦電容；不需要外部電容器。

BJ-61.440MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 61.44MHz ±50ppm
BJ-61.440MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 61.44MHz ±50ppm
BJ-61.440MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 61.44MHz ±50ppm
CS-312.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CS-312.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CS-312.500MCC-T TXC 晶振 CS SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CT-312.500MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CT-312.500MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
CT-312.500MCC-T TXC 晶振 CT SO (SAW) 312.5MHz ±100ppm
7P-26.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 26MHz ±280ppb
7P-26.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 26MHz ±280ppb
7P-26.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 26MHz ±280ppb
7P-19.200MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 19.2MHz ±280ppb
7P-19.200MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 19.2MHz ±280ppb
7P-19.200MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 19.2MHz ±280ppb
7P-25.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 25MHz ±280ppb
7P-25.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 25MHz ±280ppb
7P-25.000MBP-T TXC 晶振 7P TCXO 25MHz ±280ppb
7N-20.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 20MHz ±280ppb
7N-20.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 20MHz ±280ppb
7N-20.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 20MHz ±280ppb
7N-10.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 10MHz ±280ppb
7N-10.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 10MHz ±280ppb
7N-10.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 10MHz ±280ppb
7N-19.200MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 19.2MHz ±280ppb
7N-19.200MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 19.2MHz ±280ppb
7N-19.200MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 19.2MHz ±280ppb
7N-25.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 25MHz ±280ppb
7N-25.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 25MHz ±280ppb
7N-25.000MBP-T TXC 晶振 7N TCXO 25MHz ±280ppb

Statek是設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造高度可靠、超小型、用于醫(yī)療電子、航空航天的石英頻率控制產(chǎn)品，國(guó)防和工業(yè)市場(chǎng)。

如需更多信息并討論您的具體操作要求，請(qǐng)聯(lián)系0755-27876565

BR-77.760MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 77.76MHz ±50ppm
BR-77.760MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 77.76MHz ±50ppm
BR-77.760MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 77.76MHz ±50ppm
BR-122.880MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BR-122.880MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BR-122.880MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BJ-122.880MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 122.88MHz ±50ppm
BJ-122.880MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 122.88MHz ±50ppm
BJ-122.880MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 122.88MHz ±50ppm
CR-122.880MBE-T TXC 晶振 CR VCXO 122.88MHz ±50ppm
CR-122.880MBE-T TXC 晶振 CR VCXO 122.88MHz ±50ppm
CR-122.880MBE-T TXC 晶振 CR VCXO 122.88MHz ±50ppm
BR-153.600MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 153.6MHz ±50ppm
BR-153.600MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 153.6MHz ±50ppm
BR-153.600MBE-T TXC 晶振 BR VCXO 153.6MHz ±50ppm
CJ-153.600MBE-T TXC 晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm
CJ-153.600MBE-T TXC 晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm
CJ-153.600MBE-T TXC 晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm
BJ-156.250MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 156.25MHz ±50ppm
BJ-156.250MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 156.25MHz ±50ppm
BJ-156.250MBE-T TXC 晶振 BJ VCXO 156.25MHz ±50ppm
7W-1.8432MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.8432MHz ±50ppm
7W-1.8432MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.8432MHz ±50ppm
7W-1.8432MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.8432MHz ±50ppm
7W-14.31818MBE-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MBE-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MBE-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-12.288MBB-T TXC 晶振 7W XO  12.288MHz ±50ppm
7W-12.288MBB-T TXC 晶振 7W XO  12.288MHz ±50ppm
7W-12.288MBB-T TXC 晶振 7W XO  12.288MHz ±50ppm
7W-40.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
TA-20.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm

晶體控制振蕩器可分為兩個(gè)基本組：正電抗或負(fù)電抗。正電抗模式通常稱為“并聯(lián)諧振”或“反諧振”振蕩器。皮爾斯振蕩器是一種眾所周知的正電抗振蕩器。負(fù)電抗模式通常被稱為串聯(lián)振蕩器。Statek晶體針對(duì)特定的操作模式進(jìn)行設(shè)計(jì)和調(diào)整。

