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各大品牌1008晶振型號對比

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瀏覽:- 發布日期:2018-11-02 09:52:42【
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  小型貼片晶振成了當下市場的主流,從過去的大體積晶振到現在3225貼片晶振,2520貼片晶振,2016貼片晶振,1008貼片晶振,不僅代表了晶振的改革,同時見證了各個領域科技產品的更新換代.石英晶體,SMD晶振,石英晶體振蕩器在智能產品中都是不可缺少的重要電子元件,為電路提供信號頻率,實現正常工作.

  1008晶振是目前世界上體積最小的貼片晶振,為了順應時代發展,滿足小型化產品需求,各大品牌相繼推出自家的1008貼片晶振.億金電子代理KDS晶振,愛普生晶振,精工晶體,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振等國際知名品牌,下面給大家介紹各大品牌1008晶振型號對比,獲取更多相關信息也可聯系億金電子0755-27876565.

CX1008SB

  京瓷CX1008SB晶振

  京瓷與大阪大學副教授山村和也共同研發的超高精度加工技術(等離子體CVM技術),成功減小了頻率偏差.該加工技術利用了等離子體中的中性自由基與加工物表面發生化學反應的特性,可以對水晶的厚度及表面狀態等進行高精度控制.此外,京瓷晶振高精度半導體工藝技術,提高了水晶元件石英晶振的尺寸精度,有效解決了串聯電阻值偏差較大的問題.通過這些技術,可以提高產品生產率,實現產品供給的穩定性.

  京瓷CX1008貼片晶振,尺寸大小在1.0x0.8x0.3mm,精小但絲毫不影響到精度讓人不得不感嘆生產工藝的強大.CX1008晶振頻率容許誤差也就是我們經常所說的精度,精度可以達到10PPM的精確度,電阻控制在60Ω,具有較強的抗振性能,在溫度高達-30℃~+85℃之間頻率誤差保持在10PPM的高精度完全是沒有問題的,具有較高的耐熱性,耐惡劣環境等特點.

名稱

CX1008

用途

智能手機、穿戴式終端

外形尺寸

1.0X0.8

產品高度

0.30mm

頻率容許誤差

±10ppm

頻率溫度特性

±10ppm-30+85

CI值(串聯電阻)

60ΩMAX37.4MHz

生產基地

京瓷晶體元件株式會社滋賀八日市事業所

NX1008AA

  日本電波NX1008AA晶振

  NDK最新推出的石英晶體諧振器——NX1008AA晶振,可謂世界級小體積SMD晶振,尺寸僅有1.0x0.8x0.3mm,具有超小型,厚度超薄等特點,可對應高度Max.0.27mm,頻率選用范圍廣.

  NX1008AA晶振頻率穩定,低損耗,具有高信賴性,最適用于移動通信,短距離無線通信,消費類電子用,超小型Wireless LANBluetooth.(短距離無線用途)NX1008AA石英晶振采用編帶盤裝,可對應回流焊,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

額定頻率范圍(MHz)

32to80

尺寸大小(L×W×H:mm)

1.0×0.8×0.30

泛波次數

Fundamental

頻率偏差(25±3)

±10×10-6

頻率溫度特性(25為基準)

±10×10-6(32to60MHz)
±15×10-6(60to80MHz)

工作溫度范圍(*1)()

-30to+85

儲存溫度范圍()

-40to+85

等效串聯阻抗(額定頻率:以上~未滿)

Max.150Ω(32to37.4MHz)
Max.80Ω(37.4to48MHz)
Max.60Ω(48to80MHz)

驅動功率

10µW

負載電容

8pF

規格料號

STD-CIY-1

 8A 1008

  臺灣晶技8A晶振

  尺寸僅有1.0x0.8x0.3mm,采用4腳封裝,可通過高速自動貼片機焊接,常用頻點有37.4M/38.4M/40M/48M.在產品中使用精度高達10PPM,20PPM,工作溫度為-30~85,保存溫度范圍在-40~85.具有環保,節能,高精度,高效,低衰減等特性.主要為各類小型化電子產品,如智能手機,智能手表,智能可穿戴設備等.

晶振規格

單位

8A晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

37.4MHZ~60MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-30°C+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μWMax.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_—l

±50×10-6(標準),
(±15×10-6
±50×10-6可用)

+25°C對于超出標準的規格說明,
請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.bzmfr.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30×10-6/-20°C+70°C

超出標準的規格請聯系我們.

負載電容

CL

8pF,10PF

超出標準說明,請聯系我們.

串聯電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C—+85°C,DL=100μW

頻率老化

f_age

±5×10-6/yearMax.

+25°C,第一年

 DX1008JS 1008

DX1008JS石英晶體諧振器

  日本大真空的DS1008JS晶振和DX1008JS晶振

  KDS晶振的DS1008JS晶振,DX1008JS晶振全球最小石英晶體振蕩器采用精細密封技術是鍵合技術,KDS晶振集團獨特的生產技術,由晶體和WLP(晶圓級封裝)的三個層的鍵合晶片,常規的結構等效的氣密性它被實現了.DS1008JS有源晶振,DX1008JS無源晶振均由保持單元,而無需使用導電性粘接劑的結構允許所述振動部的整體結構,解決了由于體積改小導致的精度不穩定,以及導電粘合劑的安裝空間問題,實現了在耐沖擊性的改善.另一方面,DS1008JS晶振,DX1008JS晶振采用WLP使生產過程中的處理變得更加容易.

型號名稱

DX1008JS晶振

頻率范圍

48MHz

52MHz

80MHz

96MHz

120MHz

泛音順序

根本

負載能力

8pF,10pF,12pF

激勵程度

10μW(最大100μW

頻率容差偏差

±20×10-625°C時)

±100×10-625°C時)

串聯電阻

最大100Ω

最大60Ω

最大40Ω

頻率溫度特性

±30×10-6/-30+85°C(參考溫度至25°C

儲存溫度范圍

-40+85°C

包裝單位(1

3000/卷(φ180

 DS1008JS

DS1008JS石英晶體振蕩器

DS1008JS晶振

一個符號

標準值

條件

分鐘.

(典型值).

最大.

單位

輸出頻率范圍

FO

1

-

100

兆赫

電源電壓

VCC

+1.6

-

+3.6

V

頻率允許偏差
(包括室溫偏差)

f_tol

-100

-

+100

×10-6

-40+125°C

-20+70°C
(標準工作溫度范圍)

-50

-

+50

-30

-

+30

-30+85°C

-20

-

+20

-20

-

+20

-20+70°C

當前消費

CC

-

-

1.8

毫安

fo=24MHz,VCC=+1.8V,無負載

待機電流(#1引腳“L”

I_STD

-

-

0.01

毫安

輸出負載

L_CMOS

-

-

15

pF

波形對稱

SYM

45

50

55

50VCC,fo<60MHz

上升時間,下降時間

tr,tf

-

-

NS

1090VCC

輸出啟用時間

tPZL

-

-

2

MS

輸出禁用時間

tPLZ

-

-

200

NS

OE引腳1電平輸入電壓

VIH

VCC×0.8

-

-

V

OE引腳0電平輸入電壓

VIL

-

-

VCC×0.2

V

包裝單位(1

3000pcs./reel(φ180

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    【本文標簽】:各大品牌1008晶振型號對比 8A晶振 DX1008JS晶振
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    國內晶振分類:
    Domestic Crystal
    進口晶振分類:
    Import Crystal
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