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使用集成電路的晶體振蕩器
大多數內置晶體振蕩器電路的 IC 都使用 Gated Pierce 設計，其中振蕩器圍繞單個 CMOS 反相門構建。對于振蕩器應用，這通常是一個單反相級，包括一個 P 通道和一個 N 通道增強模式 MOSFET，在數字世界中通常稱為無緩沖逆變器（見圖 1）。可以使用緩沖逆變器（通常由三個串聯的 P-N MOSFET 對組成），但相關的數千個增益將導致成品振蕩器可能不太穩定。
圖 3 顯示了無緩沖 HCMOS 逆變器 74HCU04 的直流傳輸特性（Vin 與 Vout）和直流偏置點線。在 3.3V 和 1MΩ 的 Rf 下，逆變器的輸入和輸出電壓將為 ~1.65V。現在說這個逆變器在其線性區域是偏置的。輸入電壓的微小變化將被增益放大，并表現為輸出電壓的較大變化。
圖 3 顯示了無緩沖 HCMOS 逆變器 74HCU04 的直流傳輸特性（Vin 與 Vout）和直流偏置點線。在 3.3V 和 1MΩ 的 Rf 下，逆變器的輸入和輸出電壓將為 ~1.65V。現在說這個逆變器在其線性區域是偏置的。輸入電壓的微小變化將被增益放大，并表現為輸出電壓的較大變化。
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