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應(yīng)用于PCB板時(shí)晶振遇到的三大難解之題
一、晶振晶體不起作用或頻率變化,因?yàn)樵赑CB板上進(jìn)行熱測(cè)試.
1.卸下晶體并測(cè)試其頻率和電阻,以確定石英晶振是否振蕩并使用熱測(cè)試機(jī)符合規(guī)格.您也可以將其發(fā)送給晶振晶體供應(yīng)商進(jìn)行測(cè)試.（熱測(cè)試點(diǎn)的間隔應(yīng)至少為10/1測(cè)試點(diǎn)）
2.如果其電阻和頻率超出工作溫度范圍內(nèi)的規(guī)格,請(qǐng)將晶振晶體送至制造商進(jìn)行質(zhì)量分析和進(jìn)一步改進(jìn).
3.在晶振晶體通過(guò)熱測(cè)試的情況下,請(qǐng)檢查振蕩電路和其他元件的特性,如外部電容的溫度特性,芯片電路的溫度特性等.
二、安裝在PCB板上時(shí),石英晶體不起振.
1.請(qǐng)使用示波器或頻率計(jì)來(lái)測(cè)量晶體兩端的信號(hào).如果頻率和負(fù)載電容符合您的規(guī)格且晶振晶體通過(guò)DLD測(cè)試,我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試.當(dāng)信號(hào)輸出信號(hào)但波形幅度較小時(shí),請(qǐng)使用示波器或頻率計(jì)測(cè)量來(lái)自晶振晶體兩端的信號(hào).如果頻率遠(yuǎn)高于目標(biāo)頻率，請(qǐng)采用CL較低的晶體，反之亦然。
2.請(qǐng)卸下晶體并測(cè)試其頻率和負(fù)載電容,以確定它們是否會(huì)使用專業(yè)測(cè)試機(jī)器振動(dòng)并符合您的規(guī)格.您也可以將其發(fā)送給供應(yīng)商,讓他們?yōu)槟M(jìn)行測(cè)試.
3.如果發(fā)生以下任何一種情況,例如晶振不振動(dòng),其負(fù)載電容不符合您的規(guī)格,或者當(dāng)前頻率與您的目標(biāo)頻率之間存在巨大差距,請(qǐng)將晶體發(fā)送給您供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量分析.
4.如果頻率和負(fù)載電容符合您的規(guī)格且石英晶振晶體通過(guò)DLD測(cè)試,我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試.
如果晶體的參數(shù)是正常的，但它在振蕩電路中不能穩(wěn)定工作，我們將不得不查明IC的電阻值是否太低而無(wú)法驅(qū)動(dòng)電路。
5.如果晶體晶振未通過(guò)DLD測(cè)試,請(qǐng)將其發(fā)送給您的供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量分析以進(jìn)一步改進(jìn).
三、當(dāng)晶振晶體安裝在PCB板上時(shí),晶振頻率隨時(shí)間的分布過(guò)寬或頻率受到雜散電容的極大影響.
除外部電路調(diào)整外,晶振參數(shù)的特性也會(huì)影響頻率牽引范圍。其參考參數(shù)為微調(diào)靈敏度（TS）,C0/C1（r）,C1,C0等。每個(gè)參數(shù)和頻率可拉性之間的關(guān)系如：C0',C1a',C0/C1（r）†“,TS'',可拉性→
１．根據(jù)上圖所示的石英晶體拉伸能力曲線,電容越小,對(duì)頻率變化的影響越大.如果頻率分布太寬,請(qǐng)按照以下方法：
a．增加電容值Cd和Cg,并采用具有較大負(fù)載電容（CL）的晶振晶體.
b．對(duì)Cd和Cg使用更復(fù)雜的電容（電容變化很小）.
c．使用更復(fù)雜的水晶（頻率變化很小）.
方法（a）和方法（b）是有效的并且更節(jié)省成本.
2.此外,如果由于PCB的雜散電容導(dǎo)致頻率分布無(wú)法滿足規(guī)范,則可能需要基于雜散電容源的新布局.
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