全球咨詢熱線
手機端
Vishay晶振沖擊水平和破碎的晶體導致的故障,需要5.0V時鐘
晶體的厚度決定了頻率。對于0.001"(0.0254mm)厚的AT切割晶體，大約是63MHz基模諧振器。如果厚度加倍，則諧振頻率將為0.5*63MHz或31.5MHz。
XO57CTECNA12M
Vishay
XO57 系列 7 x 5 x 1.9 mm 12 MHz 3.3 V ±100 ppm 表面貼裝 振蕩器
XO37CRECNA50M
Vishay
XOSM-573 Series 50 MHz 7 x 5 mm 5 V ±100 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DREHNA18M432
Vishay
XOSM-573 Series 18.432 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DTEHNA30M
Vishay
XOSM-573 Series 30 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO37DTEHNA33M33
Vishay
XOSM-573 Series 33.33 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO57CTECNA12M
Vishay
XO57 系列 7 x 5 x 1.9 mm 12 MHz 3.3 V ±100 ppm 表面貼裝 振蕩器
XO57CTEHNA2M4576
Vishay
XOSM-57 Series 2.4576 MHZ 7 x 5 mm 5 V ±100 ppm Surface Mount Clock Oscillator
8MHz晶體的厚度為0.0078"(0.200mm)。4MHz晶體的厚度為0.0157"(0.400mm)。
遇到兩個限制特定尺寸封裝的最低頻率的條件：
1) 簡單的條件，較新的薄型陶瓷LCC封裝將不接受較厚的晶體。根據封裝的不同，頻率下限范圍從8MHz到12MHz甚至更低。
XO57DRECNA14M7456
Vishay
XOSM-57 Series 14.756 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO57DTECNA19M6608
Vishay
XOSM-57 Series 19.6608 MHz 7 x 5 mm 5 V ±50 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XO63DTEHNA30M
Vishay
XO63 30 MHz 50 PPM 表面貼裝 振蕩器
XOSM-573-B-E-40M
Vishay
XOSM-573 40.000 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 mm 3.3 V 表面貼裝 振蕩器
XOSM-573-B-E-40M
Vishay
XOSM-573 40.000 MHz 7.0 x 5.0 x 1.6 mm 3.3 V 表面貼裝 振蕩器
XOSM-573AARE25M
Vishay
XOSM 25.000 MHz 7 x 5 mm 3.3 V 振蕩器
XOSM-57AARE6.0000M
Vishay
XOSM-57 Series 6 MHz 7 x 5 mm 5 V ±25 ppm Surface Mount Clock Oscillator
XOVC1CDNA1M
Vishay
XOVC-23 系列 1 MHz 5 V 100 ppm 全尺寸 壓控晶體振蕩器
2) 請記住，石英晶體是一種振動機械裝置。對于最佳設計，那些具有較低ESR(CI)和無擾動（導致頻率跳躍的不希望的振動模式）的設計，振動區域旨在位于晶體的中心區域。
當晶體頻率較低且晶體較厚時，振動區域與邊緣的機械耦合程度更高。在這種情況下，擾動（不需要的共振）變得難以控制，幾乎不可能控制。解決方法是對水晶進行斜切或輪廓處理（使水晶看起來更像放大鏡凹形）。邊緣的這種變薄將振動區域限制在晶體中心并允許控制擾動。
7XZ-32.768KDA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
7XZ-32.768KDA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
7XZ-32.768KDA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
7XZ-32.768KDE-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±50ppm
7XZ-32.768KDE-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±50ppm
7XZ-32.768KDE-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±50ppm
7W-8.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
8MHz
±50ppm
7W-8.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
8MHz
±50ppm
7W-8.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
8MHz
±50ppm
7W-50.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±50ppm
7W-50.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±50ppm
7W-50.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±50ppm
7W-50.000MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±25ppm
7W-50.000MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±25ppm
7W-50.000MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
50MHz
±25ppm
AU-26.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
26MHz
±50ppm
AU-26.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
26MHz
±50ppm
AU-26.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
26MHz
±50ppm
7C-40.000MBA-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±25ppm
7C-40.000MBA-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±25ppm
不幸的是，限制振動區域會顯著增加ESR。例如在12MHz：
SM13T5x7mm晶體ESR最大值為50歐姆
SM11T3.2x5mm晶體ESR最大值為80歐姆
對于這個例子，低于12MHz的SM11T是不實用的，因為ESR變得非常大。
5VCMOS時鐘振蕩器的可用性正在下降。這是使用現成的3.3V時鐘振蕩器的解決方案。
7C-40.000MBA-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±25ppm
7Z-38.400MBG-T
TXC 晶振
7Z
TCXO
38.4MHz
±500ppb
7Z-38.400MBG-T
TXC 晶振
7Z
TCXO
38.4MHz
±500ppb
7Z-38.400MBG-T
TXC 晶振
7Z
TCXO
38.4MHz
±500ppb
6U-16.384MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
16.384MHz
±50ppm
6U-16.384MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
16.384MHz
±50ppm
6U-16.384MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
16.384MHz
±50ppm
BF-125.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
125MHz
±50ppm
BF-125.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
125MHz
±50ppm
BF-125.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
125MHz
±50ppm
BF-100.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
100MHz
±50ppm