TA-20.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TA-20.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 20MHz ±25ppm
TA-22.5792MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TA-22.5792MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TA-22.5792MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 22.5792MHz ±25ppm
TA-50.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TA-50.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TA-50.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
7W-14.7456MBB-T TXC 晶振 7W XO  14.7456MHz ±50ppm
7W-14.7456MBB-T TXC 晶振 7W XO  14.7456MHz ±50ppm
7W-14.7456MBB-T TXC 晶振 7W XO  14.7456MHz ±50ppm
7W-24.576MBB-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBB-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBB-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-8.192MBE-T TXC 晶振 7W XO  8.192MHz ±50ppm
7W-8.192MBE-T TXC 晶振 7W XO  8.192MHz ±50ppm
7W-8.192MBE-T TXC 晶振 7W XO  8.192MHz ±50ppm
7W-32.768MBE-T TXC 晶振 7W XO  32.768MHz ±50ppm
7W-32.768MBE-T TXC 晶振 7W XO  32.768MHz ±50ppm
7W-32.768MBE-T TXC 晶振 7W XO  32.768MHz ±50ppm
7W-36.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  36MHz ±50ppm
7W-36.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  36MHz ±50ppm
7W-36.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  36MHz ±50ppm
7C-27.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  27MHz ±50ppm
7C-27.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  27MHz ±50ppm
7C-27.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  27MHz ±50ppm
7C-48.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  48MHz ±50ppm
7C-48.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  48MHz ±50ppm
7C-48.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  48MHz ±50ppm
7W-1.544MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.544MHz ±50ppm
7W-1.544MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.544MHz ±50ppm
7W-1.544MBE-T TXC 晶振 7W XO  1.544MHz ±50ppm
7W-4.096MBE-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBE-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm
7W-4.096MBE-T TXC 晶振 7W XO  4.096MHz ±50ppm

皮爾斯振蕩器采用單個(gè)反相器，帶有兩個(gè)相移電容器和晶體，在反饋回路中提供180ºC相移。晶體的電行為就好像它是一個(gè)電感器。振蕩頻率比晶體的串聯(lián)諧振頻率高30ppm到300ppm。如果晶體從電路中移除，振蕩器通常會(huì)停止振蕩。與串聯(lián)振蕩器相比，皮爾斯振蕩器通常啟動(dòng)較慢且消耗的電流較少。小型便攜式設(shè)備（電池供電），包括手持式數(shù)據(jù)輸入終端，使用了皮爾斯振蕩器。

7C-40.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7C-40.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  40MHz ±50ppm
7W-8.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7W-8.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  8MHz ±50ppm
7C-25.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  25MHz ±50ppm
7C-25.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  25MHz ±50ppm
7C-25.000MBE-T TXC 晶振 7C XO  25MHz ±50ppm
7W-6.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  6MHz ±50ppm
7W-6.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  6MHz ±50ppm
7W-6.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  6MHz ±50ppm
7W-10.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-10.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-10.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-50.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-50.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  50MHz ±50ppm
7W-24.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
7W-24.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
7W-24.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
7W-33.333MBE-T TXC 晶振 7W XO  33.333MHz ±50ppm
7W-33.333MBE-T TXC 晶振 7W XO  33.333MHz ±50ppm
7W-33.333MBE-T TXC 晶振 7W XO  33.333MHz ±50ppm
7W-24.576MBE-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBE-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-24.576MBE-T TXC 晶振 7W XO  24.576MHz ±50ppm
7W-25.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm
7W-25.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  25MHz ±50ppm

