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XLL330120.000000X晶振,遙遙領先的北斗衛星定位晶振,Renesas電子

頻率:120MHz

尺寸:5032mm

XLL330120.000000X晶振,遙遙領先的北斗衛星定位晶振,Renesas電子,瑞薩晶振公司,瑞薩XL器件(XO和VCXO選項)是超精密晶體振蕩器,典型相位抖動為750至890fs,帶寬為12kHz至20MHz。XL系列晶體振蕩器的頻率范圍從0.750MHz到1350MHz,瑞薩晶振采用一系列專有的asic,重點關注降噪技術。三階δ σ調制器將噪聲降低到與傳統的大塊石英和SAW振蕩器相當的水平。XL設備交貨時間短,成本低,噪音低,頻率范圍寬,環境性能優異,是傳統技術的絕佳選擇。XL (XO選項)設備的穩定性為±20ppm, XL (VCXO選項)設備的apr為±50ppm。進口晶振,有源晶振,貼片晶振,石英晶振,SMD晶振  ,OSC晶振,高品質晶振,高性能晶振,無人機晶振,航空航天晶振.
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XLL330120.000000X晶振,遙遙領先的北斗衛星定位晶振,Renesas電子,瑞薩晶振公司,瑞薩XL器件(XO和VCXO選項)是超精密晶體振蕩器,典型相位抖動為750至890fs,帶寬為12kHz至20MHz。XL系列晶體振蕩器的頻率范圍從0.750MHz到1350MHz,瑞薩晶振采用一系列專有的asic,重點關注降噪技術。三階δ σ調制器將噪聲降低到與傳統的大塊石英和SAW振蕩器相當的水平。XL設備交貨時間短,成本低,噪音低,頻率范圍寬,環境性能優異,是傳統技術的絕佳選擇。XL (XO選項)設備的穩定性為±20ppm, XL (VCXO選項)設備的apr為±50ppm。進口晶振,有源晶振,貼片晶振,石英晶振,SMD晶振  ,OSC晶振,高品質晶振,高性能晶振,無人機晶振,航空航天晶振.

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XLL330120.000000X晶振,遙遙領先的北斗衛星定位晶振,Renesas電子

標志 參數 Test Condition Minimum Typical Maximum Units
F 輸出頻率范圍 LVDS. 0.75 - 1350 MHz
LVPECL. 0.75 - 1350
LVCMOS. 0.75 - 250
頻率容差 Temperature = -20°C to +70°C. -20
-25
-50
-100
- +20
+25
+50
+100
ppm
Temperature = -40°C to +85°C. -25
-50
-100
- +25
+50
+100
ppm
Temperature = -40°C to +105°C. -50
-100
- +50
+100
ppm
輸出負載 LVDS. - 100 - Ω
LVPECL. - 50 -
LVCMOS. - 15 - pF
TST 啟動時間 Output valid time after VDD meets minimum specified level. - - 10 ms
tR 輸出上升時間 LVDS. - - 400 ps
LVPECL. - - 400
LVCMOS. - - 3 ns
tF 輸出下降時間 LVDS. - - 400 ps
LVPECL. - - 400
LVCMOS. - - 3 ns
ODC 輸出時鐘占空比 LVDS. 47 - 53 %
LVPECL. 47 - 53
LVCMOS. 47 - 53
TOE 輸出啟動/禁用時間 - - - 100 ns
JPER 周期抖動,RMS LVDS. - 3 - ps
LVPECL. - 5.8 -
LVCMOS. - 5 -
RJ 隨機抖動 LVDS. - 1.3 - ps
LVPECL. - 1.29 -
LVCMOS. - 0.6 -
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XLL330120.000000X晶振,遙遙領先的北斗衛星定位晶振,Renesas電子