BF-100.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
100MHz
±50ppm
BF-100.000MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
100MHz
±50ppm
BX-100.000MBE-T
TXC 晶振
BX
XO
100MHz
±50ppm
BX-100.000MBE-T
TXC 晶振
BX
XO
100MHz
±50ppm
BX-100.000MBE-T
TXC 晶振
BX
XO
100MHz
±50ppm
CX-100.000MBE-T
TXC 晶振
CX
XO
100MHz
±50ppm
CX-100.000MBE-T
TXC 晶振
CX
XO
100MHz
±50ppm
CX-100.000MBE-T
TXC 晶振
CX
XO
100MHz
±50ppm
7XZ-32.768KBA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
Pletronics晶振SM33xxT、SM44xxT、SM55xxT、SM77xxH和SM77xxD系列3.3V振蕩器可與該電路配合使用，以滿足對5.0V時鐘石英晶體振蕩器的需求。產生的信號特性將等于或優于舊的5V時鐘振蕩器。
7XZ-32.768KBA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
7XZ-32.768KBA-T
TXC 晶振
7XZ
XO
32.768kHz
±25ppm
7W-25.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
25MHz
±50ppm
7W-25.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
25MHz
±50ppm
7W-25.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
25MHz
±50ppm
7W-48.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
48MHz
±50ppm
7W-48.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
48MHz
±50ppm
7W-48.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
48MHz
±50ppm
7X-19.200MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
7X-19.200MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
7X-19.200MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
7X-30.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
7X-30.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
7X-30.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
AW-11.2896MBE-T
TXC 晶振
AW
XO
11.2896MHz
±50ppm
AW-11.2896MBE-T
TXC 晶振
AW
XO
11.2896MHz
±50ppm
AW-11.2896MBE-T
TXC 晶振
AW
XO
11.2896MHz
±50ppm
AU-50.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
50MHz
±50ppm
AU-50.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
50MHz
±50ppm
AU-50.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
50MHz
±50ppm
7X-38.400MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±25ppm
7X-38.400MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±25ppm
7X-38.400MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±25ppm
8W-12.000MBA-T
TXC 晶振
8W
XO
12MHz
±25ppm
8W-12.000MBA-T
TXC 晶振
8W
XO
12MHz
±25ppm
Pletronics Inc.致力于按時提供最高質量的設備以滿足客戶的要求。在過去的一年中，市場狀況導致陶瓷封裝供應商的交貨時間增加。為了繼續響應我們客戶的需求，Pletronics Inc.希望在Pletronics產品系列中增加一種陶瓷封裝類型。
8W-12.000MBA-T
TXC 晶振
8W
XO
12MHz
±25ppm
BB-125.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
125MHz
±50ppm
BB-125.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
125MHz
±50ppm
BB-125.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
125MHz
±50ppm
7W-4.096MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
4.096MHz
±50ppm
7W-4.096MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
4.096MHz
±50ppm
7W-4.096MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
4.096MHz
±50ppm
7W-40.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
40MHz
±50ppm
7W-40.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
40MHz
±50ppm
7W-40.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
40MHz
±50ppm
7C-26.000MBB-T
TXC 晶振
7C
XO
26MHz
±50ppm
7C-26.000MBB-T
TXC 晶振
7C
XO
26MHz
±50ppm
7C-26.000MBB-T
TXC 晶振
7C
XO
26MHz
±50ppm
7C-40.000MCB-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±50ppm
7C-40.000MCB-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±50ppm
7C-40.000MCB-T
TXC 晶振
7C
XO
40MHz
±50ppm
7W-66.6666MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
66.6666MHz
±50ppm
7W-66.6666MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
66.6666MHz
±50ppm
7W-66.6666MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
66.6666MHz
±50ppm
7W-24.576MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
24.576MHz
±25ppm
7W-24.576MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
24.576MHz
±25ppm
7W-24.576MBA-T
TXC 晶振
7W
XO
24.576MHz
±25ppm
7X-19.200MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±25ppm
7X-19.200MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±25ppm
7X-19.200MBA-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±25ppm
當前的陶瓷封裝和提議的添加都由同一家公司制造。制造地點、組裝材料、鍍層厚度和成分保持不變。更改主要涉及封裝中走線的位置和布線。
BB-161.1328MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
161.1328MHz
±50ppm
