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Abracon分層3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振

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瀏覽:- 發布日期:2023-06-20 15:18:37【
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abracon新聞2.2

Abracon分層3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振,高精度時鐘+超低相位噪聲,Abracon晶振公司的OCXO解決方案采用精密SC切割高“Q”石英晶體諧振器設計,并結合精密的溫度監測和控制電路。這種組合使Abracon能夠滿足該OCXO系列的3層和3E層要求。

OCXO系列非常適合需要高頻穩定性、低相位噪聲和精確保持性能的5G或GPS應用,例如基站、小型蜂窩平臺、互聯網數據中心以及衛星和航空航天通信。

溫度范圍內的精確穩定性與超低±1ppb的每日老化相結合,可實現±15ppb、24小時保持精度,具體取決于系統條件。如果系統丟失參考時鐘,保留會延長系統的有用運行時間,這是設計射頻、網絡、電信、GPS和參考計時應用時的一個重要考慮因素。此外,嚴格的短期穩定性改善了低帶寬鎖相環的采集時間和GPS應用的整體精度。

AOC1409支持20MHz頻率,采用小型14.9x9.7x7.0(6引腳)封裝。AOC2012采用20.32x12.70x11.00mmSMD(4引腳)封裝,工作溫度范圍為-20°C至+70°C。AOC2522系列具有±750ppb的長期老化特性,采用25.4x22x12.7mm(5焊盤)封裝尺寸。AOC1409和AOC2522的工作溫度范圍為-40°C至+85°C。

abracon新聞2.1

Abracon分層3/3E的OCXO,AOC1409XAUC-20.0000C晶振

特征

AOC1409特性

六引腳SMD回流焊接封裝

卓越的長期老化:700年內±20ppb

AOC2012特性

四引腳SMD回流焊接封裝

卓越的長期老化:1年內±20ppm

AOC2522A/B特性

五焊盤SMD回流焊接封裝

卓越的長期老化:750年內±20ppb

溫度穩定性:-10°C至+40°C范圍內±85ppb

應用:基站,精密全球定位系統,蜂窩基礎設施,測試與測量設備,交換機和路由器,時間和頻率參考。晶振資料下載 

ABRACON晶振 生產品牌 型號 類型 頻率 輸出 電壓 頻率穩定度 工作溫度
AOCJYR-10.000MHZ-M5625LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 10MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-20.000MHZ-M5627LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 20MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-1 Abracon晶振 AOCJY7TQ OCXO 100MHz Sine Wave 12V ±100ppb -40°C ~ 70°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M10 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±10ppb -55°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I3 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I3-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY5-10.000MHZ Abracon晶振 AOCJY5 OCXO 10MHz Sine Wave 12V ±50ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY6-10.000MHZ-5 Abracon晶振 AOCJY6 OCXO 10MHz Sine Wave 12V ±0.5ppb -20°C ~ 70°C
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-1 Abracon晶振 AOCJY7TQ VCOCXO 100MHz Sine Wave 12V ±100ppb -40°C ~ 70°C
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-5 Abracon晶振 AOCJY7TQ OCXO 100MHz Sine Wave 12V ±50ppb -40°C ~ 70°C
AOCJY6-10.000MHZ-1 Abracon晶振 AOCJY6 OCXO 10MHz Sine Wave 11.4 V ~ 12.6 V ±0.1ppb -20°C ~ 70°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-I5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M10-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±10ppb -40°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY7TQ-X-100.000MHZ-2 Abracon晶振 AOCJY7TQ OCXO 100MHz Sine Wave 12V ±200ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-24.576MHZ-M6069LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±50ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-24.576MHZ-M5834LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-12.800MHZ-M5649LF Abracon晶振 AOCJYR OCXO 12.8MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCTQ5-X-10.000MHZ-M10 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±10ppb -40°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M10-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±10ppb -55°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±3ppb -45°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M5 Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz CMOS 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCTQ5-V-10.000MHZ-M5-SW Abracon晶振 AOCTQ5 OCXO 10MHz Sine Wave 5V ±5ppb -55°C ~ 85°C
AOCJY6-10.000MHZ-2 Abracon晶振 AOCJY6 OCXO 10MHz Sine Wave 11.4 V ~ 12.6 V ±0.2ppb -20°C ~ 70°C
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-2 Abracon晶振 AOCJY7TQ VCOCXO 100MHz Sine Wave 12V ±200ppb -40°C ~ 85°C
AOCJY7TQ-V-100.000MHZ-5 Abracon晶振 AOCJY7TQ VCOCXO 100MHz Sine Wave 12V ±50ppb -40°C ~ 70°C
AOCJYR-24.576MHZ-M6069LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±50ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-10.000MHZ-M5625LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 10MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-24.576MHZ-M5834LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 24.576MHz LVCMOS 3.3V ±25ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-12.800MHZ-M5649LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 12.8MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCJYR-20.000MHZ-M5627LF-T Abracon晶振 AOCJYR OCXO 20MHz LVCMOS 3.3V ±20ppb -40°C ~ 85°C
AOCJY7-100.000MHZ Abracon晶振 AOCJY7 OCXO 100MHz Sine Wave 11.4 V ~ 12.6 V ±50ppb -20°C ~ 70°C

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快速通道

國內晶振分類:
Domestic Crystal
進口晶振分類:
Import Crystal
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