XL


XL

XL2

原廠編碼 生產商品牌 型號 頻率 輸出 電源電壓 頻率容差
XLL525212.500000I Renesas晶振 XL 212.5 MHz LVDS 2.5V ±50ppm
XLH335050.000000K Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLL330120.000000X Renesas晶振 XL 120 MHz LVDS 3.3V ±100ppm
XLH335001.024000I Renesas晶振 XL 1.024 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLL325040.000000I Renesas晶振 XL 40 MHz LVDS 2.5V ±50ppm
XLL530108.000000I Renesas晶振 XL 108 MHz LVDS 3.3V ±100ppm
XLL338C50.000000X Renesas晶振 XL 1.25 GHz LVDS 3.3V ±100ppm
XLH335016.625000I Renesas晶振 XL 16.625 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH736040.000000I Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH330012.000000I Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLL335125.000000I Renesas晶振 XL 125 MHz LVDS 3.3V ±50ppm
XLH335001.000000X Renesas晶振 XL 1 MHz HCMOS 3.3V ±50ppm
XLH330016.000000X Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH325020.000000X Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH526020.000000X Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH725027.000000I Renesas晶振 XL 27 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH336050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH336012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH335050.000JX4I Renesas晶振 XL 50 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH335025.000JX4I Renesas晶振 XL 25 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH735024.576JU4X Renesas晶振 XL 24.576 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH735012.000JU4X Renesas晶振 XL 12 MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
XLH336024.000000I Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH526040.000000I Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH336020.000000I Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH526012.000000I Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH336050.000000I Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH336016.000000I Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH336012.000000I Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 3.3V ±25ppm
XLH536016.000JS4I Renesas晶振 XL 16 MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736025.000JU4I Renesas晶振 XL 25 MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
XLH736012.000JU4I Renesas晶振 XL 12 MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
XLH526030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH526027.000000X Renesas晶振 XL 27 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH526026.000000X Renesas晶振 XL 26 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH520012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH720026.000000X Renesas晶振 XL 26 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520026.000000X Renesas晶振 XL 26 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH320027.000000X Renesas晶振 XL 27 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH720016.000000X Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520025.000000X Renesas晶振 XL 25 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH320030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH320033.333000X Renesas晶振 XL 33.333 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH725020.000000X Renesas晶振 XL 20 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH526024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH520016.000000X Renesas晶振 XL 16 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH525024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH330048.000000X Renesas晶振 XL 48 MHz HCMOS 3.3V ±100ppm
XLH320012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH525030.000000X Renesas晶振 XL 30 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH520048.000000X Renesas晶振 XL 48 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH520040.000000X Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH720040.000000X Renesas晶振 XL 40 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH725012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH725024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH720050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 2.5V ±100ppm
XLH525012.000000X Renesas晶振 XL 12 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH325024.000000X Renesas晶振 XL 24 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm
XLH526050.000000X Renesas晶振 XL 50 MHz HCMOS 2.5V ±25ppm
XLH525010.000000X Renesas晶振 XL 10 MHz HCMOS 2.5V ±50ppm

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UJ2600007Z是一款臺產的DIODES晶振,專為智能手機量身打造,屬于UJ晶體系列。作為低相位抖動的削峰正弦波晶振,它為智能手機的穩定運行提供了精準的時鐘信號,是保障手機各項功能高效運作的關鍵元件。這款晶振采用先進的制造工藝,選用高品質材料,確保在 - 20℃至 + 70℃的工作溫度范圍內,能將相位抖動控制在極低水平,展現出卓越的頻率穩定性。其削峰正弦波輸出特性,不僅降低了諧波干擾,還優化了信號質量,為手機的射頻模塊、處理器及其他關鍵組件提供純凈、穩定的時鐘基準。在智能手機中,無論是高速的數據傳輸、流暢的多媒體播放,還是精準的定位導航,UJ2600007Z都憑借其穩定的性能,確保各個功能模塊之間的精確協同工作,提升用戶體驗。
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FD0810003臺產Diodes晶振,憑借其在光纖通道領域的卓越表現,成為光纖通信系統中的關鍵組件。它基于先進的石英制造工藝,確保了在 - 40℃至 + 85℃的寬溫度范圍內,具備出色的頻率穩定性,能將頻率偏差嚴格控制在極小范圍,為光纖通道設備提供可靠的時鐘基準。作為FD貼片晶體,其封裝形式不僅實現了體積的小型化,便于在光纖通信設備的電路板上進行高密度安裝,適應設備小型化、集成化的發展趨勢,還優化了散熱性能和電氣性能,提升了晶振在不同工作條件下的穩定性和抗干擾能力。
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PX5000010作為亞陶的7050封裝LVDS差分低抖動晶振,在高清視頻系統領域展現出卓越性能。7050封裝使其在具備良好機械穩定性的同時,適應了現代高清視頻設備電路板高密度布局的需求,便于安裝且能有效抵抗振動和沖擊對晶振性能的影響。該晶振的低抖動特性是其核心優勢。在高清視頻系統中,哪怕極其微小的時鐘抖動都可能導致圖像出現重影、畫面撕裂或音頻視頻不同步等問題。PX5000010憑借先進的制造工藝和精心設計的內部結構,將抖動控制在極低水平,為高清視頻信號的處理和傳輸提供了穩定且精準的時鐘基準。
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