BB-161.1328MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
161.1328MHz
±50ppm
BB-161.1328MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
161.1328MHz
±50ppm
7X-20.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
7X-20.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
7X-20.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
7X-20.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
7X-20.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
7X-20.000MBB-T
TXC 晶振
7X
XO
20MHz
±50ppm
AU-33.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
33MHz
±50ppm
AU-33.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
33MHz
±50ppm
AU-33.000MBE-T
TXC 晶振
AU
XO
33MHz
±50ppm
7WA2572007
TXC 晶振
7W
XO
125MHz
±50ppm
7WA2572007
TXC 晶振
7W
XO
125MHz
±50ppm
7WA2572007
TXC 晶振
7W
XO
125MHz
±50ppm
6U-32.768MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
32.768MHz
±50ppm
6U-32.768MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
32.768MHz
±50ppm
6U-32.768MBE-T
TXC 晶振
6U
VCXO
32.768MHz
±50ppm
BF-62.500MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
62.5MHz
±50ppm
BF-62.500MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
62.5MHz
±50ppm
加載
此參數適用于負載或并聯諧振振蕩器電路中使用的晶體。Cload是在頻率校準期間使用的電容值，以pf為單位。例如18PF
BF-62.500MBE-T
TXC 晶振
BF
XO
62.5MHz
±50ppm
BB-150.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
150MHz
±50ppm
BB-150.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
150MHz
±50ppm
BB-150.000MBE-T
TXC 晶振
BB
XO
150MHz
±50ppm
BR-61.4400MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
61.44MHz
±50ppm
BR-61.4400MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
61.44MHz
±50ppm
BR-61.4400MBE-T
TXC 晶振
BR
VCXO
61.44MHz
±50ppm
7N-12.800MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
12.8MHz
±280ppb
7N-12.800MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
12.8MHz
±280ppb
7N-12.800MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
12.8MHz
±280ppb
7N-26.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
26MHz
±280ppb
7N-26.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
26MHz
±280ppb
7N-26.000MBP-T
TXC 晶振
7N
TCXO
26MHz
±280ppb
TC-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
TC-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
TC-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
TC-70.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TC-70.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TC-70.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TD-19.200MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TD-19.200MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TD-19.200MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TD-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
TD-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
TD-3.6864MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
3.6864MHz
±25ppm
ESR（等效串聯電阻）：
該電阻代表晶體在其諧振頻率下的等效阻抗，以歐姆為單位。例如最大50歐姆
泛音：
晶體在其基頻和高于基頻的奇次諧波處具有尖銳的諧振峰。設計用于這些諧波之一的晶體稱為泛音晶體。在更高的振蕩器頻率下，泛音設計通過使用更厚且更容易制造的晶體元件來降低成本。
TD-64.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
64MHz
±25ppm
TD-64.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
64MHz
±25ppm
TD-64.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
64MHz
±25ppm
TD-7.3728MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
7.3728MHz
±25ppm
TD-7.3728MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
7.3728MHz
±25ppm
TD-7.3728MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
7.3728MHz
±25ppm
7W-32.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
32MHz
±50ppm
7W-32.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
32MHz
±50ppm
7W-32.000MBB-T
TXC 晶振
7W
XO
32MHz
±50ppm
7X-19.200MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
7X-19.200MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
7X-19.200MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
19.2MHz
±50ppm
8W-26.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
26MHz
±50ppm
8W-26.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
26MHz
±50ppm
8W-26.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
26MHz
±50ppm
7X-30.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
7X-30.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