通常，串聯(lián)振蕩器由兩個(gè)級(jí)聯(lián)的反相器組成，晶體連接在第二個(gè)反相器輸出和第一個(gè)反相器輸入之間。晶體在電氣上的行為就好像它是一個(gè)電容器。如果晶體被移除，振蕩器通常會(huì)以更高的頻率自由運(yùn)行。與皮爾斯振蕩器相比，它的啟動(dòng)速度更快（通常為100毫秒）并消耗更高的電流。

7W-10.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-10.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-10.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  10MHz ±50ppm
7W-48.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-48.000MBE-T TXC 晶振 7W XO  48MHz ±50ppm
7W-40.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-40.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  40MHz ±50ppm
7W-20.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  20MHz ±50ppm
7W-20.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  20MHz ±50ppm
7W-20.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  20MHz ±50ppm
7W-14.31818MAB-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MAB-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-14.31818MAB-T TXC 晶振 7W XO  14.31818MHz ±50ppm
7W-24.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
7W-24.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
7W-24.000MAB-T TXC 晶振 7W XO  24MHz ±50ppm
TB-1.8432MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
TB-1.8432MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
TB-1.8432MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 1.8432MHz ±25ppm
TB-70.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TB-70.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TB-70.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 70MHz ±25ppm
TB-30.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 30MHz ±25ppm
TB-30.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 30MHz ±25ppm
TB-30.000MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 30MHz ±25ppm
TA-11.0592MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 11.0592MHz ±25ppm
TA-11.0592MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 11.0592MHz ±25ppm
TA-11.0592MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 11.0592MHz ±25ppm

晶體或振蕩器類型的選擇主要取決于性能要求。總結(jié)了穿孔和串聯(lián)振蕩器的性能特點(diǎn)。CX-1V晶體具有比CX-1H更高的Q，因?yàn)樗幻芊庠谡婵辗庋b中。CX-1H晶體具有大約3到5倍的運(yùn)動(dòng)阻力（較低的Q），因?yàn)樗诮咏髿鈮旱那闆r下被密封。

TC-50.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TC-50.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TC-50.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 50MHz ±25ppm
TA-13.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 13MHz ±25ppm
TA-13.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 13MHz ±25ppm
TA-13.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 13MHz ±25ppm
TA-12.288MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 12.288MHz ±25ppm
TA-12.288MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 12.288MHz ±25ppm
TA-12.288MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 12.288MHz ±25ppm
TA-33.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TA-33.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TA-33.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 33MHz ±25ppm
TC-24.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TC-24.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TC-24.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 24MHz ±25ppm
TB-22.1184MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 22.1184MHz ±25ppm
TB-22.1184MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 22.1184MHz ±25ppm
TB-22.1184MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 22.1184MHz ±25ppm
TA-6.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 6MHz ±25ppm
TA-6.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 6MHz ±25ppm
TA-6.000MBD-T TXC 晶振 TA MEMS (Silicon) 6MHz ±25ppm
TD-33.33333MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 33.33333MHz ±25ppm
TD-33.33333MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 33.33333MHz ±25ppm
TD-33.33333MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 33.33333MHz ±25ppm
TD-60.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 60MHz ±25ppm
TD-60.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 60MHz ±25ppm
TD-60.000MBD-T TXC 晶振 TD MEMS (Silicon) 60MHz ±25ppm
TC-100.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 100MHz ±25ppm
TC-100.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 100MHz ±25ppm
TC-100.000MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 100MHz ±25ppm
TB-15.8682MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 15.8682MHz ±25ppm
TB-15.8682MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 15.8682MHz ±25ppm
TB-15.8682MBD-T TXC 晶振 TB MEMS (Silicon) 15.8682MHz ±25ppm
TC-13.513MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 13.513MHz ±25ppm
TC-13.513MBD-T TXC 晶振 TC MEMS (Silicon) 13.513MHz ±25ppm

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    【本文標(biāo)簽】：Statek晶振155.52MHz皮爾斯振蕩器適用于Xilinx FPGA參考時(shí)鐘應(yīng)用 7W-24.000MBE-T
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