7X-30.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
30MHz
±50ppm
7X-25.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
25MHz
±50ppm
7X-25.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
25MHz
±50ppm
7X-25.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
25MHz
±50ppm
7X-38.400MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±50ppm
7X-38.400MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±50ppm
7X-38.400MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
38.4MHz
±50ppm
7X-48.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
48MHz
±50ppm
今天使用的大多數晶體是基本的或第三泛音。例如基金
校準公差：
這是25°C時與標稱頻率的最大偏差。校準容差以百萬分率(ppm)為單位指定。例如±30ppm
7X-48.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
48MHz
±50ppm
7X-48.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
48MHz
±50ppm
8W-20.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
20MHz
±50ppm
8W-20.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
20MHz
±50ppm
8W-20.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
20MHz
±50ppm
8W-13.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
13MHz
±50ppm
8W-13.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
13MHz
±50ppm
8W-13.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
13MHz
±50ppm
7X-50.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
50MHz
±50ppm
7X-50.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
50MHz
±50ppm
7X-50.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
50MHz
±50ppm
8W-24.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
24MHz
±50ppm
8W-24.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
24MHz
±50ppm
8W-24.000MBE-T
TXC 晶振
8W
XO
24MHz
±50ppm
7X-26.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
26MHz
±50ppm
7X-26.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
26MHz
±50ppm
7X-26.000MBE-T
TXC 晶振
7X
XO
26MHz
±50ppm
TD-4.096MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
4.096MHz
±25ppm
TD-4.096MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
4.096MHz
±25ppm
TD-4.096MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
4.096MHz
±25ppm
TC-33.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
33MHz
±25ppm
TC-33.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
33MHz
±25ppm
TC-33.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
33MHz
±25ppm
TD-40.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TD-40.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
穩定：穩定性是在以25°C為參考的指定工作溫度范圍內晶體頻率的最大偏差。與校準容差一樣，穩定性以ppm為單位指定。校準容差和穩定性的綜合影響在工作溫度范圍內是相加的。例如±50ppm
TD-40.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TD-49.152MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TD-49.152MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TD-49.152MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TC-4.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TC-4.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TC-4.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TC-16.0972MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±25ppm
TC-16.0972MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±25ppm
TC-16.0972MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
16.0972MHz
±25ppm
TD-24.576MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TD-24.576MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TD-24.576MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TC-24.576MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TC-24.576MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TC-24.576MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TD-12.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TD-12.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TD-12.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TC-20.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TC-20.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TC-20.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TC-12.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TC-12.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TC-12.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
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